CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款 高度優化的設計，用于在高功率高密度 DC/DC 中進行二次同步整流 轉爐。該產品集成了驅動IC和超低R上權力 MOSFET完成同步整流功能。此外，PCB占用空間已 優化有助于縮短設計時間并簡化整個系統設計的完成。
*附件：csd43301q5m.pdf

特性

• 典型 R上4.5 V 時為 0.55 mΩDD
• 集成 FET 驅動器
• 最大額定電流 80A
• 高密度 – SON 5 毫米× 6 毫米封裝
• 超低電感封裝
• 系統優化的PCB封裝
• 兼容TTL IN信號
• 無鹵素
• 符合 RoHS 標準 – 無鉛端子
  電鍍無鹵素
  參數

方框圖

1. ?產品概述?
   • ?型號?：CSD43301Q5M，德州儀器（TI）NexFET?系列產品，專為高功率密度DC/DC轉換器的次級同步整流優化設計。
   • ?核心特性?：
     • 超低導通電阻（典型值0.55mΩ@4.5V）。
     • 集成FET驅動器和功率MOSFET，簡化系統設計。
     • 80A最大額定電流，5mm×6mm SON封裝，符合RoHS標準。
2. ?關鍵參數?
   • ?電氣特性?：
     • 工作電壓范圍：4.5V至6V（推薦），支持9.6V瞬態電壓。
     • 開關頻率最高1500kHz，最小輸入脈沖寬度48ns。
     • 熱阻：結到外殼（RθJC）20°C/W，結到電路板（RθJB）2°C/W。
   • ?保護功能?：
     • 欠壓鎖定（UVLO）：4.2V（典型值），300mV滯后。
     • ESD防護：HBM 2000V，CDM 500V。
3. ?應用設計要點?
   • ?PCB布局建議?：
     • 縮短DRAIN引腳與電感的距離以降低損耗。
     • 必須將引腳7（PGND）與底部散熱焊盤（引腳13）直接連接。
     • 使用熱通孔陣列散熱，推薦孔徑0.25mm，間距1mm。
   • ?損耗計算?：
     • 總損耗=驅動損耗（PDRV）+導通損耗（PCOND）+開關損耗（PSW）。
     • 開關損耗包含體二極管導通、反向恢復及輸出電荷損耗。
4. ?封裝與訂購信息?
   • ?封裝?：12引腳LSON-CLIP（5mm×6mm），卷帶包裝（2500片/卷）。
   • ?工作溫度?：-40°C至125°C，存儲溫度-65°C至150°C。