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基于GaN單晶N極性HEMT器件

這是NEDO關于“加強后5G信息通信系統基礎設施研究開發項目”的成果。2020年6月，NEDO發布了該決定，并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

2022-11-23 標簽：GaN 毫米波 HEMT 3.1k 0

GaN HEMT開關過程中振蕩機制與驅動設計考量

增強型GaN HEMT具有開關速度快、導通電阻低、功率密度高等特點，正廣泛應用于高頻、高效率的電源轉換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（...

2025-08-08 標簽：驅動器 GaN HEMT 3k 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 2.2k 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數，即短路耐受時間 (SCWT)。

2024-05-09 標簽：功率器件 GaN HEMT 2.2k 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標簽：微波 GaN HEMT 2.2k 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進展

近期，美國南卡羅來納大學報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導體異質結場效應晶...

2023-05-25 標簽：半導體充電器晶體管 1.9k 0

用于高分辨率激光雷達的氮化鎵HEMT電路拓撲結構

激光雷達（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發射光掃過真實世界的場景，可以收集三維信息以供計算機系統...

2023-05-06 標簽：拓撲結構氮化鎵激光雷達 1.6k 0

高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關速度，因此準確的測...

2025-02-27 標簽：測量 GaN HEMT 1.2k 0

GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數據手冊

GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產品屬于EcoGaN?系列，該系列產品通過更大程度地激發低導通電阻和高速開關性能，助力...

2025-03-07 標簽：GaN HEMT DFN封裝 1.1k 0

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 1k 0

微波GaN HEMT 技術面臨的挑戰

報告內容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結構的生長 GaN HEMT 技術面臨的挑戰

2023-12-14 標簽：微波 GaN HEMT 1k 0

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導體經過多年發展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標簽：半導體功率器件氮化鎵 1k 0

HMC772LC4低噪聲放大器技術手冊

HMC772LC4 是一款 GaAs MMIC HEMT 低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為 2 至 12 GHz。該放大器提供 15 dB 增益、高達 ...

2025-03-21 標簽：放大器 GaAs HEMT 993 0

GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數據手冊

GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品的低導通電阻和高速開關的特性，有助...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 964 0

BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

本產品是面向工業設備市場的優質產品，是適用于這些應用場景的最佳產品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最優解決方案。...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 903 0

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是工業設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 897 0

BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

本產品是面向工業設備市場的優質產品，是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 890 0

BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaN HEMT和S...

2025-03-09 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 846 0

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 831 0

硅基氮化鎵是什么

硅上氮化鎵具有廣泛的未來應用，擴展了當前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術可幫助設計人員提高工作電壓，并將頻率響應從Ka波段推入E波段、...

2023-02-12 標簽：頻率響應 HEMT 硅基氮化鎵 816 0

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數的線性組合的形式，而正弦函數在物理上是被充分研究而相對簡單的函數類，這一想法跟化學上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個孔，可以配合樂高的軸。當連結到RCX上時，軸每轉過1/16圈，角度傳感器就會計數一次。
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