碳化硅功率器件市場領先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續其在碳化硅功率器件向主流功率應用的推廣。與硅功率器件相比,科銳先進的碳化硅技術可降低系統成本、提高可靠性,并為能源效率建立新的標準。科銳公司最新推出的1200V Z-Rec? 碳化硅肖特基二極管產品均采用行業標準的TO-252 D-Pak表面貼裝封裝,提供額定電流分別為2A,5A,8A 和 10A的表面貼裝器件。科銳公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面貼裝封裝的可應用于全范圍額定電流的商用1200V碳化硅肖特基二極管制造商。如太陽能微型逆變器等系統設計人員現在能擁有更多的選擇來研發出更小、更輕以及成本更低的電源轉換電路。新型表面貼裝器件以更小的 PCB 尺寸和面積,并具備與科銳 TO-220 肖特基二極管相同的性能。
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科銳副總裁兼功率和射頻 (RF) 產品研發部門總經理 Cengiz Balkas 指出:“這些新型碳化硅肖特基二極管表面貼裝器件能夠以更小的尺寸和更低的板載實現包括零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關、在更高頻率下工作并能夠支持低電磁干擾(EMI)信號、以及更高的浪涌額定值和電子雪崩性能等優點。額定電流為2A的新型器件充分發揮碳化硅材料本身的優勢,非常適合于較低功率的應用,能夠提供最佳的性能及成本選擇。此外,具有相同尺寸和節約成本的8A 和 10A 器件則適用于更高功率的應用中。”
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Balkas 進一步指出:“在高效功率電子系統中使用碳化硅功率器件,能夠具有以更少的器件數量實現更高的額定電流和額定電壓等顯著設計優勢。通過減少器件數量,設計人員能夠降低整體系統成本的同時,提高整體系統可靠性和實現最高效率。在全碳化硅設計中配合科銳最新系列1200V碳化硅MOSFET使用時,這些肖特基二極管使得高功率電子系統成為可能,其開關頻率較傳統以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高的開關頻率下可使用較小磁性和電容性的元件,從而可以縮減系統體積、降低重量和成本。”
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科銳C4D02120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為2A/1200V;C4D05120E系列肖特基二極管的額定電流/ 電壓為5A/1200V;C4D08120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為8A/1200V;C4D10120E系列肖特基二極管的額定電流為10A/1200V。所有C4DXX120E器件的工作結溫為-55°C 至 +175°C。
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科銳C4DXX120E表面貼裝肖特基二極管已經發布并完全具備生產使用資格。欲了解器件的供貨情況,敬請與科銳聯系。
科銳推出新型碳化硅肖特基二極管
- 二極管(177146)
- 科銳(24665)
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SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性
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SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性
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SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、全隔離封裝便于直接散熱以及 100% UIS 測試等特性。 *附件:SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合
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SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
的電源轉換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流
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SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻
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SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
:SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作 正向電壓
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SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
:SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作
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SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特點 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作 正向電壓具有正
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SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊
轉換器。 碳化硅(SiC)屬于第三代半導體,派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統Si肖特基二極管具有更高的耐
2025-02-25 16:01:30
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SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊
轉換器等領域。 碳化硅(SiC)屬于第三代半導體,派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統Si肖特基二極管具有
2025-02-25 15:44:15
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快恢復二極管與肖特基二極管的異同點解析
在電力電子和開關電源設計中,快恢復二極管和肖特基二極管是兩類高頻應用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關場景,但其工作原理、性能特點及適用場景存在顯著差異。一、結構差異快恢復二極管(FRD)結構
2025-02-24 15:37:56
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為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管
?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管 在科技政策與法規的推動下,半導體行業正經歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設備需求的不斷增長,BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:05
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采用 MPS SiC 二極管最大程度地降低高頻開關模式電源的損耗
(Si) 二極管而言,這些開關損耗來自二極管關斷時二極管結內存儲的電荷產生的反向恢復電流。要將這些損耗降到最低,通常需要一個具有更高平均正向電流的 Si 二極管,但這會導致更大的尺寸和更高的成本。 在 CCM PFC 電路中,碳化硅 (SiC) 二極管是更好的選擇,因其反向恢復電流本質上只是
2025-01-26 22:27:00
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MBR40150CT肖特基二極管規格參數詳情
肖特基二極管(Schottky diode), 肖特基二極管的物理結構基于金屬- N 型半導體結,因而具有很低的正向壓降和極快的開關速度。
2025-01-24 15:54:44
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整流二極管與穩壓二極管的區別
在現代電子技術中,半導體二極管是不可或缺的基礎元件之一。它們以其獨特的單向導電特性,在各種電路中發揮著重要作用。整流二極管和穩壓二極管是兩種常見的二極管類型,它們雖然都屬于二極管家族,但在功能、結構
2025-01-14 18:11:08
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