本研究在實際單位工藝中容易誤染，用傳統的濕式清潔方法去除的Cu和Fe等金屬雜質，為了提高效率，只進行了HF濕式清洗，考察了對表面粗糙度的影響，為了知道上面提出的清洗的效果，測量了金屬雜質的去除量，測量了漆器和表面形狀，并根據清潔情況測量了科隆表面特性。

本實驗使用半導體用高純度化學溶液和DI 晶片，電阻率為22~38 ohm~ cm，使用了具有正向的4 inches硅基底，除裸晶圓外，所有晶片均采用piranha+HF清洗進行前處理，清楚地知道紗線過程中易污染的Cu和Fe等金屬雜質的去除程度。Cu金屬雜質的人為污染量和各次清洗產生的金屬物凈產物的除糠量均被定為TXRF，其結果為圖1。有效地去除了Cu金屬雜質，通過不斷反復處理，Cu雜質量減少到I×10" atoms/am左右。

從干氣化學角度考察這個結果如下，圖2顯示，在污名溶液中Cu以Cu~相狀存在，在這種人為污染溶液中浸泡SI FLE，形成了電化學電池，也就是說，污染溶液中的Cu2是通過對電子進行交聯的方法，通過Split 1清潔(HF-only)去除了界面上形成的SiO2，認為污染的Cu將從硅表面去除，但是，根據split 1清洗后Cu中的金屬雜質顯示出約1×101’ATOMS/CML的殘留量，因此，HF清洗對Cu有效，未能過度去除，紫外線/臭氧鏟入的split 2清洗后，Cu等金屬雜質水急劇減少，這是紫外線/臭氧處產生的反應性強的氧原子與硅表面上的Cu和硅反應，使Cu表面形成Cu2O等氧化膜，并與硅反應，形成SiO2氧化膜，結果Si/SiO2界面移動到Si內部，SiO2膜在下一次HF清洗中被去除，金屬氧化物也被同時去除。

?銅已從面上有效去除，表2是AFM測量銅的人為污染量及4種不同清洗下的表面粗糙度的結果，清洗后表面粗糙程度約為1.1A左右，結果是通過split 1(HF-only)清洗，銅和硅界面上存在的二氧化硅形成的凹陷和殘留的銅雜質，認為表面粗糙度沒有減少。HF清洗同時去除了這些氧化膜和金屬氧化物，認為表面粗糙度有所提高，被銅污染的晶片和紫外線/臭氧處理的晶片的曲面幾何體。

為了知道每次清洗的表面特性，測量了清洗后的接觸角度，紫外線/臭氧清潔形成親水表面是因為紫外線/臭氧處理形成的硅氧化膜和金屬氧化物，HF清洗去除了前處理中成型的氧化物，同時將硅表面終止為氫，因此結果顯示了疏水表面特性。 這是根據的金屬雜質的殘留量用TXRF分解的結果，鐵的人為污染量約為6× 101atoms/cm左右，污染量比銅污染的情況低，如果對這個結果進行全電化學的考察，鹽溶液的pH值為2.28左右，E=-0.139V 所以根據圖表，污染溶液內溶解FE，鐵離子~狀態穩定存在，也就是鐵離子的標準氫電極 (-0.440V)是存在于污染溶液內的，低于標準氫電極(0V)。

因此在鐵污染溶液內浸泡Si不會發生Fe的還原反應，而是發生H-的還原反應。對氧化還原半熔的外延吸附量不同，通過清洗有效地清除，這種清洗越重復，金屬雜質去除效果越好，表征粗糙程度也越大，反而更好。再次氧化殘留金屬雜質并通過清洗去除，有效地去除了，同時表面粗糙度也有所改善。

審核編輯：符乾江