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銅價(jià)高企時(shí)代的電力電子重構(gòu)：基本半導(dǎo)體SiC MOSFET功率模塊提頻應(yīng)用與整機(jī)成本優(yōu)化深度研究報(bào)告

銅價(jià)高企時(shí)代的電力電子重構(gòu)：基本半導(dǎo)體SiC MOSFET功率模塊提頻應(yīng)用與整機(jī)成本優(yōu)化深度研究報(bào)告，唯有提頻，方能破局；唯有SiC，方能提頻對于光...

2025-11-22 標(biāo)簽：電力電子 SiC MOSFET 1.2k 0

碳化硅SiC MOSFET并聯(lián)的技術(shù)瓶頸與系統(tǒng)性克服策略

碳化硅SiC MOSFET并聯(lián)的技術(shù)瓶頸與系統(tǒng)性克服策略：基于基本半導(dǎo)體產(chǎn)品力的深度解析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...

2025-11-17 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 1.4k 0

為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施

為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施：結(jié)合基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)器件的深度分析傾佳電子（Ch...

2025-11-17 標(biāo)簽：串?dāng)_SiC MOSFET 1.5k 0

傾佳電子深度解析SiC MOSFET負(fù)壓關(guān)斷的串?dāng)_抑制機(jī)理與-5V工作電壓的技術(shù)意義——暨主流廠商關(guān)斷策略橫向?qū)Ρ?傾佳電子（Changer Tech）...

2025-11-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 基本半導(dǎo)體 377 0

傾佳電子基于SiC MOSFET 的 3kW 高頻 (100kHz) CCM 圖騰柱 PFC 設(shè)計(jì)、分析與效率建模

傾佳電子基于SiC MOSFET 的 3kW 高頻 (100kHz) CCM 圖騰柱 PFC 設(shè)計(jì)、分析與效率建模傾佳電子（Changer Tech）...

2025-11-09 標(biāo)簽：PFC CCM SiC MOSFET 2.7k 0

傾佳電子針對高性能戶用儲能系統(tǒng)的B3M025065L SiC MOSFET深度應(yīng)用價(jià)值分析報(bào)告

傾佳電子針對高性能戶用儲能系統(tǒng)的B3M025065L SiC MOSFET深度應(yīng)用價(jià)值分析報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)...

2025-11-03 標(biāo)簽：儲能 SiC MOSFET 287 0

傾佳電子基于并聯(lián)1400V SiC MOSFET的高功率交錯(cuò)并聯(lián)三相四線制工商業(yè)儲能PCS設(shè)計(jì)與分析

傾佳電子基于并聯(lián)1400V SiC MOSFET的高功率交錯(cuò)并聯(lián)三相四線制工商業(yè)儲能變流器PCS設(shè)計(jì)與分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專...

2025-11-03 標(biāo)簽：PCS SiC MOSFET 471 0

傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張

傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)...

2025-11-02 標(biāo)簽：變頻器 IGBT SiC MOSFET 1.5k 0

“光儲充”一體化電站的核心引擎：B3M010140Y SiC MOSFET的應(yīng)用價(jià)值深度剖析

“光儲充”一體化電站的核心引擎：傾佳電子（Changer Tech）代理并力推基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET器件及B3M010140Y SiC MOSFE...

2025-10-28 標(biāo)簽：電站一體化 SiC MOSFET 506 0

基本半導(dǎo)體650V與750V SiC MOSFET深度分析：產(chǎn)品實(shí)力、應(yīng)用價(jià)值與競爭定位

傾佳電子代理并力推的基本半導(dǎo)體650V與750V SiC MOSFET深度分析：產(chǎn)品實(shí)力、應(yīng)用價(jià)值與競爭定位傾佳電子（Changer Tech）是一家...

2025-10-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體定位 SiC MOSFET 4.3k 0

固態(tài)繼任：傾佳電子SiC MOSFET為何是現(xiàn)代電力系統(tǒng)中機(jī)械繼電器的理想替代品的分析報(bào)告

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2025-10-19 標(biāo)簽：繼電器電力系統(tǒng)SiC 555 0

傾佳電子單相戶用儲能逆變器中Heric拓?fù)涞木C合分析及其SiC MOSFET應(yīng)用價(jià)值

傾佳電子單相戶用儲能逆變器中Heric拓?fù)涞木C合分析及其SiC MOSFET應(yīng)用價(jià)值傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-10-15 標(biāo)簽：SiC MOSFET 儲能逆變器 1.3k 0

傾佳電子并聯(lián)B3M013C120Z SiC MOSFET逆變器在有源電力濾波器APF中的應(yīng)用分析

傾佳電子并聯(lián)B3M013C120Z SiC MOSFET逆變器在有源電力濾波器APF中的應(yīng)用分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半...

2025-10-11 標(biāo)簽：逆變器 APF SiC MOSFET 2.4k 0

傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子...

2025-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC MOSFET 1.4k 0

傾佳電子技術(shù)報(bào)告：大功率礦機(jī)算力電源的拓?fù)浼軜?gòu)、SiC MOSFET應(yīng)用及其發(fā)展趨勢

傾佳電子技術(shù)報(bào)告：大功率礦機(jī)算力電源的拓?fù)浼軜?gòu)、SiC MOSFET應(yīng)用及其發(fā)展趨勢傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-09-28 標(biāo)簽：電源 SiC MOSFET 算力 823 0

傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹⑵骷x型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告

傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹⑵骷x型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告 I. 緒論：高壓電力電子系統(tǒng)對輔助電源的嚴(yán)苛要求傾佳電子（C...

2025-10-14 標(biāo)簽：電力電子電源拓?fù)?/a>SiC MOSFET 627 0

傾佳電子寬禁帶時(shí)代下的效率優(yōu)化：SiC MOSFET橋式拓?fù)渲型秸骷夹g(shù)的必然性與精確定量分析

傾佳電子寬禁帶時(shí)代下的效率優(yōu)化：SiC MOSFET橋式拓?fù)渲型秸骷夹g(shù)的必然性與精確定量分析 ? ? ? ? 傾佳電子（Changer Tech）是...

2025-10-14 標(biāo)簽：同步整流 SiC MOSFET 1k 0

數(shù)明半導(dǎo)體發(fā)布高UVLO系列隔離門極驅(qū)動器：SiLM8260Ax/ SiLM5350x/ SiLM825x，提升系統(tǒng)長期可靠性

SiC MOSFET 功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車和能源行業(yè)，如變頻器、光伏逆變器、車載充電器、牽引逆變器等。為實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率，SiC MOSFE...

2025-09-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC MOSFET 門極驅(qū)動器 4.3萬 0

傾佳電子Home Battery Storage家儲系統(tǒng)拓?fù)浞桨冈O(shè)計(jì)與分析報(bào)告

傾佳電子Home Battery Storage家儲系統(tǒng)拓?fù)浞桨冈O(shè)計(jì)與分析報(bào)告 ? 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽...

2025-09-21 標(biāo)簽：功率器件儲能系統(tǒng)SiC MOSFET 798 0

BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計(jì)指南傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...

2025-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC BASIC 1.3k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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