作為自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM技術(shù)的先行者，Everspin推出的EMD4E001G芯片將MRAM容量提升至1Gb密度，為企業(yè)級SSD、計算存儲及網(wǎng)絡(luò)加速器提供了全新的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)選擇。

MRAM內(nèi)存芯片EMD4E001G基于自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM技術(shù)打造，屬于ST-DDR4接口的非易失性隨機存取存儲器系列。MRAM內(nèi)存芯片內(nèi)部采用16個存儲體的創(chuàng)新架構(gòu)設(shè)計，通過8n預(yù)取架構(gòu)實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。在I/O引腳上，每個時鐘周期可完成兩個數(shù)據(jù)字的傳輸，這種設(shè)計使得667MHz速度選項下，每引腳傳輸速率可達(dá)1333MT/s，滿足企業(yè)應(yīng)用對吞吐性能的嚴(yán)苛需求。

MRAM內(nèi)存芯片優(yōu)勢
1、數(shù)據(jù)持久性保障：與傳統(tǒng)DRAM不同，MRAM技術(shù)無需定期刷新操作即可保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定。MRAM內(nèi)存芯片EMD4E001G支持可選的刷新命令，允許從行地址緩沖區(qū)向永久存儲陣列移動數(shù)據(jù)，在系統(tǒng)斷電瞬間保護關(guān)鍵數(shù)據(jù)不丟失。

2、接口兼容性：MRAM內(nèi)存芯片采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的BGA封裝方案，兼容ST-DDR4接口協(xié)議，使存儲OEM廠商能夠快速將MRAM集成到現(xiàn)有存儲、計算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用設(shè)計中，降低開發(fā)門檻。

3、MRAM內(nèi)存芯片I/O流管理優(yōu)化：更高密度的1Gb顆粒有助于實現(xiàn)更高效的I/O流調(diào)度機制。在固態(tài)硬盤中作為持久數(shù)據(jù)緩沖區(qū)使用時，能夠創(chuàng)建更高級別的延遲確定性，幫助存儲設(shè)備提升整體服務(wù)質(zhì)量(QoS)。

MRAM內(nèi)存芯片EMD4E001G的非易失特性允許系統(tǒng)在斷電后快速恢復(fù)工作狀態(tài)，而無需經(jīng)歷漫長的數(shù)據(jù)加載過程。對于需要頻繁處理I/O請求的企業(yè)級存儲系統(tǒng)而言，這種MRAM解決方案有助于減少數(shù)據(jù)在DRAM與NAND閃存之間的遷移次數(shù)，從系統(tǒng)層面優(yōu)化整體能效比。英尚微代理Everspin、netsol多種高性能marm內(nèi)存芯片，如需了解更多，搜索英尚微電子網(wǎng)頁。

審核編輯 黃宇