電動車與再生能源越來越受到重視，也為聚焦于中功率、高功率的碳化硅（SiC）創造大量需求。然而，當碳化硅乘著節能減碳的浪潮，一躍成為功率電子的當紅炸子雞之際，在中、低功率應用具備優勢的氮化鎵（GaN）也緊追在后。研究機構預期，碳化硅與氮化鎵將自2020年起，在中功率市場產生競爭關系。

臺達電技術長暨總經理張育銘表示，以前電力電子的廠商其實不多，不過近期隨著碳化硅、氮化鎵的半導體元件越來越多，這部分的市場是值得期待的。另外，若以功率設備來看，傳統的火力發電、核能發電所用的電力電子比較少，不過新興再生能源就不同了，風力電發電中的電力轉換器扮演相當重要的角色，而太陽能發電的光伏逆變器（PV Inverter），所占比重也很重。

談到目前碳化硅晶圓的市場情形，Epiworld總經理馮淦表示，現今應用最為廣泛的是4吋晶圓，而6吋的市場需求量也越來越高，不過從4吋到6吋的轉變并沒有預期的快，雖然6吋的價格成本更有優勢，但主要問題在于6吋碳化硅的外延材料品質，還無法達到一定水準。他認為，在2～3年內，4吋的商機仍是可期的。

在車用功率半導體導入碳化硅方面，豐田專案總經理濱田公守表示，為達成「豐田環境挑戰2050」的目標，豐田積極發展下世代車用功率半導體。近年來豐田開始嘗試在電動車中導入碳化硅MOSFET、碳化硅JBS二極體，并于2015年2月開始進行實車路測。測試結果發現，碳化硅元件可改善能源效率的關鍵技術，其表現明顯勝過于硅元件。

濱田進一步分析，采用碳化硅的電源控制系統中具備更高頻率的控制，且功率模組、線圈、電容器的尺寸也明顯縮小。不過同時他也表示，未來并不排除采用氮化鎵作為提升燃料效率的功率半導體。

Yole Developpement功率電子暨化合物半導體事業單位經理Pierric Gueguen認為，碳化硅主要適用于600V以上的高功率應用，氮化鎵則適用于200～600V中功率應用。不過根據Yole的預測，到了2020年，氮化鎵將進一步往600～900V發展，屆時勢必會開始與碳化硅產生競爭關系。

由于氮化鎵鎖定中低功率應用，其應用市場規模要大于中高功率，因此Yole預估，氮化鎵元件2015年～2021年的成長率將達83%，其中電源供應器（Power Supply）將占相當大的一部份，近六成左右，而碳化硅同期的成長則相對緩慢，成長率約在21%左右。

關于SiC和GaN的一些技術比較

相較于SiC已發展十多年了，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球對于都市基礎建設、新能源、節能環保等方面的政策支持，擴大對于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進一步促進SiC/GaN功率元件的發展。

根據IHS IMS Research的報告顯示，在未來十年，受到電源、太陽光電（PV）逆變器以及工業馬達的需求驅動，新興的SiC和GaN功率半導體市場將以18%的速度穩步成長，預計在2022年以前，SiC和GaN功率元件的全球銷售額將從2012年的1.43億美元大幅增加到28億美元。