BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaNHEMT和Si驅(qū)動(dòng)器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度。另外，其柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可調(diào)節(jié)，這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護(hù)功能和其他附加功能，可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設(shè)計(jì)旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關(guān)。
*附件：BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊.pdf
主要規(guī)格
型號 | BM3G007MUV-LBE2
封裝 | VQFN046V8080
包裝形態(tài) | Taping
包裝數(shù)量 | 1000
最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成輸出可選的 5V 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）
- 面向工業(yè)應(yīng)用的長期支持產(chǎn)品
- VDD 引腳電壓寬工作范圍
- IN 引腳電壓寬工作范圍
- 低 VDD 靜態(tài)和工作電流
- 低傳播延遲
- 高抗 dv/dt 能力
- 可調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
- 電源正常信號輸出
- VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
- 熱關(guān)斷保護(hù)
應(yīng)用
典型應(yīng)用電路
引腳配置
引腳描述
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