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工藝/制造
電子發(fā)燒友網(wǎng)本欄目為工藝/制造專區(qū)，有豐富的工藝/制造應(yīng)用知識與工藝/制造資料，可供工藝/制造行業(yè)人群學(xué)習(xí)與交流。
淺談晶圓檢測整體流程及檢測目的
晶圓檢測是對芯片上的每一個晶顆粒體開展針測，在檢驗頭裝上金線制作而成細(xì)如毛發(fā)之探頭針（probe），與晶顆粒體上的觸點（pad）觸碰，檢測其電氣特性，不過關(guān)的晶顆粒體會被標(biāo)出來標(biāo)記...
GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)
尋找硅替代物的研究始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。...
全面描述SADP / SAQP流程的工作方式
作者： JAE UK LEE和IMEC RYOUNG-HAN KIM博士，DAVID ABERCROMBIE，REHAB KOTB ALI和MENTOR的AHMED HAMED-FATEHY 自對準(zhǔn)多圖案化工藝已成為最先進(jìn)節(jié)點的必要條件，在傳統(tǒng)節(jié)點上，無論使用何種光刻技術(shù)，傳統(tǒng)的光刻...
如何用一些不同的廉價材料來有效地替代導(dǎo)熱膏？
導(dǎo)熱膏是一種致密的復(fù)合材料，用于改善電子元件與散熱器之間的熱接觸（圖2）。在CPU上必須使用它，因為它們是效率很低的組件，并且會在未使用的熱量中耗散大量能量。...
深入了解SADP流程加快設(shè)計到流片的速度
無論芯片設(shè)計工程師有多認(rèn)真，以及他們使用什么實施工具，驗證團隊在分解自對準(zhǔn)雙圖案（SADP）設(shè)計的簽核驗證期間將始終遇到設(shè)計規(guī)則檢查（DRC）錯誤。如果設(shè)計是手動分解的，則工程師...
高性能/低功耗65納米 CMOS技術(shù)解析
富士通進(jìn)一步改進(jìn)制造工藝，為 ASIC 和 COT 客戶提供世界一流的 65 納米 CMOS 技術(shù)。這種極具競爭力的 65 納米技術(shù)具有最大化性能和最小化功耗的選項。因此，該技術(shù)既適合以性能為導(dǎo)向的應(yīng)用...
Rick Gottscho博士：下一代芯片在堆疊、微縮和檢驗方面的挑戰(zhàn)
泛林集團首席技術(shù)官Rick Gottscho博士接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering （SE）的專訪。...
2020-10-12 標(biāo)簽：存儲技術(shù)機器學(xué)習(xí)EUVMRAM55nm工藝 913
探討半導(dǎo)體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應(yīng)
原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng)，提供原子級控制。 泛林集團先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個話題的看法。 技術(shù)節(jié)點的每次進(jìn)步都要求對制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)...
2021-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體行業(yè)3d nand 9204
如何構(gòu)建CMP模型 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在CMP輪廓建模中的應(yīng)用
CMP 建模有很長的歷史，包括單材料和雙材料拋光的建模，以及眾多沉積和蝕刻工藝的建 模 ［6］。...
2021-01-30 標(biāo)簽：集成電路CMP機器學(xué)習(xí) 7301
FinFET的效用已趨于極限 淺談晶體管縮放的難題
作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道...
臺積電3nm將于2022年第二季進(jìn)入量產(chǎn) 成熟制程產(chǎn)能全線吃緊
全球晶圓代工龍頭臺積電2020年交出亮麗成績單，預(yù)期全年美元營收年成長率逾三成并創(chuàng)下歷史新高。2021年雖然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地緣政治及貿(mào)易戰(zhàn)等外在環(huán)境變數(shù)，但晶圓代工訂單強勁...
2021-01-05 標(biāo)簽：臺積電晶圓物聯(lián)網(wǎng)wifi63nm工藝 2397
基于臺積電5nm工藝的A14芯片成本不會低 單顆芯片成本將高達(dá)238美元
此前蘋果已經(jīng)發(fā)布了A14芯片，作為全球首顆采用臺積電5nm工藝的芯片，其集成118億個晶體管，在性能和能效上相比A13都有一定提升。但A14芯片采用臺積電5nm工藝，所付出的代價也是相當(dāng)高的！...
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下...
2020-10-10 標(biāo)簽：IC設(shè)計安森美半導(dǎo)體寬禁帶 4094
泛林集團推出先進(jìn)介電質(zhì)填隙技術(shù)，推動下一代器件的發(fā)展
泛林集團 （Nasdaq:LRCX） 宣布推出一款全新的工藝方案——先進(jìn)的Striker? FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構(gòu)。S...
2020-09-23 標(biāo)簽：器件半導(dǎo)體制造晶圓制造邏輯存儲器 965
數(shù)控車床一級保養(yǎng)內(nèi)容與要求
拆下小精板絲杠、螺母、鑲條清洗。③拆下中滑板絲杠、螺母、鑲條清洗。④拆下床鞍防塵油毛氈清洗，然后加油和復(fù)裝。⑤中滑板絲杠、螺母、鑲條、導(dǎo)軌加油后，復(fù)裝、調(diào)整鑲條間隙和絲杠...
高精度超薄結(jié)構(gòu)化玻璃晶圓升級量產(chǎn)，公差低于20微米
肖特FLEXINITY?玻璃晶圓開創(chuàng)性的結(jié)構(gòu)具有無可匹敵的精度，這對在高技術(shù)應(yīng)用中的精確定位和結(jié)構(gòu)對齊至關(guān)重要。低于20微米（± 10微米）的緊密公差確保組件之間的完美對齊并實現(xiàn)高精度系統(tǒng)。...
科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴大SiC產(chǎn)能
科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。...
2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造碳化硅sic器件 1271
淺談半導(dǎo)體工藝的頭道工序——單晶體拉胚的單晶爐
單晶爐，全自動直拉單晶生長爐，是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。...
2020-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備單晶爐 11014
如何識別和防止7nm工藝失效
器件的良率在很大程度上依賴于適當(dāng)?shù)墓に囈?guī)格設(shè)定和對制造環(huán)節(jié)的誤差控制，在單元尺寸更小的先進(jìn)節(jié)點上就更是如此。...
英特爾在2020年架構(gòu)日上揭秘Willow Cove微架構(gòu)及全新晶體管技術(shù)
在2020年架構(gòu)日上，英特爾六大技術(shù)支柱持續(xù)創(chuàng)新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架構(gòu)以及全新的晶體管技術(shù)。...
2020-08-14 標(biāo)簽：傳感器英特爾晶體管數(shù)據(jù)中心 2268
材料幫助圖形成像以解決PPAC中的矛盾
為什么尺寸縮小并沒按應(yīng)有的速度不斷進(jìn)步呢？為什么高端硅成本依然如此昂貴？答案就在于芯片設(shè)計的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計層數(shù)繁多，各層之間還必須無縫連接。...
2020-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造光刻膠應(yīng)用材料公司 2146
晶振電路中選擇電容的方式
單片機有內(nèi)部時鐘方式和外部時鐘方式兩種：（1）單片機的XTAL1和XTAL2內(nèi)部有一片內(nèi)振蕩器結(jié)構(gòu)，但仍需要在XTAL1和XTAL2兩端連接一個晶振和兩個電容才能組成時鐘電路，這種使用晶振配合產(chǎn)生信...
英特爾工藝技術(shù)在走下坡路？工藝技術(shù)比許多技術(shù)要復(fù)雜得多
鑒于摩爾定律是指數(shù)趨勢，那就意味著即使僅一步也可以帶來巨大的競爭優(yōu)勢。例如，對于游戲玩家來說，性能提高2倍的GPU可能意味著獲得60fps而不是30fps。...
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