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STDRIVEG60015演示板技術解析:650V E模式GaN半橋驅動設計指南
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評估STDRIVEG600高速半橋柵極驅動器。STDRIVEG600經...
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaNHEMT和Si...
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaN HEMT和S...
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業設備市場的優質產品,是適用于這些應用場景的最佳產品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最優解決方案。...
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業設備市場的優質產品,是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將...
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是工業設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過...
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-04 標簽:晶體管氮化鎵HEMT 920 0
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-31 標簽:GaNHEMT 329 0
類別:IC datasheet pdf 2022-03-31 標簽:場效應管HEMT 1.3k 0
羅姆EcoGaN產品GaN HEMT被村田AI服務器電源采用
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT,被先進的日本電子元器...
HFG610-65 數據手冊和產品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩壓器
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩壓器,專用于高性能和高頻設計。與傳統QR 反激式穩壓器不同,HFG610-...
搶先領取!高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦
高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗證的白皮書共33頁,被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN技術和器件...
電子發燒友網報道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...
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