Rambus公司已成為全球僅有的三家內存接口芯片供應商之一，另外兩家分別是瀾起科技和瑞薩（原 IDT），主要產品包括內存接口芯片、內存接口 IP 及安全 IP 方案。

（1）內存接口芯片：公司深耕行業(yè)多年，實現從初代產品到最新一代 DDR5 產品的完整覆蓋，目前在售產品包括業(yè)界領先的 DDR4 和 DDR5 系列芯片組；

（2）高速接口 IP：公司提供業(yè)界領先的互連和接口 IP，包括完整的子系統(tǒng)解決方案、數字控制器和PHY IP，適用于PCIe、CXL、HBM、GDDR 和DDR標準；

（3）安全 IP：支持數據中心、服務器中靜態(tài)數據、動態(tài)數據的加密，為客戶提供硬件級的安全 IP 方案。這些產品和方案精準契合了數據中心的應用需求，比如企業(yè)級內存條、AI 加速芯片、智能網卡、網絡交換機、內存擴展和池化等。

DDR5表現顯著優(yōu)于DDR4，帶動新一輪增長

DDR 即 DDR SDRAM，是雙數據率同步動態(tài)隨機存儲器的簡稱。作為 SDRAM 的第二代產品，其數據的傳輸速度是 SDR（Single Data Rate，單倍數據速率）內存的兩倍，通過允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，不需要提高時鐘的頻率就能實現雙倍的 SDRAM 速度。內存標準升級，新一代產品性能大幅提升。2020 年 7 月，JEDEC（固態(tài)技術協(xié)會）正式發(fā)布新一代主流內存標準 DDR5 SDRAM 的最終規(guī)范。為滿足對高效內存性能日益增長的需求，DDR5 相比其前身 DDR4 實現了性能的大幅提升：（1）傳輸速度更快：從DDR4 內存的 1.6Gbps 起步提升到 4.8Gbps 起步；

（2）能耗更低：工作電壓從 1.2V 下降到 1.1V，且集成 PMIC（power management IC），優(yōu)化電源管理，綜合節(jié)能性提升 30%；

（3）穩(wěn)定性提高：支持晶粒內建糾錯（On-Die ECC）機制，每 128 位元數據附帶 8 位元糾錯碼；

（4）內存密度更大：單內存芯片的密度從 16Gb 達到 64Gb，40 個元件的LRDIMM 的有效內存容量達到 2TB；

（5）存取效率提高：采用彼此獨立的 40 位寬雙通道設計，每個通道的突發(fā)長度從 8 字節(jié)翻倍到 16 字節(jié)。

JEDEC 將 DDR5 描述為一種“具備革命意義”的內存架構，迎合 AI、云計算、物聯(lián)網等新技術帶來的存儲和數據的傳輸需求。繼 DDR5 DRAM 成為英特爾“Alder Lake”第 12 代處理器的標準配置之后，AMD 也宣布其 7000 系列處理器將支持 DDR5 內存，并已于 2022 年 9 月 27 日正式上市。2022 年 12 月 21 日，存儲芯片領軍企業(yè)三星宣布，其利用 12 納米級制程工藝成功開發(fā)出 16Gb DDR5 DRAM，并在最近與 AMD 完成了兼容性測試，計劃將于 2023 年開始批量生產。當前市場正在經歷由 DDR4 至 DDR5 的更新?lián)Q代，DDR5 的普及有望為行業(yè)帶來新一輪增長。

CXL 浪潮將至，Rambus技術積累顯優(yōu)勢

2019 年，英特爾推出了 CXL 技術（Compute Express Link），短短幾年時間，CXL便成為業(yè)界公認的先進設備互連標準，其最為強勁的競爭對手 Gen-Z、Open CAPI 都紛紛退出了競爭，并將 Gen-Z 協(xié)議、Open CAPI 協(xié)議轉讓給 CXL。CXL 趨勢成為行業(yè)共識，服務器架構迎來重大變革。CXL 能夠讓 CPU、GPU、FPGA或其他加速器之間實現高速高效的互聯(lián)，并且維護 CPU 內存空間和連接設備內存之間的一致性，從而解決了各設備間的存儲割裂的問題，滿足高性能異構計算的要求，能夠大大降低內存的分割導致的浪費和性能下降。CXL 可被視為 PCIe 技術的再提高版本，并在其基礎上延伸了更多變革性的功能。CXL2.0 內存的池化（Pooling）功能較好的實現了以內存為中心的構想，可以較大地節(jié)約數據中心的建設成本，同時也將帶動 DRAM的用量。CXL3.0 則實現 Memory sharing（內存共享）和內存訪問，在硬件上實現了多機共同訪問同樣內存地址的能力。CXL 1.1 和 2.0 旨在以 32GT/s 的速度利用 PCIe 5.0 協(xié)議，而 CXL 3.0 則擴展到 PCIe 6.0 協(xié)議，將傳輸速率提高一倍，達到 64GT/s 的速度，且大幅降低了搭建數據中心的總成本。

CXL 增加了芯片內部的技術復雜性，這需要集成電路（IC）和復雜的片上系統(tǒng)（SoC）專業(yè)知識來設計、開發(fā)和執(zhí)行復雜的 SoC。在 CXL 存儲器解決方案方面處于強勢地位。目前 Rambus 正在銷售 CXL 相關解決方案，有望在 CXL 技術領域拓展營收新增長點。

Rambus通過兼并收購不斷拓展其產品組合與業(yè)務范圍

2011 年收購的Cryptography Research， Inc.擴展了其在加密解決方案方面的專業(yè)知識并增強其安全產品。2012 年收購的 Lighting Science Group 的 LED 業(yè)務在節(jié)能照明市場上擴展其技術組合。2012 年收購的 Unity Semiconductor 使其存儲器產品多樣化并增強其存儲器技術組合。2013 年收購的 GlobalFoundries 的硅 IP 資產加強其技術組合并增強其提供先進存儲器解決方案的能力。2016 年收購的 Bell ID 擴展其在移動支付和智能票務市場的產品。2016年收購的 Snowbush IP 資產擴大其在高速接口市場的業(yè)務。2016 年收購的 Inphi Corporation 的存儲器互連業(yè)務加強其在存儲器市場的地位。2019 年收購的 Verimatrix 的硅 IP 和安全協(xié)議業(yè)務擴展其安全 IP 產品。從股價歷史可以看出，兼并收購能短期推高Rambus 股價，可能的原因是兼并收購能向市場傳遞積極信號，讓投資者對公司產生積極預期，然而由于缺少實質性的營收或者技術層面的飛躍，這種積極信號對股價的支撐難以為繼，股價在短期繁榮后又迅速歸于平寂。

2003 年，Rambus 在 RDRAM 的基礎上推出了極限數據速率 DRAM（XDR DRAM）技術，使得股價獲得較大幅度增長，緊隨其后 Rambus 又于 2005 年推出 XDR DRAM。索尼選擇 XDR DRAM 用于 PlayStation 3，股價再次迎來小高峰。XDR DRAM 最初與下一版本的 DDR2 競爭，后者將內存芯片的最高時鐘速度提高到 200 兆赫茲 （MHz）。DDR3 具有與 DDR2 相同的時鐘速度，但預取緩沖區(qū)寬度是其兩倍，因此總體數據傳輸速率是其兩倍，之后 Rambus 股價持續(xù)走低，并于 2012 年觸底。

2014 年，DDR4 初步形成，2015 年隨著 Intel Skylake 發(fā)布，DDR4 得到普及，DDR4 提高了對芯片的時鐘速度和總線傳輸速率的要求，XDR DRAM 無法再匹配數據傳輸速度，2015 年，Rambus宣布新的 R+ DDR4 服務器內存芯片 RB26 DDR4 RDIMM 和 RB26 DDR4 LRDIMM。這款芯片組包括 DDR4 寄存器時鐘驅動器和數據緩沖器，并完全符合 JEDEC DDR4 標準，Rambus 股價略有上浮。

2020 年，數據中心和云的需求增加，DDR4 市場份額穩(wěn)步增長，此外 Rambus 在 DDR5 資格認證方面處于行業(yè)領先地位，Rambus 的產品收入創(chuàng)下了新高，股價也終于在近十年的低迷后獲得質的飛躍。

編輯：黃飛