嗯? 又堅持了一天寫文章。在前面提到了很多關于互聯的問題。在電路中，互聯基本上就是焊盤的鏈接，還有就是電路中的線性器件。在信號的傳輸過程中，互聯主要是傳輸線、電阻、電容、電感之間連接。我們先從更本質上來理解線性器件。。所有互聯的電氣描述都是基于三種理想的集總元器件（電阻電容電感）和一個分布元件（傳輸線）。因為這直接影響阻抗，其中傳輸線有傳輸線理論，必須和集總元件相區別和分開理解。

如何將物理設計轉化為電氣性能，如前面提到的，用一個電路拓撲結構和理想元件參考值來替代。因此也就是將物理設計的長寬高和材料特性轉化成RLC的電氣描述形式。

電阻：R=ρd/A這個是電阻的定義（ρ電阻率d長度A面積=w*t）。那么一個電阻器的電阻也是按照這個公式計算的。這就沒什么好說的了，當然還有一些引申的定義比如單位長度電阻，面電阻等等。但都可以從上面公式推導出來。電阻器最大特點就是信號沒有相位變化，不管是低頻還是高頻。在相同電壓下，只會影響電流大小，當然只是說理想情況，不考慮寄生的電容和電感。

電容：C=Q/V 電容中的充放電概念相信大家一定狠狠清楚，也就是不同直流，能夠通交流。通過不斷的充放電從而有電流流動。I=ΔQ/Δt=CdV/dt..兩個導體之間的電容量與連接兩個導體的電力線多少有關，那么電力線的多少也就和距離材料有關了。當然如果形狀不一樣，電容量也會不一樣，球面電容和平面電容就不一樣，形狀的變化也就影響了電荷的積累也就會影響電力線的多少。一提到電容也就要提到材料的介電常數，因為介電常數也是影響電荷的存儲能力，介電常數越大電容越大，存儲電荷能力越強，自然電力線也就越多。所有這幾個參數都是相互影響的。但是在整個過程中我們應該抓住電荷量Q的變化，在其他條件一樣的時候，介電常數ε越大，電荷存儲能力越大。一些具體的形狀的電容計算公式可以百度一下，或者直接用二維場求解器。

TMD今天這網站抽風居然上不了圖，真是煩人。講到電容，順便也就講講電容器（集總器件）在整個電阻中的作用，一般是作為去耦、濾波這兩個作用。雖然電路中有很多的什么旁路電容、去耦電容、濾波電容、儲能電容等各種名稱，不要被各種名稱嚇到了，說的太好聽，它其實都只是一個跟頻率有關的充放電器件（充放的電能，電感充放的是磁能）。但是在整個過程中電容的工作原理是不變的，而且歸結起來也就是充放電，從而就能夠達到去耦和濾波的作用。比如電源去耦電容，也就是減小軌道塌陷，信號變化過程中，電流不斷變化，當電源和地之間的電壓沒有足夠的電壓去維持正常時，如果有個電容在電源旁邊，當電流不夠時能夠及時的補充。濾波，一樣的我們知道當電流變化快的時候，通過不斷的充放電也就能夠把不想要的頻率導入地平面，而有用的頻率對其充放電不能及時導走。如果要從數學上來了解，那就參考濾波的電路的公式推導。說回去耦：為減小電源分配系統中的電源軌道塌陷，在電源和地之間有足夠的去耦電容，也就是在δt時間內，電容C可以阻止電源電壓的下沉。如果芯片的功耗為P,由于去耦電容，電壓向下沉幅達到電源電壓5%的時間近似

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? δt=C*0.05*V2/P

這個公式可用于估計電源去耦電容大小。至于C的大小就要看，需要提供多久的充電時間了，通常情況下要提供5μs的時間，算出來C=10μF。也就是106。因此很多電源旁邊都要用106電容，當然有時候還要加個nF級別的小電容，也一樣如果所需充電時間要更快更短，所以通常并一個小的電容。