????? 隨著這種新器件的發布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現已供貨，其中包括耐熱增強型PowerPAK? SO-8封裝，它可在SO-8占位面積中實現低至1.9m?的業界最低的導通電阻。SiB457EDK采用PowerPAK ?SC-75封裝，是該系列中是迄今最小的器件，在1.6mm×1.6mm占位面積中實現了業界最低的導通電阻。其RDS(on)值從4.5V的35m?到1.5V的130m?。與具有相同額定電壓的最接近的P溝道器件相比，這些新的SiB457EDK在4.5V和2.5V電壓下的導通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導通電阻則降低了46%。

??? 該器件在4.5V和2.5V電壓下的導通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導通電阻則降低了46%、TrenchFET? Gen III P溝道技術在每平方英寸的硅片上裝進了十億個晶體管單元。

????? 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出一款業界最低導通電阻的新型20V P溝道功率MOSFET --- SiB457EDK，這是以往1.6mm×1.6mm占位面積的P溝道器件所不曾實現的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET? Gen III P溝道技術，該技術利用自對準工藝制程，在每平方英寸的硅片上裝進了十億個晶體管單元。該項前沿技術可實現極其精細、亞微米線寬工藝，將目前業界P溝道MOSFET的最低導通電阻減小了將近一半。

????? TrenchFET Gen III P溝道MOSFET有助于在各種應用中節約能源，如筆記本電腦和工業/通用系統中的適配器和負載開關，以及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設備的充電電路中的負載開關。每平方英寸裝入十億個單元的工藝實現了低導通電阻，這項重大技術突破意味著更低的傳導損耗、節省功耗和延長兩次充電之間的電池壽命。下表總結了目前發布的TrenchFET Gen III P溝道器件的主要規格。

????? SiB457EDK規定了四個柵極至源極電壓條件下的導通電阻額定值，包括使設計以較小的輸入電壓實現較高的安全裕量的1.5V額定值。同時，其緊湊的PowerPAK SC-75封裝可減少電源電路所需的空間，為其他產品功能或實現更小的最終產品開辟了空間。SiB457EDK還采用了2500V典型ESD保護，可減少現場故障，同時具有在VGS = 8V條件下僅為5μA的低漏電流。

????? P溝道TrenchFET Gen III功率MOSFET系列為無鹵素產品，符合IEC 61249-2-21、RoHS指令2002/95/EC，以及100%的Rg測試要求。

????? 新型SiB457EDK TrenchFET功率MOSFET已提供樣品，并已實現量產，大宗訂單的交貨時間為10至12周。