在PCB的EMC設計考慮中，首先涉及的便是層的設置； 單板的層數由電源、地的層數和信號層數組成；在產品的EMC設計中，除了元器件的選擇和電路設計之外，良好的PCB設計也是一個非常重要的因素。
2018-04-15 06:43:00
10050 
問題，因此，需要增加緩沖吸收電路來抑制 SiC 模塊關斷過程中因振蕩帶來的尖峰電壓過高的問題 。文獻 [7-11] 通過對雙脈沖電路進行仿真和實驗研究，給出了緩沖吸收電路參數的優化設計方法，但都是以關斷
2025-04-23 11:25:54
一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
ROHM擅長的低VF特性，還提高了抗浪涌電流性能IFSM，并改善了漏電流IR特性，采用SiC功率元器件的客戶有望進一步增加。（未完待續）
2018-12-03 15:12:02
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應用中對節能和小型化貢獻巨大的功率元器件。SiC功率元器件關于SiC功率元器件，將分以下4部分進行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
突發的巨大能量，以保護連接設備免于受損。最常見的就是電子產品使用過程中會遇到的電壓瞬變和浪涌，從而導致電子產品的損壞，損壞的原因是電子產品中的半導體器件(包括二極管、晶體管、可控硅和集成電路等)被燒毀或擊穿。本文闡述下關于抑制浪涌的那些解決辦法~
2020-10-22 18:37:10
浪涌電流的抑制——NTC浪涌電流的抑制方法有很多，一般中小功率電源中采用電阻限流的辦法抑制開機浪涌電流。我們分析一下如何使用NTC熱敏電阻進行浪涌電流的抑制。NTC熱敏電阻，即負溫度系數熱敏電阻，其
2014-03-20 09:37:32
10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。3．壓敏電阻的作用
2019-06-28 04:20:26
本人用的是Altium Designer 09，今天用著設計一個電路的時候載入到PCB電路設計的時候元器件沒有連接在一起，求大神指導一下，是不是我軟件哪里設置不對呢？
2015-04-29 16:38:04
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯網）的發展做出貢獻
2019-04-12 05:03:38
實現了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產。另外，在傳統的硅半導體功率元器件領域，實現了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產品群。下面介紹這些產品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
所擁有的特性和特征的應用事例。均分別包含基礎內容。如果是幾十瓦的電源，有內置功率元器件，可減少個別地選擇MOSFET或工作確認。然而，在大功率電路中，切實地純熟掌握分立元器件極為重要。后文將詳細
2018-11-28 14:34:33
。所以，我們就需要分析一下防浪涌設計的一些問題和解決方案。二、主要問題：電路設計中主要存在以下兩個問題：1、電路走線不合理： 隨著Layout工程師水平的提高和對防浪涌的重視，走線不合理的情況越來越少
2019-05-23 11:17:33
確實無法在21世紀單芯片化。羅姆積極致力于走在22世紀前端的一體化封裝電源的開發，敬請期待未來羅姆具有前瞻性的的產品陣容。 而在羅姆提出的四大發展戰略中，其中之一便是“強化以SiC為核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
在幾百萬分之一秒時間內出現的劇烈脈沖，但是對外部電路會造成很大干擾尤其是電子線路，甚至會瞬間燒壞。在多個繼電器同時使用時，浪涌會加劇，會相互干擾。3. 繼電器浪涌抑制功能作用繼電器在電氣回路中運行時
2016-12-03 21:09:19
大小電容和串聯電感。對于商用設備，一般通過含有浪涌阻絕裝置的產品吸收突發的尖峰能量，保護連接設備免受浪涌損害。 在電路設計中，一般遵循“多級防護、逐級削減”的原則，組合使用多種保護元器件方案，實現系統級
2023-03-30 14:42:53
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
關斷時（切斷電流）產生較大的浪涌，當浪涌超過元器件的額定值時，甚至可能會致使產品損壞。要有效降低布線電感值，需要靠近電路圖的紅色橢圓圈出來的線路中的元件引腳連接電容器。緩沖用電容器示例緩沖用電容器不僅電氣
2018-11-27 16:39:33
浪涌電壓會嚴重危害電子系統的安全工作。在電子線路中通常采用浪涌保護抑制器件來對電路進行保護，介紹幾種浪涌抑制保護器件：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態抑制二極管TVS。這幾種浪涌
2020-11-20 16:54:46
，這一限流電阻的限流作用已完成，僅起到消耗功率、發熱的負作用，因此，在功率較大的開關電源中，采用上電后經一定延時后用一機械觸點或電子觸點將限流電阻短路，如圖5所示。這種限制上電浪涌電流方式性能好，但電路
2018-10-08 15:45:13
，迅速導通，從而把巨大的浪涌電壓能力旁路掉，保障電路的電壓在正常范圍之內。目前，電路中比較常用的浪涌保護元器件有：TVS瞬態抑制二極管、壓敏電阻MOV、陶瓷氣體放電管GDT。不同的浪涌保護元器件，其工作
2019-08-27 14:33:23
壓敏電阻、氣體放電管、TVS瞬態抑制二極管是電路保護中常用的浪涌抑制元件，本文主要介紹著幾種元件的工作原理及特性。壓敏電阻工作原理：壓敏電阻的電壓與電流呈特殊的非線性關系。當壓敏電阻兩端鎖甲的電壓
2018-01-30 15:23:10
部分及其評估而進行調整，是以非常高的速度進行高電壓和大電流切換的關鍵。尤其在電路設計的初步評估階段，使用評估板等工具可使開發工作順利進行。關鍵要點:?使用專用柵極驅動器和緩沖模塊，可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面，Eon增加，Eoff減少。按總損耗（Eon + Eoff）來比較，當前損耗減少。
2018-11-27 16:36:43
SiC MOSFET與傳統Si器件相比，具有高電壓、大電流、高速驅動、低損耗、高溫穩定等諸多優點，是新一代器件。近年來，利用這些優異特性，作為向大功率發展的電動汽車 (EV) 的牽引逆變器電路，并聯
2024-11-27 14:23:04
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結構現在正在量產的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
開關電源中浪涌電壓吸收元器件
開關 電源 通常具有較寬的輸入電壓，對輸入電壓的容差范圍較大，同時根據浪涌尖峰電壓峰值高，持續時間短的特點，通常采用能量吸收型方案對浪涌尖峰電壓進行濾除，即采用能量吸收
2023-12-18 15:24:53
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
晶振具有的等效電氣特性晶振電路設計方案，電路中各元器件的作用是什么？消除晶振不穩定和起振問題有什么具體的建議和措施嗎？
2021-04-13 06:19:09
半導體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸到實際設備的各種功率轉換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節能和小型化方面功效卓著，其產品已經開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性
2017-07-22 14:12:43
1、浪涌電壓的產生和抑制原理 在電子系統和網絡線路上，經常會受到外界瞬時過電壓干擾，這些干擾源主要包括：由于通斷感性負載或啟停大功率負載，線路故障等產生的操作過電壓；由于雷電等自然現象引起的雷電浪涌
2018-10-10 15:27:02
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
在電子線路中通常采用浪涌抑制器件來對電路進行保護，常見的幾種浪涌抑制器件有：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態抑制二極管TVS和半導體放電管TSS。浪拓電子作為專業的浪涌防護廠商，為
2019-07-22 12:17:19
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
電源技術中的熱敏電阻抑制浪涌電流設計
2021-06-08 06:14:57
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內引入內匹配電路，因此內匹配對發揮GaN功率管性能上的優勢，有非常重要的現實意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優良的物理化學特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
電壓、電流供應電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應電力”的范圍中，半導體也發揚著重要的作用，從“處置電力(功率)”的含義動身，其中心半導體部件被稱為功率元器件或功率半導體。 在功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
如何抑制LED燈具浪涌電流？
2021-03-16 14:50:00
靜電保護二極管、壓敏電阻；開關型包括：陶瓷氣體放電管、半導體放電管。接下來，專業高品質保護器件廠家東沃電子重點介紹電路保護中常用的過壓浪涌抑制保護元器件。TVS瞬態抑制二極管TVS（Transient
2019-11-07 15:35:14
`電路保護主要是保護電子電路中的元器件在受到過壓、過流、浪涌、電磁干擾等情況下不受損壞。通常保護器件有壓敏電阻MOV、氣體放電管GDT、半導體放電管TSS、瞬態抑制二極管TVS等。保護器件可以分為開關型和箝位型兩大類。附圖：`
2017-06-01 15:35:13
電子元器件的防浪涌應用 電浪涌引起的電過應力（EOS）損傷或燒毀是電子元器件在使用過程中最常見的失效模式之一。 電浪涌是一種隨機的短時間
2009-08-27 18:53:08
68 最適合CMOS模擬電路設計的Visio元器件模板
2010-07-08 15:49:05335
電燈浪涌電流抑制器電路
2009-01-21 01:32:073828 
電燈浪涌電流抑制電路
2009-02-06 10:12:041327 
固體放電管在浪涌抑制電路的應用
固體放電管是基于晶閘管原理和結構的一種兩端負阻器件。可以吸收突波,抑制過高電壓,達到保護易損組件的目的
2009-10-17 08:46:231915 功率驅動器件與MCU_DSC的接口電路設計技巧
2017-01-14 12:15:5011 =1/f），如果是低通濾波器，由于其原理是允許低于截止頻率的信號通過，而高于截止頻率信號不能通過，所以對于浪涌脈沖的抑制作用有限，故而在電路設計中一般采用專門的浪涌保護器件。 浪涌保護器件都有一個共同特點，即，在正常
2017-09-24 10:38:258 本文帶來開關電源浪涌抑制電路、三個防開機浪涌電流電路和電燈浪涌電流抑制電路圖五個防浪涌電路圖分享。
2018-01-11 11:40:0670411 
雷擊浪涌抑制電路設計基本功
2018-02-02 11:45:0015755 引言SiC功率器件已經成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優越材料
2018-03-20 11:43:025379 使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
由于浪涌脈沖的頻率很低，帶寬較寬(B=1/f)，如果是低通濾波器，由于其原理是允許低于截止頻率的信號通過，而高于截止頻率信號不能通過，所以對于浪涌脈沖的抑制作用有限，故而在中一般采用專門的浪涌保護器件。
2018-10-18 09:37:005767 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:009411 本文首先介紹了浪涌抑制器是什么，然后解釋了浪涌抑制器的作用，最后從分四類的角度對四種浪涌抑制器的工作原理進行了解釋
2019-08-01 16:01:2119972 在電子線路中通常采用浪涌抑制器件來對電路進行保護，常見的幾種浪涌抑制器件有：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態抑制二極管TVS和半導體放電管TSS。浪拓電子作為專業的浪涌防護廠商，為大家總結了這幾種常見浪涌抑制器件的優劣勢對比，方便大家選擇合適浪涌抑制保護器件：
2019-10-03 09:33:0010433 
在電路設計中經常會對電路元器件做相關的保護，這里所說的是關于浪涌保護相關的電路部分，包括元器件選擇和電路設計部分。剛開始接觸這一部分有不足大家可以批評指正。
2022-05-30 09:51:0810729 
了設計的復雜程度。SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環保型產品和系統。
2022-06-15 16:00:342401 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:142146 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102964 SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:161830 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
藍寶寶浪涌抑制器，英文簡稱BPSS，亦稱為藍寶寶TVS瞬態抑制二極管，快速的響應時間、超強的浪涌吸收能力和抑制電壓
能力，一般并接在電路中，解決浪涌問題的同時，對靜電又起到了超強的保護作用。可別
2023-02-16 15:02:250 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
)，基本上沒有問題。然而，直通電流畢竟是降低系統整體效率的直接因素，肯定不是希望出現的狀態，因此就有必要增加用來來抑制浪涌電壓的電路，以更大程度地確保浪涌電壓不超過SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21514 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路
2023-04-13 12:20:022133 電路中的磁性元器件有哪些 電路中的磁性元器件包括： 1. 變壓器：用于改變電壓水平和電流大小。 2. 電感器：用于存儲磁能并抵消電流變化的效果。 3. 磁鎂鋁電解電容器：用于過濾直流電源，并協助電路的運作。 4. 磁性元器件還包括磁芯、磁環等。
2023-06-05 17:49:124302 防浪涌過壓保護器件之一——TVS瞬態電壓抑制器有很多種類，如汽車電子浪涌抑制器ASS、藍寶寶浪涌抑制器BPSS、工業級TVS瞬態抑制二極管、ESD靜電保護器件等等。對于從事汽車電子行業的工程師來說
2022-09-09 17:25:051412 
影響連接到同一電網的其他設備的運行。浪涌會觸發或損壞元器件，如斷路器、保險絲、電容或橋式整流器。為了保證電氣裝置的安全性和功率轉換器的可靠性，必要限制此浪涌電流。ST
2023-01-13 10:35:452928 
SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54581 電流，以保護電路不被破壞。 浪涌電流的概念 要了解浪涌電流的消除和抑制方法，首先需要了解浪涌電流的原理。浪涌電流是指電路中的瞬態電流或瞬變電流，往往產生于電路中斷或開關的切換過程中。例如，在變壓器的一次側斷開電
2023-09-02 10:20:593581 抑制浪涌電流的措施有哪些？ 在電路工程中，由于電流的急劇變化，會引起一個短時間內電壓突然增加的現象，這就是浪涌電流。這種電流會對電路設備和設施產生損害，因此需要采取措施來抑制浪涌電流。接下來，我們將
2023-09-04 17:39:406529 抑制浪涌電流是什么意思？ 抑制浪涌電流是指在電路中采取一定的電路設計或安裝相應的保護電路來防止電路中突然出現的浪涌電流損壞電器設備或電子元器件的現象。 浪涌電流是一種異常的電流，出現在電路中，其幅度
2023-09-04 17:39:421492 如何消除或抑制浪涌電流？抑制浪涌電流的方法有哪些？ 浪涌電流是指電流在電路中突然變化，導致電壓急劇變化。這種電流會破壞電子設備并對設備產生不可逆的影響。因此，消除浪涌電流和抑制浪涌電流的方法是非
2023-09-04 17:48:1112910 今天給大家分享的是： 如何抑制電源轉換器中浪涌電壓？ 一、什么是浪涌電流？ 浪涌電流 是 電路打開吸收的最大電流，出現在輸入波形的幾個周期內。 浪涌電流的值遠高于電路的穩態電流，高電流可能會損壞設備
2024-01-09 08:36:0612206 
如何抑制電源轉換器中的浪涌電壓？ 電源轉換器是電子設備中常見的組件，其主要功能是將電源輸入轉換成穩定的輸出電壓和電流。然而，在電源轉換過程中，常常會產生浪涌電壓，這可能對電子設備及其周圍的電路產生
2024-02-04 09:17:002052 碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應用中具有優勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的絕緣擊穿場強大約是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。
2024-10-16 11:36:311248 
元器件在電路設計中的重要性是不言而喻的，它們構成了電路的基本單元，并決定了電路的功能、性能以及可靠性。以下從幾個方面詳細闡述元器件在電路設計中的重要性： 實現電路功能 ： 元器件是電路功能實現
2024-10-29 16:17:341529 SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術，其相較于傳統的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優勢日益顯現。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402037 
SES2025.03.24論濾波元件與電路設計的關系濾波技術在各類電路設計中占據著越來越重要的地位。無論是在信號處理、噪聲抑制還是功率管理方面，濾波元件都起到了關鍵作用！然而，濾波元件的選型
2025-03-20 08:07:51617 
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