今天，我們就來聊聊

這個超硬核開創新紀元神作之前世今生。

其實

早在設備技術的研發階段，EUV曾受到業界的質疑，這一遭遇和曾被稱作“小破球”的《流浪地球》頗為相似。

研發前期，可用于生產的13.5納米的光源產生等技術難點曾被許多專家認為不可突破。而在過去十余年，我們與客戶一同面對重重挑戰，ASML數以千計的工程師更是攻堅克難、全情投入研發，突破一個又一個技術難點，以創新性思維解決問題，探索如何更有效將等離子體轉換為EUV光源。

歷經多年打磨，2017年初ASML收獲數十億歐元EUV設備訂單的消息，讓那些曾經的流言蜚語不攻自破，讓“EUV永遠不可能用于芯片制造”的懷疑論者集體啞火。

EUV的“劃時代”意義不僅僅是因為它極大地簡化了工藝流程，更在于它將全面支持我們的客戶推進7納米邏輯芯片和16納米DRAM工藝制程朝更尖端的方向發展。

自此，一個屬于EUV的時代開啟了。

眾所周知，單位時間內的晶圓產量提升是EUV商業價值的重要指標。2006年，我們的第一臺EUV原型需要超過21個小時才能曝光完成一片完整的晶圓，妥善率（availability）小于10%。而進入新一代EUV曝光技術，2018年ASML的NXE:3400B已在客戶端測試中，實現每小時125片晶圓的產量里程碑，更達成80%以上妥善率（availability）。EUV系統的運行速度，已在過去十余年間提高了2,600倍，這是質的飛躍。

推動高量產的“幕后英雄”是EUV光源的突破性創新。正是ASML工程師們不拘泥于固有思維的創新精神，探索出光強更大的EUV光源，來提供加速曝光晶圓所需的能量。就好像《流浪地球》電影最后轉折式以引爆空間站來點燃火星的做法最終保護了人類的地球，ASML科學家Alex Schafgans也曾這樣評述EUV光源技術的探索過程：“我們并沒有按照原本規劃的方案走，之前我們計劃輸出更為強力的激光射線，但取而代之的，我們探索出如何更有效地將等離子體轉換為EUV光源。”

目前

ASML 已與卡爾蔡司公司合作開發出數值孔徑為0.33的EUV***鏡頭，并積極研發下一代0.55高數值孔徑(High-NA)光學系統，為推進3納米及以下制程做努力。該光學系統與多重成像技術相比，成本將降低50%，周期時間將縮短3到6倍，并具備一流的套刻和聚焦性能。

但ASML不止于當下的成功，我們更著眼于未來，ASML將在今年推出新一代的EUV光刻設備NXE：3400C，預計每小時達到170片晶圓產量，妥善率（availability）更將超過90％。該系統計劃于2019年下半年供貨至我們的客戶。

更好的光學器件、高效的光源、更好的支持芯片量產……無數ASML人共同的努力，奠定了最先進EUV光刻系統的誕生，更成就了半導體行業里程碑，我們將一以貫之，帶領人類一起跨越科技史上的又一高峰。