SiC MOSFET 功率器件廣泛應用于工業、汽車和能源行業，如變頻器、光伏逆變器、車載充電器、牽引逆變器等。為實現最佳功率轉換效率，SiC MOSFET 通常采用 15V - 18V 的較高正驅動電壓，甚至需要 20V 以獲取最小導通電阻、降低通態損耗。同時，因其開關速度快，關斷時一般需 -2V 到 -5V 的負壓驅動，以防止關斷時 dV/dt 引起誤導通。

對于大部分無單獨 COM 腳的驅動芯片，其 UVLO 通常參考芯片的 VEE/GND 腳。如圖 1，VCC 電壓為 18V，VEE電壓設為 -5V，若驅動器 UVLO 為 12.5V，當 VCC電壓降至 12.5V - 5V = 7.5V 時，驅動器就會開始工作。驅動電壓不足時，SiC MOSFET 導通電阻會急劇增大，導致功耗增加，系統短時間內迅速過熱，這對 SiC MOSFET 的長期可靠性和系統安全極為不利。

圖 1. 采用正、負電源驅動的門極驅動電路

數明半導體最新推出高 UVLO 系列隔離驅動芯片，涵蓋單通道隔離驅動 SiLM5350x 系列以及帶米勒嵌位的雙通道隔離驅動 SiLM8260Ax 系列。這兩個系列均具備高 UVLO 特性，支持多重 UVLO 閾值靈活選配，可成功解決這一應用難題。在實際運行過程中，當供電電壓達到足夠高的水平時，驅動芯片會精準輸出驅動信號，對 SiC MOSFET 進行可靠控制，確保其穩定運行于低導通電阻工況，從而有效降低功率損耗；而當供電電壓低于所選 UVLO 閾值時，SiC MOSFET 會進入關斷狀態，避免因電壓異常波動導致器件損壞。采用具備多重 UVLO 閾值可選功能的驅動芯片，可切實解決 SiC MOSFET 在開機和關機階段驅動電壓不足的問題，顯著提升系統的長期運行可靠性。這一優勢使得該系列產品在新能源、工業控制等對電源穩定性要求嚴苛的領域擁有極為可觀的應用發展空間和市場前景。

產 品 特 性

01

大電流驅動能力：

具備 10A 源電流和灌電流能力，能輕松直接驅動大功率 IGBT、SiC 功率器件，確保系統在高負載條件下穩定運行，提升效率、減小功耗。

02

集成米勒鉗位功能

有效抑制門極驅動因對管開關產生的電壓尖峰，顯著減少上、下管直通風險。同時，防止功率器件在高 dV/dt 應用環境中誤導通，提升系統穩定性和可靠性。

03

寬輸入電壓范圍

輸入電壓 3.5V 到 18V，適應不同電源環境應用需求，為系統提供更靈活的電源選擇。

04

高輸出電壓支持

最高支持輸出電壓達 30V，滿足高功率器件驅動需求，確保系統高效運行。

05

高 UVLO 選項

提供多種 UVLO（欠壓鎖定）選項，包括 18.9V、17.7V、16.5V、15.3V、12.5V、8.5V、5.5V 和 3.5V，可根據應用需求靈活選擇，確保功率器件安全運行。

06

輸入管腳負電壓耐受能力

輸入管腳能耐負 5V 電壓，增強驅動器抗干擾能力，使其在復雜電磁環境中穩定工作。

07

卓越的 CMTI 性能

具有超高抗共模瞬態抑制能力，典型 CMTI（共模瞬態免疫）高達 200kV/μs，在高干擾環境下仍能保持出色信號完整性，確保系統穩定運行，支持 SiC 功率器件快速開、關切換的應用場景。

此外，數明半導體也同時推出了另一款極具競爭力的高 UVLO 雙通道隔離門極驅動產品 SiLM825x 系列，該系列產品在電源穩定性保障方面表現卓越，提供 18V 和 15V 兩種高 UVLO 選項，能夠精準適配不同應用場景下對驅動電壓閾值的嚴苛要求，有效避免因電源電壓波動導致的器件誤觸發或工作異常，為系統的穩定運行提供堅實可靠的保障。

應 用 領 域

充電樁與充電模塊

提升充電效能與安全保障

儲能變流器

適應復雜環境，增強系統可靠性

光伏逆變器

優化發電效能，保障電站長效運行

服務器電源與工業電源

增強電源性能，降低維護成本

產 品 選 型