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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理???...
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧蚰z時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
在智能手機(jī)等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中，科技的改變悄然發(fā)生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來的，其中又有哪...
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(D...
光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過程。
晶圓廠每年都會(huì)有固定的幾次MPW機(jī)會(huì)，叫Shuttle （班車），到點(diǎn)即發(fā)車，是不是非常形象不同公司拼Wafer，得有個(gè)規(guī)則，MPW按SEAT來鎖定面積...
2023-10-10 標(biāo)簽：MPW芯片設(shè)計(jì)光刻 4k 0
光刻膠層透過掩模被曝光在紫外線之下，變得可溶，掩模上印著預(yù)先設(shè)計(jì)好得電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會(huì)形成每一層電路圖形。這個(gè)原理和老式膠片曝光類似。
這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)...
非光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類，第一類能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻印（SPL）和噴墨打印；第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材...
電子束加工（Electron Beam Machining 簡稱EBM）起源于德國。1948年德國科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用...
2023-12-07 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)光刻電子束 3.5k 0
隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...
光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類
光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過優(yōu)化的光源，通過光刻...
2023-12-11 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 3.3k 0
Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping...
套刻計(jì)量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時(shí)提供可接受的吞吐量，解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競爭要求。
2023-07-10 標(biāo)簽：內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 3.2k 0
聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟：1) 將玻璃放在兩個(gè)電極之間，通過控制放電對(duì)玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融；2)通過焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力，引起內(nèi)部高壓和介電擊穿。
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