Everspin MRAM內存技術是如何工作的？

Everspin MRAM與標準CMOS處理集成

Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道結（MTJ）器件用于存儲單元。

磁性隧道結存儲元件

磁性隧道結（MTJ）存儲元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成。當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質阻擋層。

當自由層的磁矩平行于固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。電阻隨設備磁性狀態的變化是一種被稱為磁阻的效應，因此被稱為“磁阻” RAM。

Everspin MRAM技術可靠

與大多數其他半導體存儲技術不同，數據存儲為磁性狀態而不是電荷，并通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態。使用磁性狀態進行存儲有兩個主要好處。首先，磁極化不會像電荷一樣隨時間流逝而消失，因此即使關閉電源，信息也會被存儲。其次，在兩種狀態之間切換磁極化不涉及電子或原子的實際運動，因此不存在已知的磨損機制。

Everspin MRAM特點

?消除備用電池和電容器

?非易失性工作存儲器

?實時數據收集和備份

?AEC-Q100合格選件

?停電時保留數據

?延長系統壽命和可靠性