全球晶圓代工龍頭臺積電2020年交出亮麗成績單，預期全年美元營收年成長率逾三成并創(chuàng)下歷史新高。2021年雖然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地緣政治及貿(mào)易戰(zhàn)等外在環(huán)境變數(shù)，但晶圓代工訂單強勁，第二季前產(chǎn)能利用率維持滿載。設備業(yè)者及市場法人看好臺積電2021年3nm產(chǎn)能建設及2nm技術研發(fā)加速進行，全年資本支出將上看200億美元再創(chuàng)新高。

臺積電2020年資本支出估達170億美元，創(chuàng)下新高無虞。但7nm及5nm等先進制程、16nm以上成熟制程等產(chǎn)能仍供不應求。臺積電2021年持續(xù)擴增產(chǎn)能以因應強勁需求，包括Fab 18A廠第三期5nm產(chǎn)能將在第一季開出，F(xiàn)ab 18B廠3nm產(chǎn)能建置正加速進行，同時提升2nm閘極全球場效電晶體（GAAFET）技術研發(fā)速度等。

設備業(yè)者指出，受惠于5G及WiFi 6、人工智慧及高效能運算（AI/HPC）、車用及物聯(lián)網(wǎng)晶片等晶圓代工需求強勁，臺積電看好2021年產(chǎn)能持續(xù)供不應求，7nm及5nm接單幾乎全滿，成熟制程產(chǎn)能全線吃緊，加上3nm產(chǎn)能建設及美國5nm新廠動工將同步展開，持續(xù)增加極紫外光（EUV）曝光機及相關設備采購規(guī)模，預期2021年資本支出將上看200億美元，連續(xù)三年創(chuàng)下歷史新高。

以2021年新廠建置進度來看，臺積電針對3nm制程打造的Fab 18B廠共三期工程已動工，美國5nm建廠即將展開，南科Fab 14廠會再興建P8廠做為特殊制程晶圓廠，并在同一廠區(qū)內(nèi)興建先進封裝技術生產(chǎn)基地。再者，竹科廠區(qū)將興建擁有兩座研發(fā)晶圓廠的研發(fā)中心，其中R1研發(fā)晶圓廠預計2021年完工，做為2nm及更先進制程的研發(fā)基地，竹南先進封裝廠則如期進行。

根據(jù)預計臺積電3nm將于2022年第二季進入量產(chǎn)，5G及HPC應用會是主要產(chǎn)品線。根據(jù)臺積電規(guī)畫，3nm晶圓廠廠房基地面積約為35公頃，潔凈室面積將超過16萬平方公尺，大約是22座標準足球場大小。3nm進入量產(chǎn)時，當年產(chǎn)能預估將超過每年60萬片12吋晶圓。業(yè)界預期臺積電會是全球第一家提供3nm量產(chǎn)的半導體廠，該廠區(qū)也會是全球擁有最多EUV產(chǎn)能的超大型晶圓廠（GigaFab）。
編輯：hfy