2026年1月7日，中國商務部宣布對原產于日本的進口二氯二氫硅發起反傾銷立案調查，產業損害調查期追溯至2022年初。這一針對半導體核心原料的調查，迅速引發行業熱議。作為半導體制造薄膜沉積環節的關鍵原料，二氯二氫硅直接影響邏輯芯片、存儲芯片及各類分立器件的生產，與深圳爭妍微電子主營的二極管、三極管、MOSFET、可控硅、IGBT、SiC JBS、氮化鎵HEMT及驅動IC等產品的供應鏈穩定息息相關。

深圳爭妍微電子總經理李學會對此事高度關注，其觀點直指行業核心痛點與機遇。“二氯二氫硅看似冷門，卻是我們爭妍微全系列器件生產的‘隱形基石’。”李學會強調，爭妍微的MOSFET、IGBT、SiC JBS及氮化鎵HEMT等高端器件，對薄膜沉積精度要求極高，而日本進口材料長期占據國內高端市場，2022至2024年數量攀升、價格累計下跌31%的傾銷行為，不僅沖擊本土材料企業，更間接擠壓了國產器件廠商的生存空間。

在李學會看來，此次調查是產業鏈薄弱環節的“精準反擊”。“長期以來，國內半導體材料受制于人，直接導致國產器件在成本與供應鏈安全上被動。”他以爭妍微二極管、三極管及驅動IC業務為例，日本材料的低價傾銷形成不公平競爭，部分本土材料企業因利潤微薄難以投入研發，而器件廠商若選用國產材料又面臨性能顧慮，選用進口材料則易被供應鏈“卡脖子”。“調查為本土材料企業松綁，也讓我們器件廠商敢于加大國產材料驗證力度，加速爭妍微可控硅、氮化鎵HEMT等產品的國產替代進程。”

談及調查對企業運營的影響，李學會表示，短期或面臨材料定價波動，但長期利好行業生態。“我們已啟動供應鏈多元化布局，針對不同器件特性調整采購策略。”他透露，爭妍微正聯合本土材料企業，開展二氯二氫硅適配測試，重點保障IGBT、SiC JBS等高端器件的原料供應，同時優化驅動IC的電路設計，降低材料波動對產品性能的影響。“對國產器件廠商而言，公平的競爭環境比短期成本波動更重要，這能讓我們把更多精力放在技術迭代上。”

對于行業格局變化，李學會認為調查將加速半導體產業鏈國產協同。“這不是孤立的貿易舉措，而是國產半導體從材料端到器件端的協同破局。”他指出，日本在半導體材料領域優勢明顯，調查或引發其在光刻設備、特種材料等領域的反制，但這也倒逼國內企業抱團發展。爭妍微正強化與上下游合作，推動二極管、三極管等基礎器件的材料國產化率提升，同時攻堅MOSFET、氮化鎵HEMT的核心技術，以技術實力對沖貿易摩擦風險。

此次調查的最終結果雖尚需時日，但李學會對行業前景充滿信心。“國產替代不是一蹴而就，但每一次對不公平貿易的糾偏，都是在為國產器件鋪路。”他表示，爭妍微將以此次調查為契機，加快全系列器件的技術研發與供應鏈優化，助力國內半導體產業構建自主可控的生態體系。