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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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2026年2月，美鎵傳感在新一輪股權(quán)融資中獲得國新國證投資的領(lǐng)投，這是公司自合肥市產(chǎn)投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國新國證投資是中國國新、國新...
晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí) 破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題
晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí)破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借高擊穿電壓、高導(dǎo)熱系數(shù)、耐高溫等優(yōu)異特...
意法半導(dǎo)體氮化鎵方案賦能高頻應(yīng)用新場景
快充之所以能做到體積更小、充電更快，核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵（GaN）。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表，氮化鎵的材料特性十分突出，為產(chǎn)品升級(jí)...
2026-02-27 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵快充 343 0
喜報(bào) | 東科半導(dǎo)體入選安徽省2025年度表現(xiàn)突出的創(chuàng)新型企業(yè)名單
2月24日，在安徽省委、省政府高規(guī)格召開的“新春第一會(huì)”——全省科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展大會(huì)暨省管干部學(xué)習(xí)貫徹黨的二十屆四中全會(huì)精神研討班開班式上，備...
Power Integrations榮獲2025年度模擬與電源管理技術(shù)先鋒獎(jiǎng)
由21ic電子網(wǎng)主辦的“2025年度電子產(chǎn)業(yè)卓越評(píng)選”已于2026年2月2日在北京圓滿結(jié)束。本次評(píng)選覆蓋電子產(chǎn)業(yè)鏈各關(guān)鍵環(huán)節(jié)，共設(shè)九大獎(jiǎng)項(xiàng)類別。
2026-02-11 標(biāo)簽：電源管理電子產(chǎn)業(yè)氮化鎵 999 0
英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布將為EnphaseEnergy,Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供...
技術(shù)集成與工程實(shí)踐：高空低壓環(huán)境下閃蒸噴霧相變機(jī)理及其對(duì)機(jī)載微通道換熱器傳熱強(qiáng)化的實(shí)驗(yàn)研究
隨著航空技術(shù)的飛速演進(jìn)，機(jī)載電子設(shè)備正朝著集成化、高性能化的方向快速發(fā)展?，F(xiàn)代軍用雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、多功能射頻陣列以及飛行控制計(jì)算機(jī)的功率密度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)...
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開關(guān)
新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開關(guān)CoolGaNG5系列650V雙向開關(guān)（BDS）是一款單片集成器件，能夠在兩個(gè)方向上主動(dòng)阻斷電...
2026-01-19 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵雙向開關(guān) 2.5k 0
英飛特氮化鎵LED驅(qū)動(dòng)電源助力邁向可持續(xù)照明新時(shí)代
在“碳達(dá)峰、碳中和”成為全球共識(shí)的背景下，提升能源利用效率已成為各行業(yè)的核心任務(wù)。照明約占全球電力消耗的15%，而LED 驅(qū)動(dòng)電源作為照明系統(tǒng)的核心部件...
2026-01-19 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源英飛特 2.1k 0
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝...
爭妍微快訊：反傾銷調(diào)查劍指日本半導(dǎo)體材料
2026年1月7日，中國商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷立案調(diào)查，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期追溯至2022年初。這一針對(duì)半導(dǎo)體核心原料的調(diào)查，迅速引...
氮化鎵上車進(jìn)行時(shí)：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗(yàn)證
2025年12月，匯川聯(lián)合動(dòng)力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國新能源汽車...
2026-01-09 標(biāo)簽：氮化鎵 2.1k 0
泰克科技助力氮化鎵技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用落地
2025年12月，匯川聯(lián)合動(dòng)力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國新能源汽車...
2026-01-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵泰克科技 5.7k 0
時(shí)光邁入2026年新程，半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新浪潮持續(xù)澎湃！在這承前啟后的節(jié)點(diǎn)，我們不妨回望剛剛過去的2025年——半導(dǎo)體行業(yè)在技術(shù)革新與市場變革中加速迭代，...
2026-01-07 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體氮化鎵 3.1k 0
深耕質(zhì)量賽道 鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭妍微電子獲 “全國質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證
近日，深圳爭妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn)，成功通過中國質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)審核，榮獲 “全國質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證，并獲頒專用標(biāo)...
音質(zhì)與穩(wěn)定雙突破！爭妍微大功率功放三極管2SC5200音響功率放大配對(duì)2SA1943
在大功率音響功放領(lǐng)域，2SC5200與2SA1943互補(bǔ)配對(duì)三極管是核心功率器件，其配對(duì)精度、熱穩(wěn)定性直接決定音響的音質(zhì)還原度、功率輸出能力及使用壽命。...
快充國產(chǎn)替代新突破！爭妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD，替代英諾賽科INN650D02
在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能等高頻需求，成為市場增長核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核...
2025-12-23 標(biāo)簽：MOSFET快恢復(fù)二極管氮化鎵 2.2k 0
國產(chǎn)替代突破！深圳爭妍微工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可控硅系列賦能汽車空調(diào)升級(jí)，替代NXP BTA20
車規(guī)級(jí)元器件的國產(chǎn)替代已進(jìn)入‘深水區(qū)’，尤其是汽車空調(diào)、電控等核心場景，對(duì)器件的溫寬適應(yīng)性、抗干擾能力要求極致。NXP BTA20能長期占據(jù)市場，核心在...
國產(chǎn)替代成趨勢！爭妍微600V快恢復(fù)二極管TO-220變頻器專用替代BYV26C賦能變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)
在工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)浪潮下，變頻器作為核心控制設(shè)備，對(duì)關(guān)鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中，600V快恢復(fù)二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件，...
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