onsemi EVBUM2897G-EVB評估板設(shè)計用于比較測量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM2897G-EVB電路板使用戶能夠快速測試和評估六種封裝類型器件的開關(guān)性能：TO247-3L、TO247-4L、D2PAK-7L、BPAK7、TOLL和POWER88。該系統(tǒng)為性能測試和設(shè)備比較提供了高效的解決方案，具有離散DPT功能，可簡化操作。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：onsemi EVBUM2897G-EVB 評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

四層FR4印刷電路板，銅厚70μm
低電感PCB布局
專為支持高達(dá)1200V的設(shè)備而設(shè)計
隔離式單柵極驅(qū)動器，帶2.5kV絕緣材料
可選電解質(zhì)或薄膜電容器直流鏈路
集成電流測量互感器
集成繞線空氣電感器80μH
直流鏈路高達(dá)1100V

框圖

基于onsemi EVBUM2897G-EVB評估板的雙脈沖測試技術(shù)詳解

一、評估板核心架構(gòu)

1.1 主板設(shè)計特點

?PCB結(jié)構(gòu)?：4層FR4板材，銅厚70mm，低電感布局設(shè)計
?電壓支持?：最高支持1200V器件測試，DC鏈接電壓最高1100V
?驅(qū)動隔離?：獨立單通道柵極驅(qū)動器，2.5kV絕緣等級
?保護(hù)機制?：支持READY故障功能，在電源初次上電時自動進(jìn)入故障狀態(tài)

1.2 關(guān)鍵功能模塊

?柵極驅(qū)動系統(tǒng)?：采用NCD57084驅(qū)動器，支持外部PWM信號輸入
?電流測量?：集成電流互感器(CT)，提供10倍衰減比
?電感組件?：空芯繞線電感80mH，可承受150A脈沖電流
?電容配置?：可選電解電容或薄膜電容DC鏈接

二、子卡系統(tǒng)詳解

2.1 封裝兼容性

評估板提供6種子卡，全面覆蓋主流功率器件封裝：

封裝類型	安森美訂單號	支持器件示例
TO247-3L	RA0771EB	NTHL022N120M3S
TO247-4L	RA0770EB	NTH4L022N120M3S
D2PAK-7L	RA0772EB	NTBG022N120M3S
BPAK-7	RA0769EB	NTTC040N120M3S
TOLL	RA0773EB	NTBL045N065SC1
POWER88	RA0774EB	NTMT045N065SC1

2.2 子卡設(shè)計特性

包含兩個晶體管(DUT1低側(cè)，DUT2高側(cè))，構(gòu)成半橋拓?fù)?/li>
支持VGS、VDS電壓測量，提供專用測試點
可選柵極電容配置，用于調(diào)節(jié)柵極振蕩
底部安裝孔設(shè)計，支持熱板溫度測試

三、測試配置與操作指南

3.1 電氣規(guī)格

?工作電壓?：DC輸入840VDC（最大900VDC）
?柵極驅(qū)動電壓?：標(biāo)準(zhǔn)配置+18V/-3V輸出
?PWM輸入電平?：低電平0-1.5V，高電平3.5-5V
?電流消耗?：5V電源約100mA

3.2 測量設(shè)置

?信號連接?：
- IN1：低側(cè)DUT PWM輸入
- IN2：高側(cè)DUT PWM輸入
- 推薦使用AMPHENOL RF 135101-01-24.00 SMA電纜
?探頭配置?：
- VGS測量：兼容Lecroy、Tektronix被動探頭
- VDS測量：必須使用差分探頭或隔離示波器
- ID測量：支持電流互感器或Rogowski線圈探頭

3.3 操作流程

選擇對應(yīng)子卡并安裝至主板
連接VGS、VDS、ID探頭及BNC電纜
設(shè)置信號發(fā)生器參數(shù)（如VPWM=5V，10脈沖，30kHz）
連接電源并逐步增加高壓電源電壓
監(jiān)測波形并調(diào)整柵極電阻優(yōu)化性能

四、柵極電阻優(yōu)化策略

4.1 參數(shù)權(quán)衡

?低RG值?（如3.9Ω）：高速開關(guān)、低損耗、高VDS過沖
?高RG值?：低速開關(guān)、高損耗、低VDS過沖
評估板標(biāo)配RG_ON=3.9Ω，RG_OFF未焊接

4.2 調(diào)諧選項

支持兩個SMD 1206封裝電阻并聯(lián)
可選通孔電阻（如R0204型）實現(xiàn)免焊接快速調(diào)諧

五、測試結(jié)果與分析

5.1 典型測試條件

?直流電壓?：400-800VDC
?脈沖電流?：50-100A
?柵極電阻?：3.9Ω-6.8Ω
?結(jié)溫?：25℃
?柵極電壓?：+18V/-3V
?脈沖寬度?：1.0-1.6ms

5.2 性能對比

基于實際測試數(shù)據(jù)，不同封裝器件在相同條件下的表現(xiàn)：

?開關(guān)速度?：di/dt在4380-6580A/ms范圍
?開關(guān)損耗?：EON+EOFF總計520-572mJ
?過沖控制?：VDS過沖必須不超過MOSFET的VDSS額定值

六、安全注意事項

?高壓警告?：DC鏈接存在高壓，LD3指示燈亮起時禁止接觸主板
?防護(hù)措施?：必須由受過安全標(biāo)準(zhǔn)培訓(xùn)的專業(yè)人員在實驗室環(huán)境操作
?電容放電?：斷開電源后需等待數(shù)分鐘確保DC鏈接完全放電

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