2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產品陣容。
2012-10-10 13:37:10
1451 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061450 ） MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管（SBD）和相應的裸片。
2018-05-28 12:46:395890 IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管(FWD)構成，續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：硅
2023-09-22 10:26:251008 
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管（SBD）擴大了設計人員對交通、能源和工業系統中的高壓電力電子產品的選擇范圍。
2022-03-22 11:12:561258 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢壘二極管（SBD）在大功率應用方面的最大優勢在于近乎理想的動態特性。在反向恢復瞬態，當二極管從正向導通模式轉變為反向阻斷模式時，有很低的反向恢復時間，而且在整個工作溫度范圍內保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始
2018-11-29 14:35:50
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品
2018-12-03 15:12:02
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數均相當于或優于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
二極管具有明顯優勢；下面結合碳化硅肖特基二極管的結構圖，談談碳化硅肖特基二極管的導通壓降構成。 碳化硅肖特基二極管在導通時，其導通壓降可等效為4部分構成： 圖（7）①號區域的勢壘電壓 圖（7
2023-02-28 16:55:45
開關電源小型化，并降低產品噪音。 2、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導通電壓比硅快速恢復二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電
2023-02-28 16:34:16
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
，有助于滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產品優點 綜上所述，基本半導體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優點： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時
2023-02-28 17:13:35
金屬和半導體觸點形成肖特基勢壘以實現整流。與普通PN結二極管相比，它的反向恢復慣量非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。碳化硅（SiC）是一種高性能半導體材料，因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產品。關于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-11 02:37:28
一般的二極管是利用PN結的單方向導電的特性，而肖特基二極管則是利用金屬和半導體面接觸產生的勢壘（barrier）整流作用，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基
2021-01-13 16:36:44
，簡稱：SR,比如：SR107,SR10100CT……肖特基：Schottky勢壘：BarrierSB:即為肖特基勢壘二極管肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），國內廠家也有叫做"
2021-06-30 17:04:44
人叫做：肖特基勢壘二極管（ Schottky Barrier Diode 縮寫成 SBD）的簡稱。但 SBD 不是利用 P 型半導體與 N 型半 導體接觸形成 PN 結原理制作的，而是利用金屬與半導體
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關特征和應用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產生
2018-12-03 14:31:01
不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點通過改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產品。關于熱失控肖特基勢壘二極管在
2019-04-30 03:25:24
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
C6D06065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-05-29 19:27:15
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C6D08065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-05-29 20:36:06
C6D08065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-05-29 20:42:44
C6D10065Q是650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-05-31 20:02:07
C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-05-31 20:16:37
E4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-02 18:19:35
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
肖特基勢壘二極管肖特基勢壘二極管原理/結構
肖特基二極管 肖特基二極管是以其
2010-02-26 14:00:193971 肖特基勢壘二極管,肖特基勢壘二極管是什么意思
肖特基勢壘二極管（也叫熱載子二極管）在機械構造上與點接觸二極管很相似，但它
2010-02-26 14:12:102074 什么是肖特基勢壘二極管
肖特基二極管SBD（Schottky Barrier Diode），又稱為金屬-半導體二極管,是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件
2010-03-05 09:52:492563 碳化硅(SiC)功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現有碳化硅肖特基二極管技術條件下，該系列二極管可提供業界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:401701 瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力
2012-02-09 09:11:176222 
東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26975 
全球知名半導體制造商ROHM開發出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:512466 推動高能效創新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。
2018-03-01 13:14:179301 2018年6月5日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 目前，國內外碳化硅功率電子分立器件商業化產品主要有功率二極管和SiC MOSFET。SiC功率二極管分為肖特基二極管（SBD）、PIN二極管和結勢壘控制肖特基二極管三種。
2018-11-13 15:47:597488 因為本征載流子激發導致器件性能失效。碳化硅材料在發生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。?大功率碳化硅二極管
2018-11-20 15:28:071867 ）今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。
2020-10-29 15:24:343420 ）今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統效率的同時保持高質
2020-11-05 10:20:352091 碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結勢壘肖特基二極管結構（JBS），因此相比于傳統的硅快恢復二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。可以有效降低反向漏電
2020-11-17 15:55:056966 二次側整流二極管通常使用FRD（快速恢復二極管）和SBD（肖特基勢壘二極管）等，本文提到的基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒有開關損耗，而且VF具有正向溫度系數，有利于提高車載充電機實際的效率。
2022-07-26 14:43:341889 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關特征和應用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產生的肖特基勢壘。
2023-02-09 10:19:231415 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:071642 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:173674 ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:071187 
碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當電壓通過碳化硅二極管時，電子會從N極流向P極，從而產生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統，以及其他電子設備中，用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:421713 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:401513 ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品。
2023-02-16 09:55:061350 
我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二極管的動態特性是標準硅二極管的四倍，而正向電壓（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二極管的使用大大提高了太陽能逆變器、電機
2023-02-21 10:06:421981 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244172 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721 ，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢。那么各個碳化硅二極管廠家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應用中。
2023-02-21 13:38:163523 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:342338 肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2022-01-06 09:13:415184 
7.2肖特基勢磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.3雙極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-09 09:27:531337 7.4結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術
2022-02-15 11:20:415478 7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-10 09:18:151371 今天鑫環電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應用領域及優勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術指標上都優于普通雙極二極管技術。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:052134 
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:301207 
肖特基勢壘二極管的作用 肖特基勢壘二極管的工作原理? 肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管，由于其獨特的結構和功能特點而得到廣泛應用。本文將詳細介紹肖特基勢壘二極管的作用與工作原理。 一
2023-09-02 10:34:034283 【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的金屬差異
2023-12-13 14:40:481636 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性
2023-12-13 14:42:082109 
【科普小貼士】什么是肖特基勢壘二極管（SBD）？
2023-12-13 14:43:083225 
碳化硅二極管的優點和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:274769 在當今快速發展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:291624 北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能
2024-02-19 11:23:292661 
碳化硅（SiC）肖特基二極管是一種帶隙大于傳統硅基肖特基二極管的半導體器件。
2024-04-11 10:27:141696 
SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導體材料的應用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導體材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們在電力電子領域具有廣泛的應用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管 在科技政策與法規的推動下，半導體行業正經歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設備需求的不斷增長，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051090 
結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象，比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算，僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753 使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC
2025-03-20 11:16:591047 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數和應用。
2025-12-01 15:55:06207 
LSIC2SD065D40CC是一款耐壓650V，每路20A的碳化硅肖特基勢壘二極管。它采用TO - 263 - 2L封裝，這種封裝形式在實際應用中較為常見，方便
2025-12-15 16:10:20275
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