光子學技術在汽車應用中有什么優勢？
2021-05-12 06:45:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導體發展至今，無論是從結構和加工技術多方面都發生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預測的一樣，半導體器件的規格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導體二極管的I-V特性
2019-10-16 17:32:16
半導體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導體發光二極管工作原理、特性及應用是什么？LED的特性是什么？LED顯示器的參數是什么？LED顯示器的應用指南有哪些？
2021-06-08 06:26:19
`半導體器件C-V特性測試方案交流C-V測試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測試方式來評估新工藝，材料， 器件以及電路的質量
2019-09-27 14:23:43
半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導體基礎知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
的防雷器件呢？這就是優恩半導體要講的重點了。 首先要掌握各類電子保護器件的工作原理、特性參數以及選型標準。優恩半導體就以半導體放電管的選型為例，介紹一下怎么選型？ 半導體放電管特性參數： ①斷態電壓VRM
2017-03-20 14:45:41
敏感，據此可以制造各種敏感元件，用于信息轉換。 半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價
2013-01-28 14:58:38
電阻率是決定半導體材料電學特性的重要參數，為了表征工藝質量以及材料的摻雜情況，需要測試材料的電阻率。半導體材料電阻率測試方法有很多種，其中四探針法具有設備簡單、操作方便、測量精度高以及對樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導體具有獨特的導電性能。當環境溫度升髙或有光照時，它們的導電能力 會顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導體具有獨特的導電性能。當環境溫度升髙或有光照時，它們的導電能力 會顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
掙脫束縛，會導致載流子濃度上升，從而打破這個平衡，溫度一定后會再次建立平衡。雜質半導體通過擴散工藝，在本征半導體摻入某些元素。一 .N型半導體在本征半導體加入+5價元素磷，由于加入了最外層為5個電子
2020-06-27 08:54:06
以前也知道點 但是現在想系統的學一下半導體工藝那本書比較好求大神指點 小弟這廂有禮了了
2014-06-04 21:51:19
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
NanoIdent Technologies公司開發了一款有機半導體光子傳感器。在柔性基底上印制有機傳感器可用于各種工業領域，也可用于現有的基于硅片傳感器市場。 NanoIdent有機光子傳感器
2018-11-20 15:43:46
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學工業工程研究所/微電子發展中心，上海 200093）摘要：由于半導體制造工藝過程的復雜性，一般很難建立其制造模型，不能對工藝過程狀態有效地監控，所以迫切需要先進
2018-08-29 10:28:14
一個比較經典的半導體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導體制造工藝》學習筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V族半導體納米線結構的光子學特性編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對電子和光子
2021-07-09 10:20:13
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：半導體行業的濕化學分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進行
2021-07-09 11:30:18
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導體材料達到有用的電阻率范圍。半導體的這種特性允許在材料中創建具有非常精確電阻率值的區域。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應用編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：Ga-N 系統的熱力學分析編號：JFSJ-21-043作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：純冷凝和氣態鎵
2021-07-07 10:28:12
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度計的設計與制作編號：JFSJ-21-042作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發射器器件應用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技關鍵字：InGaP，濕法蝕刻，蝕刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：n-GaN的電化學和光刻編號：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學創建
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：用于半導體封裝基板的化學鍍 Ni-P/Pd/Au編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設備的普及，BGA（球柵陣列）越來越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
或 Ni 的鹽，Mg、Zn、Ni 的不溶性氫氧化物沉積以防止腐蝕。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:40:10
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：超大規模集成電路制造技術簡介編號：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據其導電特性可分為三大類：絕緣體導體半導體
2021-07-09 10:26:01
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的純硅有一個主要的電氣特性：它是一種絕緣材料。因此，必須通過良好控制的工藝來改變硅的某些特征。這是通過“摻雜”硅獲得的。金屬沉積過程：蝕刻過程：組裝過程描述：文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:34:50
表面上的每個電子器件（例如晶體管）由具有不同電特性的獨立層和區域組成。圖1 - 集成電路中晶體管（特別是 MOSFET）的橫截面。顯示了設備的大致尺寸；使用當前技術，器件內的特征尺寸可以小于 1 mm
2021-07-01 09:37:00
哪種半導體工藝最適合某一指定應用？對此，業界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
去的三十年里，III-V 技術（GaAs 和InP）已經逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續不斷地減小，硅技術已經加入了這個“游戲”。在本文中，按照半導體特性和器件要求，對可用
2019-07-31 07:43:42
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性？低阻抗功率半導體開關有哪些應用優勢？
2021-06-26 06:14:32
`吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案半導體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等，是組成集成電路的基礎。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
想請教一下，國內有妍和江豐兩家半導體靶材（Ti,Niv,Ag）三種靶材的壽命及價格區間，12inch wafer！感謝了
2022-09-23 21:40:51
介紹了Ansys有限元軟件在半導體激光器熱特性分析中的應用,研究了中紅外InAlAs/InGaAs/InP量子級聯激光器在脈沖驅動條件下的穩態熱分布圖,對比分析了正裝貼片和倒裝貼片型激光器熱特性
2010-05-04 08:04:50
，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優勢，換言之，SiGe不但可以直接利用半導體現有200mm晶圓制程，達到高集成度，據以創造經濟規模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來IDM大廠的投入，SiGe技術
2016-09-15 11:28:41
`60V50A 50N06 惠海半導體 高性能低結電容SGT工藝N溝道MOS管HG012N06L TO-252封裝 高性能 穩定可靠東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注
2020-08-29 14:51:46
與固體電子學或凝聚態物理學碩士以上學歷。 2、熟悉半導體激光器工作原理、對半導體激光器有較深入的研究，熟悉半導體封裝工藝。 3、英語水平較好，能熟練查閱有關文獻。 4、分析問題及解決問題的能力較強，動手
2015-02-10 13:33:33
。 第1章 半導體產業介紹 第2章 半導體材料特性 第3章 器件技術 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導體制造中的化學品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學和缺陷檢查 第8章 工藝腔內的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
問個菜的問題:半導體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區別以及聯系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
本帖最后由 濟世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導體的導電特性1、半導體的導電能力介于導體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數金屬氧化物和硫化物都是半導體。2、常見
2016-10-07 22:07:14
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號：
2010-03-04 12:16:16
4356 阿爾卡特朗訊貝爾實驗室、Thales與CEA-Letu日前聯合宣布，CEA-Leti已加入III-V實驗室，增強研發中心的產業研發能力，該實驗室居于全歐洲III-V半導體材料研究領域的最前沿
2011-04-09 09:41:201423 半導體硅工藝學是一部半導體材料技術叢書，重點闡述了半導體硅晶體us恒章、外延、雜質擴散和離子注入等工藝技術
2011-12-15 15:17:38
119 納米光子學(或硅光子學)背后的想法其實很簡單：用眾所周知和大量可擴展的生產過程將世界上最快的通信技術(光)直接植入半導體芯片。它的目標是代替傳統上深奧和昂貴的部件和流程
2012-12-23 11:41:211418 晶元光電總經理周銘俊博士在“上游芯片技術創造下游應用新局面”發表了題為《實現III-V光電創新，推動未來智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:134496 本文首先闡述了半導體導電特性，其次介紹了本征半導體的導電特性，最后介紹了雜質半導體的導電特性。
2018-09-25 17:50:2333325 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：下一代半導體清洗科技材料系統 編號：JFKJ-21-188 作者：炬豐科技 摘要 本文簡要概述了面臨的挑戰晶圓清洗技術正面臨著先進的silicon技術向非平面
2023-04-23 11:03:00776 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00565 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：金屬氧化物半導體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設計規則 ? 互補金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00744 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環處理 編號：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學處理過程中的表面形貌。在SC-1清洗過程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00500 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件，?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00535 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V族化學-機械拋光工藝開發 編號：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術。二
2023-04-18 10:05:00601 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅光子集成芯片的耦合策略編號：JFKJ-21-545作者：炬豐科技摘要硅光子學最有吸引力的一個方面是它能夠提供極小的光學元件，其典型尺寸比光纖器件的尺寸小一個數
2021-12-17 18:41:4515 隔離器等。 從產業發展的大趨勢來看，未來光通信器件將主要以光集成技術(PIC)為核心，其中一大分支技術是基于III-V簇化合物半導體材料的光集成技術。通過硅光子學 (SiPho)技術，業界能夠將傳統用于CMOS集成電路上的技術經驗轉移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332878 ，這些問題變得更加重要。在本文中，我們提出了一種濕式微溝蝕刻工藝，允許單個太陽能電池的電隔離而不損害側壁。用溴-甲醇蝕刻，通常用于III-V化合物的非選擇性蝕刻的溶液，會在半導體表面形成不必要的蝕孔。我們研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01991 
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術出現適合在工業規模上實現這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:482253 
摘要 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件， 這項工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設備。 最初，設計，制造和光學表征研究了鋁砷化鎵波導增強光學非線性
2022-02-24 14:55:401658 
了人們生活的方方面面。將硅光子集成電路（PIC）納入到先進CMOS集成電路中的努力往往集中在那些僅靠II-VI或III-V族化合物半導體材料技術無法應對的要求上。但未來計算、汽車、健康和眾多其他應用將（或已經）受益于利用各種硅或混合技術的集成化光子
2022-11-01 10:48:061432 
半導體材料在開發納米光子技術方面發揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:552143 
? 人造鉆石生產的進步，使新的光子學技術成為了可能，但這些新技術在服務量子應用方面仍然存在許多挑戰。 過去十余年中，受到一系列關鍵技術趨勢和市場需求的推動，許多利用金剛石特殊物理特性的商用、新興光子
2023-06-28 11:03:251452 光子學器件通過物體與光的相互作用可以實現對光場多維度的調控，在現代光學的各個領域都有廣闊的應用前景。傳統光子學器件的設計主要是基于已知的物理原理，然后通過對個別特征參數的微調以實現對光子學結構的優化。
2023-07-15 11:06:412192 
硅光子是一種光子集成電路，經過幾十年的發展，硅光子學已經取得了重大進展
2023-12-26 11:33:081749 
合肥高新區消息指出，西安炬光科技與當地合作的泛半導體制程光子應用解決方案產業基地項目已于5月22日獲批《建筑工程施工許可證》并正式動工。
2024-05-24 17:39:051615 ? 本文概述了光子學，包括其基本原理、關鍵技術、應用和新興趨勢。 一、光子學的基本原理 光子學是一門研究光和其他形式輻射能的學科。它涉及使用光學元件、激光、光纖和電子光學儀器來產生、操縱和檢測光。它
2024-10-29 06:21:481408 銻化鎵是一種化合物晶體，化學式為GaSb。它由鎵（Ga）和銻（Sb）兩種元素組成。在半導體材料的研究與應用領域中，銻化鎵（GaSb）晶體以其獨特的電子和光學性質，占據著重要的地位。這種III-V族
2024-11-27 16:34:512415 
具有高增益和高輸出功率的硅基混合III-V半導體光放大器在許多應用中非常重要，如光收發器、集成微波光子學和光子波束成形。
2024-12-30 16:15:041274 
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