作為自旋轉移扭矩MRAM技術的先行者，Everspin推出的EMD4E001G芯片將MRAM容量提升至1Gb密度，為企業級SSD、計算存儲及網絡加速器提供了全新的數據緩沖區選擇。

MRAM內存芯片EMD4E001G基于自旋轉移扭矩MRAM技術打造，屬于ST-DDR4接口的非易失性隨機存取存儲器系列。MRAM內存芯片內部采用16個存儲體的創新架構設計，通過8n預取架構實現高速數據傳輸。在I/O引腳上，每個時鐘周期可完成兩個數據字的傳輸，這種設計使得667MHz速度選項下，每引腳傳輸速率可達1333MT/s，滿足企業應用對吞吐性能的嚴苛需求。

MRAM內存芯片優勢
1、數據持久性保障：與傳統DRAM不同，MRAM技術無需定期刷新操作即可保持數據穩定。MRAM內存芯片EMD4E001G支持可選的刷新命令，允許從行地址緩沖區向永久存儲陣列移動數據，在系統斷電瞬間保護關鍵數據不丟失。

2、接口兼容性：MRAM內存芯片采用JEDEC標準的BGA封裝方案，兼容ST-DDR4接口協議，使存儲OEM廠商能夠快速將MRAM集成到現有存儲、計算和網絡應用設計中，降低開發門檻。

3、MRAM內存芯片I/O流管理優化：更高密度的1Gb顆粒有助于實現更高效的I/O流調度機制。在固態硬盤中作為持久數據緩沖區使用時，能夠創建更高級別的延遲確定性，幫助存儲設備提升整體服務質量(QoS)。

MRAM內存芯片EMD4E001G的非易失特性允許系統在斷電后快速恢復工作狀態，而無需經歷漫長的數據加載過程。對于需要頻繁處理I/O請求的企業級存儲系統而言，這種MRAM解決方案有助于減少數據在DRAM與NAND閃存之間的遷移次數，從系統層面優化整體能效比。英尚微代理Everspin、netsol多種高性能marm內存芯片，如需了解更多，搜索英尚微電子網頁。

審核編輯 黃宇