摘要

在許多半導體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導體材料。 在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發半導體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學物質和顆粒雜質。

介紹

半導體是一種固體物質，其導電性介于絕緣體和導體之間。 半導體材料的定義性質是，它可以摻雜雜質，以可控的方式改變其電子性質。 硅是開發微電子器件最常用的半導體材料。 半導體器件制造是用來制造集成電路的過程，這些集成電路存在于日常的電氣和電子設備中。 在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，如沉積、去除、刻劃 。

硅片清洗程序 RCA清洗

RCA清洗是去除硅片中的有機物、重金屬和堿離子的“標準工藝”。 這里用超聲波攪拌去除顆粒。 圖2討論了RCA清洗方法。 第一步，硫酸和雙氧水的比例為1:1 - 1:4。 晶圓在100-1500C的溫度下浸泡10分鐘。 這個過程也被稱為pirhana清洗。 然后將晶片在氫氟酸(HF)溶液中浸泡1分鐘，其中HF和H2O的比例為1:10。

超音波和超聲波清洗

圖1所示。 不同類型的污染物，它們的來源和對硅片的影響

圖2所示。詳細的RCA清洗過程。

結論

污染物[18-19]發生在微電子集成電路制造過程中。 清洗是去除晶圓片污染物的最理想的工藝之一。 所有的清潔過程都是在一個無塵室內進行的。
審核編輯：湯梓紅