意啟宏程芯路長，法煉精工綻鋒芒。

半探微域拓華章，導馭高頻勢如虹。

體匯英才共拓疆，氮凝優材綻榮光。

化智興邦百業芳，鎵煥宏圖福運長。

意法半導體工業電子祝大家：開工大吉

快充之所以能做到體積更小、充電更快，核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵（GaN）。作為寬禁帶半導體的典型代表，氮化鎵的材料特性十分突出，為產品升級提供了關鍵支撐。

氮化鎵擁有三大核心優勢：

更高的禁帶寬度，使其能承受更高溫度與電壓；

更高的電子遷移率，可實現“納秒級”開關動作；

更高的擊穿電場，在相同電壓需求下，GaN器件厚度能縮減一半以上。

這些特性讓氮化鎵天然適配高頻、中高壓場景，助力產品實現“體積更小、性能更強”的升級目標。

在技術應用方面，橫向GaN是目前最為廣泛的技術路線，其工藝成熟、成本可控，且已實現規模化生產，8英寸GaN-on-Si更是當前的行業主流。為加強氮化鎵產品供應鏈彈性，意法半導體（ST）在2025年4月與英諾賽科達成代工協議，憑借自身技術積累及多年功率器件開發經驗，為客戶提供可靠穩定的氮化鎵產品支撐。

圍繞氮化鎵技術，意法半導體推出了多款硬核產品與解決方案：

GaNSPIN：集成600V柵極驅動器的半橋功率氮化鎵模塊，專為電機控制設計，可讓白色家電效率更高、成本更優、性能更強；

MasterGaN：通用型半橋氮化鎵系統級封裝解決方案，采用9x9mm2的GQFN緊湊型封裝，集成嵌入式柵極驅動器，能將AC-DC適配器、手機快充體積縮小4倍、重量減輕3倍，讓服務器電源功率提升50%、功率損耗降低20%，還可使太陽能儲能系統體積縮小2倍、重量減輕3倍，甚至能取代風扇設計；

PowerGaN：GaN-on-Si常關型功率晶體管，可輕松提升能源效率，降低產品總成本；

VIPerGaN：系統級封裝解決方案，將PWM控制器與GaN功率MOSFET集成，最大化高壓轉換器的功率密度。

此外，意法半導體還為客戶提供評估套件、技術/培訓文檔和應用支持等多種設計工具，以全方位的設計生態系統，賦能開發者解鎖無限創意潛能，推動氮化鎵技術在更多場景的創新應用。