本文簡單介紹了熱氧化與PECVD生成氧化硅的方式以及熱氧化方式與PECVD的性能比較。

用PECVD做的氧化硅與熱氧的氧化硅刻蝕速率同，熱氧的氧化硅速率明顯較慢，這是為什么？

熱氧化與PECVD生成氧化硅的方式

熱氧化是在高溫下通過化學反應在硅表面生成氧化硅的方式。有干濕氧兩種方式，方程式為：

干氧化 Si + O? → SiO?

濕氧化 Si + 2H?O → SiO? + 2H?

由于是用熱量來維持反應，因此需要高溫，在1100℃左右。

而PECVD是在相對低溫下利用等離子體增強化學反應在基片表面沉積氧化硅薄膜的方式。反應氣體可以是硅烷或TEOS等，方程式為：

SiH? + 2O? → SiO? + 2H?O

由于用等離子的方式，反應溫度可以大幅度的下降。

熱氧化方式與PECVD的性能比較

熱氧化的氧化硅具有致密性，均勻性好，缺陷少，與硅基底結合強，應力小，純度高等優點。

當與化學藥劑發生反應時，熱氧化硅致密的結構能夠更有效阻止藥液對本身的侵蝕。PECVD生成的氧化硅應力較大，缺陷多，使刻蝕液更容易滲透和反應，從而提高了刻蝕速率。