大家知道芯片是一個要求極其嚴格的東西，為此我們生產中想盡辦法想要讓它減少污染，更加徹底去除污染物。那么，今天來說說，大家知道芯片濕法刻蝕殘留物到底用什么方法去除的呢？

芯片濕法刻蝕殘留物去除方法主要包括濕法清洗、等離子體處理、化學溶劑處理以及機械研磨等。以下是對芯片濕法刻蝕殘留物去除方法的詳細介紹：

濕法清洗

銅腐蝕液（ST250）：銅腐蝕液主要用于去除聚合物殘留物，其對聚合物的去除能力比較強。

稀氟氫酸（DHF）：稀氟氫酸能有效去除側壁損傷層，也能去除大多數刻蝕后的聚合物殘留物。

等離子體處理

含F物質的結殼帶與無F散裝帶：為了增強結殼帶，在等離子體中加入含F的物質，但需注意這些傾向于攻擊暴露的氧化硅襯底。

CF4+O2等離子體：用于去除聚合物步驟，隨后使用O2等離子體去除感光膜。

化學溶劑處理

熱SPM、有機溶劑：如熱SPM（過氧化硫模塊）/食人魚溶液、臭氧和硼材料等，用于去除光致抗蝕劑。

n-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亞氨基甲酸（DMSO）和四銨甲（TMSO）：這些溶劑型流體以各種形式和結合工藝使用，提高產量并減少系統損壞。

機械研磨

在某些情況下，可能需要采用機械研磨的方法來去除頑固的殘留物。

審核編輯 黃宇