阿爾卡特朗訊貝爾實驗室、Thales與CEA-Letu日前聯合宣布，CEA-Leti已加入III-V實驗室，增強研發中心的產業研發能力，該實驗室居于全歐洲III-V半導體材料研究領域的最前沿。全新的公共與私人合作關系將結合III-V半導體與硅材料技術，開創新的研發視角并帶來新的研發動力。擴充后的III-V實驗室將擁有130多名技術研究人員及博士生。

　　全新的合作模式將充分發揮三家成員在硅材料、微電子及交叉整合等領域的全方位經驗，在以下方面帶來顯著提升：

　　融合硅基CMOS集成電路中III-V部件所帶來的無以倫比的速度、功率及光學功能。

　　通過交叉集成有源III-V部件(光學、微波、高功率部件)與硅基集成電路及微系統，開發具備創新功能的更智能、更小型化的部件。

　　生產基于硅基材料的III-V部件并在硅基微電子生產線上進行制造，從而降低成本。

　　CEA-Leti是全球領先的微電子與納米技術研究中心，它的加入能夠進一步增強III-V實驗室的實力。III-V實驗室成立于2004年，由阿爾卡特與Thales共同發起，能夠針對采用可雙重應用的光電及微電子技術的通用平臺進行快速開發，滿足兩大公司的市場需求，主要涉及電信、航天、國防及安全等領域。CEA-Leti將帶來其IP技術及在硅材料、微電子與微系統以及各種交叉整合方面的經驗，從而顯著擴大實驗室的研發應用范圍。

　　III-V實驗室將致力于研究整合半導體及硅材料潛力的實際應用，并將重點專注于4大研究與市場領域：

　　集成光電電路，整合III-V及硅材料的有源與無源功能，實現高速通信與數據傳輸。

　　基于GaN微電子的高功率及微波技術，旨在提升通信、航空、衛星、國防、能源及運輸系統等領域設備的功率密度、耐久性、能效及緊湊性。

　　全新一代高性價比、緊湊型、高靈敏且具有高選擇性的氣體傳感器，用于安全、工業流程控制及環境監測。

　　熱成像與近紅外成像，用于安全與國防應用。實驗室將開發全新類型的探測器，提升分辨率的同時降低總體成本，并加速其在工業品質控制、運輸及環保等領域的應用。

　　阿爾卡特朗訊貝爾實驗室研發主管GeeRittenhouse表示：“我們十分期待CEA-Leti的加入，其在硅材料領域的杰出成就將為III-V實驗室帶來更多激動人心的合作機會。III-V半導體已經為光學通信領域帶來了重大影響，實現了多項創新性突破，我們計劃在未來進一步提升整合該技術的硅基微電子平臺的性能，并降低成本與能耗。”

　　Thales研發與技術高級副總裁MarkoErman認為：“作為新加入III-V實驗室的第三家成員，Leti為我們現有的III-V半導體研究帶來了深厚的經驗與關鍵的硅材料技術，將創造更多創新機會。得益于對具備突破性功能的全新部件的系統開發，Thales將通過III-V實驗室提升多方面的競爭優勢。通過融合這些卓越的補充性技術并與Leti攜手，我們將成為全球領先的先進設備研發中心。”

　　LetiCEOLaurentMalier表示：“此次攜手開創了一種獨特的合作模式，將融合各方的能力、技術及理想，實現各合作方難以獨立獲得的新成就。各合作方均帶來了卓越的具有互補性的專業技術與經驗，將攜手實現我們的共同目標。而且，各方還將充分利用這些研發成果將最新技術轉化為帶給我們客戶的價值與收益。全新III-V實驗室將成為價值創新的不竭源泉。”

　　III-V實驗室位于巴黎南部，將成為ParisSudSaclay項目的核心組成部分，該項目旨在建設一個大型科學技術園區，包括研發機構、大學、精英學院及公司企業等。