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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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電力電子控制從線性控制到模型預測控制在SiC功率系統中的融合與應用
全球能源互聯網核心節點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導體之一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新...
基于onsemi EVBUM2897G-EVB評估板的雙脈沖測試技術詳解
onsemi EVBUM2897G-EVB評估板設計用于比較測量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM289...
SiC MOSFET:橋式結構中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結構
在探討“SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。
SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證,具備超快速開關、...
如何通過實時可變柵極驅動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點介紹實時可變柵極驅動強度的技術優勢,這項新功能可讓設計人員優化系統參數,例如效率(影響電動汽車行駛里程)和 SiC 過沖(影響可靠性)。
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標準,無...
TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數據手冊
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設計,包括但不...
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