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hemt技術(shù)

STDRIVEG60015演示板技術(shù)解析：650V E模式GaN半橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)指南

STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評(píng)估STDRIVEG600高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。STDRIVEG600經(jīng)...

2025-10-24 標(biāo)簽：半橋演示板 HEMT 540 0

GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子...

2025-09-02 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 GaN 4.7k 0

三種功率器件的區(qū)別解析

600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...

2025-08-16 標(biāo)簽：封裝功率器件 SiC 3.9k 0

GaN HEMT開(kāi)關(guān)過(guò)程中振蕩機(jī)制與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)考量

增強(qiáng)型GaN HEMT具有開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點(diǎn)，正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（...

2025-08-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 GaN HEMT 3k 0

HMC772LC4低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè)

HMC772LC4 是一款 GaAs MMIC HEMT 低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為 2 至 12 GHz。該放大器提供 15 dB 增益、高達(dá) ...

2025-03-21 標(biāo)簽：放大器 GaAs HEMT 988 0

BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaNHEMT和Si...

2025-03-09 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 778 0

BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和S...

2025-03-09 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 844 0

BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是適用于這些應(yīng)用場(chǎng)景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...

2025-03-09 標(biāo)簽：IC GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè) 897 0

BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將...

2025-03-09 標(biāo)簽：IC GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè) 888 0

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)...

2025-03-09 標(biāo)簽：IC GaN 數(shù)據(jù)手冊(cè) 888 0

hemt帖子

GaN HEMT可靠性測(cè)試：為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)

標(biāo)簽：GaN HEMT 4471 0

基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

標(biāo)簽：HEMT 3121 1

hemt資料下載

CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書(shū)立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 HEMT 920 0

QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊(cè)立即下載

類別：IC datasheet pdf 2024-07-31 標(biāo)簽：GaN HEMT 330 0

ATF-541M4低噪聲增強(qiáng)模式偽HEMT微型無(wú)引線封裝產(chǎn)品簡(jiǎn)介立即下載

類別：電子資料 2023-07-20 標(biāo)簽：封裝 LNA HEMT 534 0

TP65H035G4WS場(chǎng)效應(yīng)管英文手冊(cè)立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-03-31 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 HEMT 1.3k 0

FHX76LP低噪聲高電子遷移率晶體管的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-14 標(biāo)簽：封裝 DBS HEMT 1.6k 0

RFPP2870混合推挽放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 GaAs HEMT 879 0

QPD2731非對(duì)稱Doherty功率放大器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-07-31 標(biāo)簽：放大器 Doherty HEMT 1.1k 0

不同的微波從柵極注入HEMT的影響立即下載

類別：射頻無(wú)線論文 2017-11-06 標(biāo)簽：微波 HEMT 1.1k 0

使用ADS系統(tǒng)設(shè)計(jì)35GHz HEMT壓控振蕩器立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2010-05-17 標(biāo)簽：ADS HEMT 1.1k 0

hemt資訊

星鏈調(diào)軌背后的航天半導(dǎo)體安全考量

據(jù)參考消息網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)太空探索技術(shù)公司計(jì)劃未來(lái)數(shù)月內(nèi)將4400顆“星鏈”衛(wèi)星軌道高度從550公里降至約480公里。目前已有9000余顆“星鏈”衛(wèi)星在軌運(yùn)...

2026-01-09 標(biāo)簽：MOSFET 可控硅 IGBT 2.4k 0

增強(qiáng)AlN/GaN HEMT

一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖俄亥俄州立大學(xué)的工...

2025-06-12 標(biāo)簽：GaN HEMT AlN 1k 0

GaN HEMT在POE交換機(jī)中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下，POE（以太網(wǎng)供電）交換機(jī)作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)功能的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、5G 基...

2025-03-03 標(biāo)簽：交換機(jī)PoE GaN 1.3k 0

羅姆EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器...

2025-02-26 標(biāo)簽：GaN HEMT 羅姆 1.2k 0

650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

~同時(shí)加快車(chē)載GaN器件的開(kāi)發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的...

2025-02-13 標(biāo)簽：封裝 GaN HEMT 917 0

HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊(cè)和產(chǎn)品介紹具有集成 GaN HEMT 的高頻準(zhǔn)諧振反激式穩(wěn)壓器

HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器，專用于高性能和高頻設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同，HFG610-...

2025-01-09 標(biāo)簽：GaN 諧振 HEMT 1.8k 0

搶先領(lǐng)取！高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書(shū)推薦

高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗(yàn)證的白皮書(shū)共33頁(yè)，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...

2024-12-18 標(biāo)簽：高壓晶體管白皮書(shū) 957 0

GaN HEMT正加速成為儲(chǔ)能市場(chǎng)主流

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）作為新一代的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標(biāo)簽：GaN 儲(chǔ)能 HEMT 5.2k 0

使用GaN HEMT設(shè)備最大化OBCs的功率密度

隨著電動(dòng)汽車(chē)（EVs）的銷(xiāo)售量增長(zhǎng)，整車(chē)OBC（車(chē)載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車(chē)輛續(xù)航里程。因此...

2023-12-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)GaN HEMT 2k 0

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 2.1k 0

hemt數(shù)據(jù)手冊(cè)

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加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車(chē)司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書(shū)館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說(shuō)話人識(shí)別，包括說(shuō)話人辨認(rèn)和說(shuō)話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開(kāi)單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
緩沖電路

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識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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VCM

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