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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反...
解析 onsemi SiC 功率MOSFET模塊NVXK2PR80WXT2
作為一名電子工程師,在為電動汽車(xEV)應用設計 DC - DC 轉換器和車載充電器時,合適的功率 MOSFET 模塊至關重要。今天就為大家詳細解析 ...
onsemi NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET深度解析
在電子工程領域,功率MOSFET一直是電源設計中的關鍵元件。今天要給大家詳細介紹的是安森美(onsemi)的NTH4L060N065SC1,一款650V...
基于傳輸線法TLM與隔離層優化的4H-SiC特定接觸電阻SCR精準表征
4H-碳化硅(4H-SiC)因其寬禁帶(3.26eV)、高熱導率(4.9W·cm?1·K?1)和高擊穿場強(2.5MV·cm?1),成為高溫、高功率電子...
使用安森美Elite Power仿真工具的125KW儲能系統設計
安森美(onsemi)近期推出的開發工具試用活動已圓滿收官,本次活動吸引了眾多工程師的積極參與,通過實際應用體驗安森美先進的開發工具,共同挖掘其在設計中...
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...
UCC38C52 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數據手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應用中驅動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
浮思特|SiC MOSFET與普通MOSFET的區別及應用分析
在現代功率電子技術中,MOSFET(場效應晶體管)是不可或缺的關鍵組件。它廣泛應用于開關電源、逆變器、電動汽車等領域。而隨著功率需求和系統效率的不斷提高...
2025-09-04 標簽:MOSFETSiCSiC MOSFET 861 0
1200V-23mΩ SiC FET(UF4SC120023B7S):高性能功率開關的新選擇
在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率開關器件至關重要。今天,我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC ...
傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時,其性能已經接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現,為電力電子行業帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅動器技術手冊
ADuM4177是一款高性能隔離式柵極驅動器,采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術,提供5.7 kV RMS隔離。ADuM4177采用28...
SpeedVal Kit生態系統簡化碳化硅部件評估過程并縮短設計時間
新一代功率半導體的高功率應用正在越來越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來滿足電動汽車 (EV)、數據中心、工業和可再生能源領域對更高功率密度、更高效率...
硅功率器件已經達到了它們的材料極限,已經達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業提供快速開關、高效的器件性能。然而,它們距離充分發揮...
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