Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1437 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其用于高溫汽車應用的VJ車用系列表面貼裝多層陶瓷片式電容（MLCC）。為節約電路板空間，VJ
2013-06-13 17:03:241460 談到無人駕駛汽車，既有人對此感到興奮又有人為此感到擔憂，還有人保持中立。盡管無人駕駛汽車能夠有效減少人為錯誤，降低每年因交通事故而造成的傷亡，但人們對此并不熟悉。我們最想知道的是，無人駕駛汽車究竟能做些什么？它又具備哪些智能特點和功能呢？自從幾年前谷歌開始研發無人駕駛汽車以來，我們對其所用的技術已經有了一定的了解。
2015-08-11 09:06:161345 MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一
2015-10-12 13:58:282813 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護。電子控制單元在愈來愈多車用控制應用內
2015-11-05 16:08:271597 Automotive World上，Vishay的車規產品將悉數亮相。Vishay的展位在東5號館E47-40，以“Think Automotive，Think Vishay”為主題，展示各種車規產品，包括滿足和超過AEC認證的電容器、電阻器、電感器、二極管、功率MOSFET和光電子產品。
2018-01-15 16:57:448958 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
請問buck-boost電路，輸入10~15v，輸出5v，開關管MOSFET使用IRF540N，驅動電路使用IR2117對嗎？如果對的話，那為什么輸出波形與理想的差距很大，而且輸出的平均值與理論的也相差很大。
2015-06-04 16:02:35
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
mosfet沒有上電時，mosfet驅動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
電動車轉換器72V轉12V我看到都是用MOSFET的場效應管，能不能用JFET的場效應管？？？？
2017-06-26 12:45:35
哪位精通pspice仿真軟件的大神解答一下我，從vishay網站上下載的雙向二極管元件庫，在model editor 上建模。導進capture之后外形怎么變成本來該有的雙向二極管的樣子？
2016-03-09 17:37:25
）等堆砌性能不同，接口缺乏、系統不完備，可是深入理解之后，你會發現，和樹莓派那種偏向編程與娛樂，這才是真正的物聯網設備，這才是心中理想的物聯網開發。趕緊打開網頁過來申請，還好沒結束，還好有機會。本人
2016-07-13 16:21:00
開放自動化到底指的是什么？什么樣的系統才是一個理想的開放自動化系統？
2021-09-18 06:25:06
盡顯豪華氣派。 保時捷 Porsche Mission E 這是一款面向未來的Mission E Cross Turismo電動跨界多用途（CUV）概念車，該車的設計生動詮釋了保時捷對極致駕駛
2018-03-12 11:45:40
Boost升壓電路，DC60-DC72大功率用于電動車增速使用，MOSFET管燒壞導致短路，這種管子網上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
國際整流器公司針對開關應用，推出兩款具有低柵級電荷的車用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，這些開關應用包括開關電源 (SMPS) 、D 類音頻系統、高強度氣體放電燈 (HID) 照明，以及其
2010-09-09 10:36:50
19 Vishay新型功率MOSFET采用反向導引TO-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:222091 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 Vishay推出ESD級別高達2kV的車用精密薄膜電阻
2010年1月22日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別
2010-01-22 16:52:251409 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291767 Vishay發布PAT系列精密車用薄膜電阻，標準TCR低至±25ppm/℃
Vishay推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經過激光
2010-02-01 09:59:191427 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 全球功率半導體和管理方案領導廠商 - 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2 功率MOSFET
2010-10-29 09:07:321678 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用
2011-04-12 09:47:051350 IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列，與傳統的TO-262封裝相比，可減少 50%引線電阻，并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351919 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提
2011-05-27 09:18:09965 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業界最小的晶片級封裝，并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421517 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541792 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241361 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:511504 MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:191841 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環境下工作。
2016-03-23 11:41:391350 今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E
2016-07-18 16:19:592081 在10月26日舉辦的Windows 10發布會上，微軟剛剛發布了Windows 10系統的最新版本，并且表示其在VR（虛擬現實）和MR（混合現實）方面都有重大涉及。
2016-11-24 17:05:252452 2016年12月26日，備受關注的金立M2017終于正式在海口觀瀾湖馮小剛電影公社與大家見面，相比較發布之前我們對其進行的猜測，真機的一系列亮點功能更是讓我們對該機充滿了向往，在整場發布會結束之后，在筆者心中只有一句話在不停的想要喊出——這才是高端政商人士該擁有的一款手機。
2016-12-27 13:45:311014 體驗了Flyme 6近一個月的時間，現在的心情只能用一句話來形容：我去，這才是我想要的Flyme 6?。∠旅婢蛠砗唵握f下。
2017-01-02 14:38:301402 在智能手機領域HTC可以稱之為鼻祖，在當年智能手機概念還沒有形成時，HTC就開始使用微軟的WP操作系統，當年的多普達加HTC可是名振天下的，而谷歌的安卓能有這樣的成功，也要感謝HTC這個第一個吃螃蟹的人。但這并不是HTC最擅長的，他最擅長的就是手機外觀ID的設計
2017-01-14 09:36:515314 蘋果公司iPhone8手機超美型態曝光，這才是大家朝思暮想的iPhone8手機呀，近前，就有消息流出iPhone 8將會一改取名的規則，可能會叫iPhone X。
2017-02-10 10:31:48821 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 雖然現在關于iOS 11的細節并不多，但是已經有不少設計師和工作室開始替蘋果操心，設計出了一些iOS 11的概念設計，有些天馬行空，有些又非常實用。因此感興趣的朋友可以一起來看看目前幾個有趣的關于iOS 11概念設計。
2017-03-13 10:35:231610 小米手機近幾年來最良心的手機了，配置高不說，而且第一次真正做到了該有的都有了，不該有的一個都沒有，到底為什么小米6的產量一直上不去呢？
2017-07-21 15:49:526794 一直以來，對于穿戴設備我一直充滿興趣的，從手環到手表，基本都買來玩過。印象深刻的是曾經買過兩次 moto 360 ，但兩次基本都是一周就解毒，然后放著不用了，主要也還是續航的問題。最近又手癢，就入手了這款華米手表青春版。
2017-08-10 15:17:331437 10月10日，李想創立的車和家旗下的電動汽車品牌正式揭開面紗。品牌命名為“理想智造”，英文品牌名稱為“LEADING IDEAL”。首款車型名為“理想智造ONE”。
2018-10-11 15:02:202631 現在提到 Sonos，大家想到的可能是 Sonos One、PLAY:5 這些無線音響。但 Sonos 在創立之初，其實是靠一款功放類產品打開音頻市場的（2005 年發布的 ZP100），正是依靠這個品類所打下的市場基礎，Sonos 才能逐步實現打造多房間無線家庭音響系統的愿景。
2019-04-22 11:01:147565 隨著iPhone X的發布，全面屏手機已經進入了一個高速發展的時代。然而坦率地說，目前所有能夠量產的機型中，真正最為接近全面屏的依然是小米MIX系列，僅僅留有下巴部分的設計讓整機看上去更美。老羅的堅果3就是采用如此設計方案，但是在發布會間隙，許多網友一致抨擊這款機型“丑”，真的丑嗎？筆者在拿到真機之后第一時間讓身邊的小伙伴“鑒賞”了一番。
2019-06-21 08:43:233664 合理利用區塊鏈技術，讓技術改進現實生產關系，促進社會發展，這才是區塊鏈應該有的樣子。
2019-07-04 10:22:21921 ，又在音質和降噪方面表現優異，室內室外都適用，這才是理想中藍牙耳機該有的樣子，今天在這里就整理出了幾款降噪出色、音質出彩的藍牙耳機，分享給大家。 Xisem西圣Ares Xisem西圣Ares采用藍牙5.0技術下的高通QCC3020芯片，傳輸速率
2020-11-06 11:43:231665 ，IM智己將在人工智能的偉大時代，與用戶共生，定義智能時代汽車該有的樣子，成就“智能時代出行變革的實現者”。 IM智己 我自 由我 中文品牌名“智己”，取自《周易 系辭上》“知周乎萬物，而道濟天下”，意在用智慧周全萬物，勤奮探索，定
2021-01-14 14:57:422709 ADuM140D/ADuM140E/ADuM141D/ADuM141E/ADuM142D/ADuM142E：3.75 kV rms 四通道數字隔離器
2021-03-20 09:15:3111 ADuM140E/240E IBIS Model
2021-03-24 13:42:132 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211914 
ADuM140E240E IBIS型號
2021-06-03 09:25:491 臺信接近開關傳感器E140-W80H數據手冊
2021-07-23 15:52:030 臺信接近開關傳感器E140-W80K數據手冊
2021-07-23 15:44:001 臺信鐵氟龍電容式接近開關CLJ-E140-80HMB
2021-08-04 09:16:231 臺信鐵氟龍電容式接近開關CLJ-E140-80GKA
2021-08-04 10:15:2910 CSJ-E140-80HMA臺信鐵氟龍電容式接近開關
2021-07-26 10:25:041 CSJ-E140-80GKA臺信鐵氟龍電容式接近開關
2021-07-26 10:18:401 臺信鐵氟龍電容式接近開關CLJ-E140-80ANA
2021-08-06 15:42:043 臺信接近開關產品ZLJ-E140-80HMB
2021-08-09 11:33:101 臺信接近開關傳感器產品E140-D80PT
2021-08-17 10:17:002 臺信接近開關傳感器產品E140-D80NT
2021-08-17 09:37:502 臺信鐵氟龍電容式接近開關CLJ-E140-80APA
2021-08-19 09:23:421 臺信接近開關ZLJ-E140-80ALA產品規格書
2021-08-25 11:23:107 臺信接近開關ZLJ-E140-80APC產品規格書
2021-08-31 11:14:291 臺信鐵氟龍電容式接近開關CSJ-E140-80ALA
2021-09-12 16:24:5911 Runner Pro2骨傳導運動耳機這才改變了我以往的看法， NANK南卡作為骨傳導運動耳機的領軍品牌，在骨傳導行業深耕的時間也不斷了，為什么偏偏這款是這款NANK南卡Runner Pro2能夠沖上神壇，所以我很期待這款頂級的骨傳導耳機到底有多爽。目前體驗了一
2021-09-27 16:04:302058 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352302 特性，深受數碼愛好者的歡迎，其推出的一加10 Pro更是備受數碼愛好者追捧。擁有四大亮點的一加10 Pro，才是旗艦機該有的樣子。 屏幕是用戶操控手機與手機進行交互的重要渠道，在屏幕方面，一加10 Pro搭載的是一塊三星6.7英寸的2K分
2022-06-20 16:35:142028 
安全互聯汽車創新方案 將車身上Powertrain的實時數據收集上來，并通過網關傳遞到云端，數據在云端進行分析處理后，再反饋給汽車以便做出正確的決策——這種理想的智能互聯汽車體驗，恩智浦幫你實現
2022-12-02 08:30:051042 近年來，智慧水務、數字水務成為水務行業的熱點領域。對于污水處理領域，如何貫徹落實雙碳戰略，積極推進智慧水廠建設，顯得尤為關鍵。 數字孿生技術結合視頻融合、BIM、5G、物聯網、云計算及大數據等先進技術，圍繞水質達標、安全生產、高效節能等生產、運營和管理目標，搭建了集污水處理廠區建筑及生產設備、管線等設施的三維場景，將污水廠實時運行信息、日常管理信息進行智慧管控，確保其科學、高效、安全、智慧運行。 本次智慧污水
2022-12-02 10:38:503991 
[e2 studio] Renesas Starter Kit for RX140 Tutorial 手冊
2023-01-13 19:00:500 [e2 studio] Renesas Starter Kit for RX140 Smart Configurator Tutorial 手冊
2023-01-13 19:01:060 學校課室太多？校區太多？課室內設備設施太多？你還在使用人工管理？人工巡檢？……統統say“漏”！
2022-04-22 10:25:56721 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:312135 
[e2 studio] Renesas Starter Kit for RX140 Tutorial 手冊
2023-07-03 19:37:280 [e2 studio] Renesas Starter Kit for RX140 快速入門指南
2023-07-03 19:37:410 [e2 studio] Renesas Starter Kit for RX140 Smart Configurator Tutorial 手冊
2023-07-03 19:37:580 一臺恒溫恒濕試驗箱應該有的好“素質”
2023-09-03 14:17:41978 
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業和計算應用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-10 10:48:121772 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422286 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 插件孔的標準孔徑尺寸：0.60mm(23.6mil)，0.70mm(27.6mil)，0.80mm(31.5mil)，0.90mm(35.4mil)，1.0mm(39.4mil)插件元器件引線(圓柱形)直徑與插件孔直徑D之差應為0.40mm(16mil)～0.60mm(24mil)，即插件孔與元器件引線的間隙L為0.20mm(7.9mil)～0.30mm(1
2024-06-21 08:11:123514 
算是基本操作了，但是仍然忍不住感嘆機械之美，工業之美！” “這才是未來全自動化工廠該有的樣子，理想已經先行一步。” 這一環節發生在整車裝配完成后的檢測標定環節，傳統方式都是由人工開車實現工位間流轉、人工操作檢測
2025-01-13 10:20:381579 
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46945 
采用徑向安裝。規格包括1μF至140μF電容范圍 、高達±10%電容公差和THB III級結構，確保高濕度下的堅固性。Vishay / Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器適用于汽車電子設備、充電系統和工業電源轉換。
2025-11-10 10:37:17419 
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術。該MOSFET優化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58320 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
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