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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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一直以來(lái),東芝半導(dǎo)體在電力能源技術(shù)領(lǐng)域不斷深耕,響應(yīng)市場(chǎng)需求,推陳出新。尤其在今年,攜手基本半導(dǎo)體,在PCIM Asia 2025(上海國(guó)際電力元件、可...
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的概述、作用及應(yīng)用場(chǎng)景和行業(yè)趨勢(shì)
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能器件性能的專業(yè)設(shè)備,其核心功能和技術(shù)特點(diǎn)如下: 一、核心功能 ?參數(shù)測(cè)試? 靜態(tài)參數(shù):擊...
真茂佳半導(dǎo)體亮相elexcon 2025深圳國(guó)際電子展
8月28日,為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會(huì)展中心(福田)圓滿落幕,作為電子行業(yè)的年度大展,elexcon匯聚了全球400+...
傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因
傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)深度研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...
中航光電推出柔性直流換流閥用高壓大電流IGBT壓接件產(chǎn)品
隨著國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略加速推進(jìn),新型電力系統(tǒng)建設(shè)已進(jìn)入關(guān)鍵階段。在此背景下,沙漠、戈壁、荒漠地區(qū)大規(guī)模高比例清潔能源的跨區(qū)消納、海上風(fēng)電柔性直流送出以及區(qū)...
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...
IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差,引發(fā)鍵合線與芯片連接部位應(yīng)力集中,鍵合脆斷
一、引言 在 IGBT 模塊散熱系統(tǒng)中,封裝底部與散熱器的貼合狀態(tài)直接影響熱傳導(dǎo)效率。研究發(fā)現(xiàn),貼合面平整度差不僅導(dǎo)致散熱性能下降,還會(huì)通過(guò)力學(xué)傳遞路徑...
IGBT 芯片平整度差,引發(fā)鍵合線與芯片連接部位應(yīng)力集中,鍵合失效
一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中,鍵合線失效是導(dǎo)致器件性能退化的重要因素。研究發(fā)現(xiàn),芯片表面平整度與鍵合線連接可靠性存在緊密關(guān)聯(lián)。當(dāng)芯片表面平...
IGBT 模塊接觸熱阻增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性
一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素,受到諸多...
傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析
傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連...
2025年8月26-28日,深圳國(guó)際電子展(ELEXCON 2025) 在深圳會(huì)展中心(福田)盛大舉行。本屆展會(huì)以 “All for AI, All f...
日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“東芝電子元件”)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過(guò)將雙方擁...
電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略
電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服...
宏微科技亮相2025全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)
2025年8月27至28日,第五屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海松江成功舉辦。作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),宏微科技受邀參會(huì),并集中展示了其...
IGBT 芯片表面平整度差會(huì)使芯片與散熱器之間的接觸面積減小、接觸熱阻增大
在 IGBT 器件的熱管理系統(tǒng)中,芯片表面平整度是影響散熱效率的關(guān)鍵參數(shù)。當(dāng) IGBT 芯片表面存在平整度差時(shí),會(huì)直接導(dǎo)致芯片與散熱器之間的實(shí)際接觸面積...
IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差會(huì)使 IGBT 芯片受到不均勻的機(jī)械應(yīng)力
IGBT 作為功率半導(dǎo)體器件,其封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械可靠性對(duì)器件性能至關(guān)重要。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面的平整度是影響封裝機(jī)械應(yīng)力分布的關(guān)鍵因素,當(dāng)貼合...
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM22xx系列半橋門極驅(qū)動(dòng)器
數(shù)明半導(dǎo)體即將推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半橋門極驅(qū)動(dòng)換新系列產(chǎn)品。
IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件,其可靠性至關(guān)重要。IGBT 在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,需通過(guò)散熱器有效散熱,以維持正常工作溫度...
IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性
一、引言 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一...
62mm SiC MOSFET功率模塊:電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的深度分析報(bào)告
62mm封裝作為高功率工業(yè)應(yīng)用中的一個(gè)長(zhǎng)期標(biāo)準(zhǔn),其歷史淵源深植于IGBT技術(shù)。這一通用且堅(jiān)固的封裝平臺(tái),長(zhǎng)期以來(lái)一直是工業(yè)變流器、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和輔助...
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