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EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底損傷性能

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2023-07-20 18:43:00

MAX13335EGEE/V+ - (Maxim Integrated) - 線性 - 放大器 - 音頻

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2023-07-20 18:43:30

MAX13335EGEE/V+T - (Maxim Integrated) - 線性 - 放大器 - 音頻

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2023-07-24 18:55:03

MAX13336EGEE/V+T - (Maxim Integrated) - 線性 - 放大器 - 音頻

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2023-07-24 18:55:14

鎖相環性能度量標準

鎖相環性能度量標準包括品質因數、噪聲基底、閃爍噪聲模型。
2023-10-30 17:19:511513

變頻器對電機的損傷問題如何預防?

盡管變頻器損傷電機的現象越來越被人們所關注,但是人們對造成這種現象的機理還不清楚,更不知道如何來預防。1、變頻器對電機的損傷變頻器對電機的損傷包括兩個方面,定子繞組的損傷和軸承的損傷。這種損傷一般
2023-11-06 08:07:311202

PCB設計有必要去除死銅嗎?

死銅呢? 有人說應該除去,原因大概是: 1、會造成EMI問題。 2、增強抗干擾能力。 3、死銅沒什么用。 有人說應該保留,原因大概是: 1、去了有時大片空白不好看。 2、增加板子機械性能,避免出現受力不均彎曲的現象。 PCB設計去除死銅的必要性: 一、我們不要死銅
2023-11-29 09:06:241987

如何控制元器件靜電放電損傷的產生

最容易在導電材料上產生,因此選擇具有良好防靜電性能的材料是防止靜電放電損傷的基礎。常見的防靜電材料包括抗靜電塑料、抗靜電硅膠等,這些材料能夠有效吸收和分散靜電,減小靜電放電的能量。 2. 使用靜電消除器:靜電消除器是
2024-01-03 11:43:271233

激光損傷測試對紫外激光應用的重要性

激光誘導損傷閾值(LIDT)定義了光學器件在不造成損傷的情況下可以處理的最大激光輻射量。這是將光學元件集成到激光器中時要考慮的最重要的規范之一。 紫外激光器 與諸如紅外光或可見光的較長
2024-03-19 06:34:37714

光學薄膜熱致損傷常見的模型

長脈寬激光及連續激光作用于薄膜時,雜質和缺陷對熱量的吸收積累是造成薄膜損傷破壞的主要原因,此時損傷主要以熱損傷為主。下面是幾個討論熱致損傷常見的模型。
2024-04-12 10:07:54977

變頻器對電機的損傷有哪些

變頻器作為一種高效的電機控制裝置,廣泛應用于工業領域以調節電機的工作速度和扭矩。然而,使用變頻器時必須考慮到其對電機潛在的損傷,主要包括定子繞組損傷和軸承損傷。這些損傷機制的理解對于確保電機的長期
2024-09-17 15:07:001550

高臺階基底晶圓貼蠟方法

高臺階基底晶圓貼蠟方法是半導體制造中的一個關鍵步驟,特別是在處理具有高階臺金屬結構的晶圓時。以下是一種有效的高臺階基底晶圓貼蠟方法: 一、方法概述 該方法利用膠厚和蠟厚將高臺階填平,并使用較輕
2024-12-18 09:47:05406

芯片濕法刻蝕殘留物去除方法

大家知道芯片是一個要求極其嚴格的東西,為此我們生產中想盡辦法想要讓它減少污染,更加徹底去除污染物。那么,今天來說說,大家知道芯片濕法刻蝕殘留物到底用什么方法去除的呢? 芯片濕法刻蝕殘留物去除方法主要
2024-12-26 11:55:232097

功能性電刺激FES 治療脊髓損傷

脊髓損傷的神經生理基礎原發性損傷機制脊髓損傷(SCI)的病理過程分為原發性損傷和繼發性損傷兩個階段。原發性損傷指創傷事件直接導致的機械性損傷,臨床最常見形式為挫傷伴隨持續性壓迫。其他形式包括撕裂傷
2025-07-04 19:03:441312

晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

晶圓蝕刻后的清洗是半導體制造中的關鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產物、污染物等),同時避免對晶圓表面或結構造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理:一、濕法清洗1.溶劑清洗目的:去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011622

橢偏儀原理和應用 | 精準測量不同基底光學薄膜TiO?/SiO?的光學常數

橢偏儀作為表征光學薄膜性能的核心工具,在光學薄膜領域具有不可替代的作用。本研究聚焦基底類型(K9玻璃、石英玻璃、單晶硅)對溶膠-凝膠法制備的TiO?和SiO?薄膜光學性能的調控機制。Flexfilm
2025-07-22 09:51:091317

光阻去除工藝有哪些

光阻去除工藝(即去膠工藝)是半導體制造中的關鍵步驟,旨在清除曝光后的光刻膠而不損傷底層材料。以下是主流的技術方案及其特點:一、濕法去膠技術1.有機溶劑溶解法原理:利用丙酮、NMP(N-甲基吡咯烷酮
2025-07-30 13:25:43916

光刻膠剝離工藝

光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282

兆聲波清洗對晶圓有什么潛在損傷

兆聲波清洗通過高頻振動(通常0.8–1MHz)在清洗液中產生均勻空化效應,對晶圓表面顆粒具有高效去除能力。然而,其潛在損傷風險需結合工藝參數與材料特性綜合評估:表面微結構機械損傷納米級劃痕與凹坑:兆
2025-11-04 16:13:22248

微粒子 + 雙離子交換!IXEPLAS 系列,智美行科技免費送樣助力精細電子制造

隨著電子設備向小型化、高密度、高精度方向發展,精細封裝、狹窄間距布線等技術得到廣泛應用,這對離子捕捉劑提出了更高要求:不僅要能高效去除雜質離子,還需具備小粒徑、低添加量、與精細材料兼容等特性。東亞
2025-12-16 16:03:19338

UV三防漆固化后怎么去除

UV三防漆固化后附著力強,難以直接去除,需根據基材類型、漆層面積及操作環境選擇科學方法。常見去除方式主要有化學法、加熱法與微研磨技術,操作時應以安全為首要原則,并盡量避免損傷基材與周邊元器件。電子三
2025-12-27 15:17:19165

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