據媒體今日報道，比亞迪半導體產品總監楊欽耀日前表示，比亞迪車規級的IGBT已經走到5代，碳化硅MOSFET已經走到3代，第4代正在開發當中。目前在規劃自建SiC產線，預計到明年有自己的產線。

據了解，比亞迪半導體以IGBT和SiC為核心，擁有IDM功率半導體產業，包括芯片設計、晶圓制造、模塊封裝測試以及整車應用。目前，比亞迪已研發出SiC MOSFET。比亞迪旗艦車型漢EV四驅版正是國內首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。按照比亞迪公布的計劃，預計到 2023 年，其旗下電動車將實現碳化硅功率半導體對 IGBT的全面替代，整車性能在現有基礎上再提升10％。

比亞迪半導體宣布自建SiC產線或許與其SiC產能不足有關。9月17日，比亞迪半導體功率半導體產品中心芯片研發總監吳海平在接受專訪時回應稱，目前，SiC的產能仍在爬坡，而漢EV后驅版的預定量非常多，遠超企業預期，因此造成供貨趕不上需求的問題。但他也表示，從第四季度開始，SiC產能將能持續滿足漢EV四驅版的銷售需求。”

比亞迪半導體之外，近期，國內其他半導體龍頭布局SiC的消息不斷。

此前12月17日，斯達半導公告擬計劃總投資2.29億元，投資建設年產8萬顆車規級全SIC功率模組生產線和研發測試中心；同月，三安集成宣布已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。

另外，應用端，電動車龍頭公司也已經走在了前列。特斯拉此前在Model3率先采用以24個SIC-MOSFET為功率模塊的逆變器。

資料顯示，目前SiC最大的應用市場在新能源汽車的功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉換器、車載充電器等。而根據Omdia預計，2020年全球功率半導體市場規模約為431億美元，至2024年將突破500億美元。

安信證券12月21日發布研報稱，新能源汽車及光伏加速普及，SiC迎來大發展機遇，SiC基功率器件有望取代Si基，超400億美元市場待開拓。中泰證券也在12月17日發布研報，預計2021年汽車領域SIC有望進入放量元年。

具體到投資機會，中泰證券表示，產業鏈以歐美日為主，國產替代空間較大。國企業在襯底、外延和器件方面均有所布局，但是體量均較小。國內SIC襯底材料廠商中，已上市公司包括：露笑科技、天科合達，器件商斯達半導、華潤微、揚杰科技等。

安信證券則稱，國內基本已實現SiC襯底、外延、器件設計、制造、封測、生產設備等全產業鏈覆蓋，設備、材料廠商具備先發優勢，有望率先受益。該機構重點推薦晶盛機電、建議關注華峰測控、天通股份。
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