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PECVD工藝中RF射頻功率對μc-Si:H薄膜各項參數影響
HJT太陽能電池已經在正、背表面實現了鈍化接觸,因此獲得了較高的開路電壓,明顯高于TOPCon電池和PERC電池。但正表面的非晶硅層存在較為嚴重的寄生吸...
銅金屬化過程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質層(Passivatio...
PECVD硼發射極與poly-Si鈍化接觸共退火,實現高效TOPCon電池
TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優異鈍化性能,成為n型硅電池主流工藝。然而傳統硼擴散工藝成本較高。本研究提出創新解決方案:PECVD單...
拓荊科技2023年業績預增,預計凈利潤6億至7.2億元,同比增長62%
業務收入增幅達52.44%-64.17%,得益于公司加大研發力度,攻克核心技術難題,在制程更新換代中取得重大業績突破。數碼設備銷售額回升,PECVD設備...
盛美上海:Track設備預計年底與***對接 將打破當前市場一家獨大局面
從各產品線來看,盛美上海pecvd設備組正積極與客戶合作,目前在軟件和硬件的改善方面都取得了相當大的進展。該公司在pecvd裝置上追求差別化的技術路線,...
拓荊科技成立于2010年,是國內唯一一家針對薄膜沉積領域實現pecvd和sacvd產業化的公司,也是ald領域的國內龍頭企業。公司目前已進入中芯國際、長...
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