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Everspin EMD4E001G-1Gb自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM內(nèi)存芯片
作為自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM技術(shù)的先行者,Everspin推出的EMD4E001G芯片將MRAM容量提升至1Gb密度,為企業(yè)級SSD、計算存儲及網(wǎng)絡(luò)加速器提...
在存儲技術(shù)快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機存取存儲器)以其獨特的性能,逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來存儲數(shù)...
在嵌入式存儲應(yīng)用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機存儲器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制...
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),...
隨著低功耗傳感器技術(shù)的進步,設(shè)備僅需極小電量就可高效地傳輸數(shù)據(jù)。作為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一個類別,智能表計在全球各地均有廣泛地應(yīng)用。特別是疫情期間,其遠程抄...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的及其特點
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的? Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
一種應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A
Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機存取存儲器標準JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計易于實現(xiàn),無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...
2020-05-29 標簽:存儲器醫(yī)療設(shè)備呼吸機 1.4k 0
?醫(yī)用呼吸機Everspin MRAM應(yīng)用筆記
由于當(dāng)前疫情的大流行,增加醫(yī)用呼吸機的供應(yīng)迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨特的MRAM存儲技術(shù),它將為這類設(shè)備的電子系統(tǒng)...
2020-05-28 標簽:醫(yī)療器械醫(yī)療設(shè)備呼吸機 1.4k 0
太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚,并基于Everspi...
2020-05-14 標簽:航天應(yīng)用MRAM太空技術(shù) 1.3k 0
醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM存儲器
Everspin擁有包括40nm,28nm及更高技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。E...
2020-04-30 標簽:接口醫(yī)療設(shè)備everspin 937 0
MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝已獲Everspin批準生產(chǎn)
everspin在此生產(chǎn)基于180nm,130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國,臺灣和其他亞洲國家。在平面內(nèi)和垂直磁...
2020-04-15 標簽:everspin 4k 0
Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一...
Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存儲器設(shè)計,MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申...
新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實現(xiàn)低功耗
在新型 RAM 技術(shù)中,MRAM對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計算設(shè)備具有特別有吸引力。因為它能實現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗,同時...
用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM
Everspin在磁存儲器設(shè)計,制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...
MRAM技術(shù)是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎(chǔ),MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由...
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