今天結(jié)合電子整流器的核心原理,帶大家拆解整流器內(nèi)部器件,從結(jié)構(gòu)、失效原因到檢測方法逐一講透,文末還附上實(shí)操修復(fù)案例,新手也能看懂。
2025-12-28 15:24:43
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在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,整流器是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天,我們來深入探討安森美(onsemi)推出的NHP160SF和NRVHP160SF這兩款采用SOD - 123FL封裝的超快功率整流器,看看它們在實(shí)際應(yīng)用中能帶來哪些獨(dú)特的優(yōu)勢。
2025-12-02 15:22:09
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在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率整流器的性能對(duì)整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來詳細(xì)探討一下ON Semiconductor推出的NHPAF320和NRVHPAF320表面貼裝超快速功率整流器,看看它們在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-02 14:20:38
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在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,整流器是不可或缺的元件,它的性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要探討的是安森美(ON Semiconductor)推出的NRVTS560ETFS、NRVTS560ETFSWF這兩款溝槽式肖特基整流器,它們在諸多方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-01 15:01:15
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安森美 (onsemi) MURS220、NRVUS220V和SURS8220超快速恢復(fù)電源整流器設(shè)計(jì)用于效率和熱性能至關(guān)重要的高速開關(guān)應(yīng)用。由于恢復(fù)時(shí)間短且正向電壓掉線率低,這些安森美
2025-11-22 11:02:31
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Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:22
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仁懋電子(MOT)推出的MBR30200W是一款30A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-13 09:35:58
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仁懋電子(MOT)推出的MBR40100W是一款40A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管,憑借100V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-13 09:30:07
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Vishay MRSE1PK表面貼裝快速開關(guān)整流器是一款1A、800V微型表面貼裝快速整流器,非常適合用于自動(dòng)貼裝應(yīng)用。MRSE1PK具有低正向電壓降、漏電流和噪聲。Vishay MRSE1PK整流器采用超薄外形,具有氧化物平面芯片結(jié),典型高度為0.65mm MicroSMP封裝。
2025-11-12 11:08:42
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Vishay Semicductors SS20KH170肖特基勢壘整流器是一種高密度表面貼裝整流器,在I~F~ = 5A時(shí)具有0.6V的超低瞬時(shí)正向電壓。這些整流器工作效率高,正向壓降小,功率損耗
2025-11-12 10:00:58
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的最長10s焊料浸漬,符合JESD 22-B106標(biāo)準(zhǔn)。GBUE2580橋式整流器采用GBU封裝,具有800V的最大反向重復(fù)峰值電壓和25A的最大平均正向整流輸出電流。該整流器不含鹵素,符合RoHS指令
2025-11-12 09:51:37
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仁懋電子(MOT)推出的MOT30150F(MBR30150F)是一款30A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管,憑借150V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景
2025-11-12 09:48:14
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Vishay Semicductors SS30KH170/SS30KH170S肖特基勢壘整流器是高電流密度表面貼裝整流器,具有超低正向壓降。 這些整流器支持高效運(yùn)行,并帶有過壓保護(hù)裝置
2025-11-12 09:41:35
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Vishay Semicductors SE100PWTLK表面貼裝低 VF 標(biāo)準(zhǔn)整流器具有800V最大重復(fù)峰值反向電壓和10A最大平均正向整流電流。該整流器工作時(shí)的正向壓降較低,爬電和間隙距離為
2025-11-12 09:30:15
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仁懋電子(MOT)推出的MOT20100D是一款20A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管,憑借100V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息核心
2025-11-06 16:08:31
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仁懋電子(MOT)推出的MBR10200F是一款10A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。以下從器件特性、電氣
2025-11-03 17:01:50
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仁懋電子(MOT)推出的MOT20200D是一款面向高壓大電流整流場景的肖特基勢壘二極管,憑借20A連續(xù)電流承載能力、200V反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等領(lǐng)域
2025-10-29 15:28:28
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仁懋電子(MOT)推出的MOT30100D是一款面向大電流整流場景的肖特基勢壘二極管,憑借30A連續(xù)電流承載能力、100V反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛適用于開關(guān)電源、整流器、電池充電器等領(lǐng)域。以下
2025-10-28 17:56:17
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仁懋電子(MOT)推出的MBR20150A是一款面向大電流整流場景的肖特基勢壘二極管,憑借20A連續(xù)電流承載能力、150V反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等領(lǐng)域。以下
2025-10-28 17:52:02
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STMicroelectronics STTH30RQ06L2超快高壓整流器采用HU3PAK封裝,是一款采用ST 600V技術(shù)的600V、30A器件。該器件具有高結(jié)溫能力和超快開關(guān)速度。STMicroelectronics STTH30RQ06L2非常適合用作二次側(cè)整流二極管的應(yīng)用。
2025-10-27 15:13:18
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一、產(chǎn)品概述MBR10200A是仁懋電子(MOT)推出的10A肖特基勢壘整流器,具備低正向壓降、高浪涌電流容量等技術(shù)特性,適配TO-220、TO-220F、TO-263多種封裝形式,聚焦高效整流
2025-10-24 11:27:23
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,為高效整流系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品定位與封裝設(shè)計(jì)MOT2045D是一款20A肖特基勢壘整流器,采用TO-252封裝,包裝規(guī)格為2500片/卷,適配規(guī)模化生產(chǎn)
2025-10-23 17:32:36
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揚(yáng)杰科技超低導(dǎo)通電壓(VF)橋式整流器系列(封裝6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工藝(Planar)結(jié)構(gòu)制程技術(shù),其通過增加截止環(huán)和終端鈍化層,多次的光照制程, 來實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電
2025-09-30 11:06:09
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CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于在高功率高密度 DC/DC 中進(jìn)行二次同步整流 轉(zhuǎn)爐。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和超低R~上~權(quán)力 MOSFET完成同步整流功能。此外,PCB占用空間已 優(yōu)化有助于縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并簡化整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。
2025-08-07 18:11:16
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0201 表面貼裝低勢壘硅肖特基二極管反并聯(lián)對(duì)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有0201 表面貼裝低勢壘硅肖特基二極管反并聯(lián)對(duì)的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-07-18 18:34:59

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()表面貼裝, 0201 低勢壘硅肖特基二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有表面貼裝, 0201 低勢壘硅肖特基二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,表面貼裝
2025-07-17 18:30:54

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅肖特基勢壘二極管:封裝、可鍵合芯片和光束引線相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有硅肖特基勢壘二極管:封裝、可鍵合芯片和光束引線的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,硅
2025-07-15 18:32:18

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管真值表,零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-14 18:33:02

PANJIT推出具備175°C (TJ) 高結(jié)溫溫度能力的HULV超低VF橋式整流器系列,持續(xù)引領(lǐng)高效能功率整流技術(shù)。此系列在800 V反向耐壓條件下,展現(xiàn)業(yè)界最佳的熱穩(wěn)定性與導(dǎo)通效率,廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、電信設(shè)備、游戲平臺(tái)以及80+白金/鈦金級(jí)PC電源等高功率密度系統(tǒng)。
2025-07-03 11:10:56
901 失效、浪涌損傷及封裝老化等風(fēng)險(xiǎn)。本文將深入解析快恢復(fù)整流器的主要失效模式,并提供工程應(yīng)對(duì)策略。一、過熱失效:熱設(shè)計(jì)不可忽視的關(guān)鍵快恢復(fù)整流器的功率損耗主要來自導(dǎo)通
2025-06-27 10:00:43
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會(huì)考慮將快恢復(fù)整流器進(jìn)行并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)計(jì)。但看似簡單的“疊加”,實(shí)際涉及一系列電氣與熱學(xué)挑戰(zhàn),尤其是均流與均壓控制問題。本文將深入剖析快恢復(fù)整流器在并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用中
2025-06-25 10:31:08
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二極管的結(jié)電容分兩種:勢壘電容和擴(kuò)散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊給到的結(jié)電容參數(shù),通常指的是勢壘電容上面這個(gè)是ES1J超快恢復(fù)二極管數(shù)據(jù)手冊的結(jié)電容參數(shù)Cj=8pF。同時(shí)我們知道,對(duì)于常用的二極管來說,它有
2025-04-24 13:21:34
0 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 首次推出先進(jìn)的銻化銦 (InSb) 霍爾器件傳感器系列,可檢測旋轉(zhuǎn)速度和測量電流,適用于筆記本電腦、手機(jī)、游戲手柄等消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)用
2025-04-14 15:19:07
880 這款 GREEN 整流器控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于用于低壓次級(jí)側(cè)同步整流的標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。
控制器和 MOSFET 的組合模擬了近乎理想的二極管整流器。該解決方案不僅直接降低了整流器的功率耗散,而且由于效率增益的復(fù)合,還間接降低了初級(jí)側(cè)損耗。
2025-03-28 11:25:12
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6個(gè)開關(guān)脈沖對(duì)6個(gè)可控硅分別進(jìn)行控制,因此得名6脈沖整流。在理想狀態(tài)下,忽略換相過程、電流脈動(dòng)、觸發(fā)延遲角和交流側(cè)電抗等因素,6脈沖整流器的交流側(cè)電流傅里葉級(jí)數(shù)展開后,會(huì)含有6K±1(K為正整數(shù))次諧波,即5、7、11、13…等各次諧波。這些諧波的
2025-03-05 17:14:38
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2025-02-10 14:09:33
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2025-02-09 11:30:05
0 在電子電路中,二極管和整流器是兩種非常重要的元件。它們都涉及到電流的單向流動(dòng)特性,但在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用場景上有所不同。 二極管的基本概念 二極管是一種兩端電子元件,其主要特性是只允許電流單向流動(dòng)
2025-02-07 09:22:19
1644 在電力電子領(lǐng)域中,交直流變換器(AC/DC Converter)與整流器(Rectifier)都是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵設(shè)備,但它們的工作原理、功能特性和應(yīng)用場景存在顯著差異。本文旨在深入探討交直流變換器與整流器的技術(shù)區(qū)別。
2025-01-30 14:46:00
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評(píng)論