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電子發燒友網>模擬技術>英飛凌碳化硅市占率劍指30%!

英飛凌碳化硅市占率劍指30%!

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2023-05-19 10:27:031457

國產碳化硅行業加速發展

碳化硅產業鏈主要分為襯底、外延、器件和應用四大環節,襯底與外延占據 70%的碳 化硅器件成本。根據中商產業研究院數據,碳化硅器件的成本構成中,襯底、外延、前段、 研發費用和其他分別比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:561557

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優勢和應用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

igbt和碳化硅區別是什么?

igbt和碳化硅區別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:0421116

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領域具有廣泛的應用前景,特別是在新能源、電動汽車、軌道交通等領域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導體材料的高載流子遷移和低導通電阻特性,實現對電能的高效轉換。具體
2024-01-10 13:55:542585

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646

碳化硅產業鏈圖譜

共讀好書 碳化硅產業鏈主要由襯底、外延、器件、應用等環節組成。碳化硅晶片作為半導體襯底材料,根據電阻不同可分為導電型、半絕緣型。導電型襯底可用于生長碳化硅外延片,制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411

英飛凌與Wolfspeed擴大碳化硅晶合作,滿足市場需求

英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明,延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:311151

英飛凌與Wolfspeed擴展并延長150mm碳化硅晶圓供應協議

英飛凌科技與Wolfspeed宣布,將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過這次擴展,雙方的合作新增了一項多年期產能預訂協議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性,還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅半導體產品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:331272

碳化硅器件的類型及應用

碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料,具有比傳統硅更高的電子漂移和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩定性和效率。
2024-04-16 11:54:501346

英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數字驅動評估板

半導體領域的創新者英飛凌科技近日發布了一款革命性的數字驅動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR,專為2kV碳化硅MOSFET模塊設計。這款評估板為工程師們提供了一個快速、便捷的測試平臺,以評估基于2kV碳化硅MOSFET樣機的性能特性。
2024-05-11 11:33:451359

CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場

英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術,再度突破極限,實現更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發展且競爭激烈的碳化硅市場,屹立于創新浪潮之巔。在過去三年,碳化硅市場經歷了蓬勃發展,特別是在
2024-07-12 08:14:411152

英飛凌居林工廠擴建成全球最大碳化硅晶圓廠

英飛凌在2024財年第三季度財報電話會上,碳化硅與居林工廠成為焦點。會后,英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck即刻啟程,前往馬來西亞吉打州,參加一個具有里程碑意義的儀式——全球規模最大且效率領先的200毫米碳化硅功率半導體晶圓廠正式投入生產運營。
2024-08-26 09:50:33949

碳化硅在半導體中的作用

電導、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環境,同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅在半導體器件中的應用 功率器件 : 碳化硅功率器件具
2025-01-23 17:09:352667

碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續為您揭開這些誤區
2025-04-30 18:21:20761

碳化硅晶圓特性及切割要點

的不同,碳化硅襯底可分為兩類:一類是具有高電阻(電阻≥10^5Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類是低電阻(電阻區間為15~30mΩ·cm)的導電型碳化硅襯底。02
2025-07-15 15:00:19961

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