Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替換SPI-FRAM之前，有幾個參數需要進行一些系統級分析，包括輸出負載，啟動時間以及加電和斷電斜坡。

比較的可靠性考慮

CY15B104QN FRAM架構采用鐵電材料作為存儲設備。這些材料的固有電偶極子在外部電場的作用下轉換為相反的極性。FRAM中的讀取操作具有破壞性，因為它需要切換極化狀態才能感知其狀態。在初始讀取之后，讀取操作必須將極化恢復到其原始狀態，這會增加讀取操作的周期時間。FRAM的讀和寫周期需要一個初始的“預充電”時間，這可能會增加初始訪問時間。超過85°C的環境工作溫度會加速FRAM的磨損，因為會積聚自由電荷，從而導致烙印。

Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MR2xH40xDF MRAM使用更簡單的1晶體管1磁性隧道結單元構建。簡單的Everspin MRAM單元可提高制造效率并提高可靠性。MRAM使用磁性隧道結技術進行非易失性存儲。在高溫下，數據不會泄漏出去，并且沒有磨損機制可以限制該技術中的讀取，寫入或電源循環次數。觸發MRAM可靠性的另一個重要方面是針對熱感應磁化翻轉產生的錯誤保留數據。進行了加速烘烤測試，其中在烘烤之前將棋盤格圖案寫入零件，然后再讀取數據。在150°C下的2000h至260°C下的2h的條件下烘烤了三批中的1500個代表性4-Mb零件，并且所有零件的數據保留翻轉均為零。外推回工作溫度表明數據保留壽命超過20年。由于磁性材料固有的堅固耐用性，MRAM還具有抗輻射性能.4-Mb模具的α粒子和中子輻照顯示錯誤率小于0.5FIT/Mb。

MRAM磁公差

Everspin Technologies的SPI MRAM在磁場環境中操作時，對數據損壞的敏感性較低，因此可幫助工程師設計高抗磁性能的可靠系統。在寫，讀和待機操作期間，可施加到SPI MRAM的最大外部磁場為12000A/m（150高斯）。Everspin Technologies提供有關在這種情況下如何操作MRAM的特定指南。