光刻技術簡述

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程

2023-04-25 標簽：半導體光刻光刻工藝 2.9k 0

光刻中使用的掩模對準器曝光模式

本Inseto知識庫文檔介紹了光刻中使用的掩模對準器曝光模式。

2022-07-21 標簽：曝光模式光刻晶片 2.9k 0

光刻掩膜版保護膜常見的類型有哪些？

掩膜版保護膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對掩膜版起物理與化學保護作用。

2024-01-04 標簽：光刻EUV芯片制程 2.8k 0

極紫外 (EUVL) 光刻設備技術應用分析

歐洲極紫外光刻（EUVL）技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產生這種光的主要來源是使用強大激光器產生的熱錫等離子體。激光參數被調整以產生大...

2023-09-25 標簽：濾波器激光器光刻 2.8k 0

助力高級光刻技術：存儲和運輸EUV掩模面臨的挑戰

隨著半導體行業持續突破設計尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術的運用逐漸擴展到大規模生產環境中。對于 7 納米及更小的高級節點，EUV 光刻...

2019-07-03 標簽：半導體光刻EUV 2.8k 0

光刻技術的種類介紹

根據維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所...

2023-04-25 標簽：光刻半導體器件光刻膠 2.7k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質量的柵氧化層，它的熱穩定性和界面態都非常好。

2024-11-05 標簽：晶圓工藝光刻 2.7k 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素...

2022-07-12 標簽：光刻蝕刻晶片 2.7k 0

昂圖科技的極大尺寸照射場高分辨率光刻系統克服了FOPLP圖形形變挑戰

異構集成技術集成了多個來自不同制程與功能各異的芯片來達到更優越的效能。在大尺寸的面板級封裝中，現存的步進式曝光機有著最大單一照射場（Exposure F...

2023-04-23 標簽：芯片封裝分辨率 2.6k 0

光刻可制造性檢查如何檢測掩模版質量

隨著工藝節點不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費的資金成本從數十萬到上億，呈指數級增長，同時生產掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標簽：探測器晶圓光刻 2.6k 0

解析光刻芯片掩模的核心作用與設計

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏...

2024-01-18 標簽：印刷電路板芯片制造光刻 2.6k 0

SPM光刻工藝的研究報告

在這篇文章中，我們華林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對其進行表征。

2022-02-08 標簽：電極光刻光刻機 2.5k 0

半導體光刻的基礎知識

光刻是在基板表面形成復雜設計或結構的過程。光刻技術已經作為一種制造技術使用了數百年。它最初是為印刷機開發的，現在已經成功了作為一種被稱為光刻的微細制造技...

2022-07-21 標簽：半導體制造技術光刻 2.4k 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質層上形成很多細小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因為 C...

2024-11-15 標簽：晶圓工藝光刻 2.4k 0

深度解析多層互連的過孔設計

交錯的孔會引入寄生電阻和寄生電容，除非是設計本來就有的，否則寄生效應會對電路性能構成不利的影響，會增加后仿真中調整參數的工作量。

2023-12-14 標簽：集成電路電容cpu 2.2k 0