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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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用于CRPS應用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計算和人工智能的快速發展，數據中心對電源的需求不斷增加，對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數據中心中， Common Redundant Po...
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術手冊
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術手冊
ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...
ADPA1113 2GHz至6GHz，46dBm（40W），GaN功率放大器技術手冊
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內實現 46.5 dBm (44.7 W)...
氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最...
隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰： 在高頻狀態下，電磁...
單片雙向開關(BDS)被業界視為電力電子性能實現跨越式發展的關鍵推動者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術具有獨特優勢，可有效...
當設備溫度超過設定閾值時，外置OTP功能會自動觸發，降低設備功率或關閉設備，以防止過熱，這對于保護設備內部組件和延長設備壽命至關重要。在檢測到溫度升高時...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數據手冊
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實現高密度 AC-DC 電源，符合嚴格的全球能效標準，如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...
深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC，工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號增益，+44.5 dBm飽和輸出...
氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用: 優勢、實際應用案例、設計考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統硅基解決方案，闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件：Driving-Elec...
納微 NV6169 # 45mΩ低導阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術
這是一款采用 GaNSense技術的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
寬電壓范圍是指設備或系統能夠在較寬的電壓區間內正常工作的能力。這意味著，當電網電壓或供電電壓在一定范圍內波動時，具備寬電壓范圍的設備仍能保持穩定運行，不...
HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內提供 40 W （46 dBm） 的...
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