半導體器件是經過以下步驟制造出來的

一、從ingot（硅錠）到制造出晶圓的過程

二、前道制程:在晶圓上形成半導體芯片的過程:

三，后道制程:將半導體芯片封裝為 IC的過程。

在每一步驟，Nanoscope Systems都可以為三維形貌檢測技術提供快速精確可靠的測試方案。

一、【Si晶圓的制造工程】 :從圓柱形的硅錠切出圓盤狀的晶圓，并將其表面拋光，如同鏡面一樣。

第一步、從硅單結晶晶柱切出品圓狀的品圓(切成薄片:Slicing)

將圓柱狀的 Si單結晶晶柱貼在支撐臺上，再使帶有鉆石粒的內圓周刀刃旋轉，就可切出圓盤狀的晶圓。

第二步、Si晶圓的表面拋光(研磨-精磨:Polishing)

如果想制造缺陷少的器件，需要將 Si晶圓表面用機械或化學方法加以拋光成鏡面，

以去除表面的缺陷層。在此可使用NS3500對 wafer表面上三維均實現高精度(亞納米)粗糙度測量，用于評定拋光效果;同時對整個 wafer的TTV/Bow/Warp，Flatness進行測量

二、【前道制程】:反復進行黃光微影、蝕刻及雜質擴散的工程，以制造半導體芯片。

第一步、氣相成長

在完成鏡面研磨的晶圓表面(單結晶硅基板)形成氣相沉積層。

第二步、選擇性的摻雜擴散

運用類似照相技術的微影方法，可選擇性地擴散摻雜物而在部分區域制造想要地極性與雜質濃度。通過重復這個過程可制造所需求地半導體器件。

第三步、蒸鍍電極金屬

將鋁、銅等蒸鍍在晶圓表面形成電極及配線

NS3500 可以對3D形貌、高度、角度等進行測量。

三、【后道制程】：從晶圓切割芯片，再用導線與引線連接，然后用塑膜樹脂包裝IC芯片，并進行測試以去除不良品

第一步、切片（dicing）

將制造在晶圓上的半導體器件，用鉆石刀將晶圓切割成各個芯片。

第二步、Wire Bonding引線鍵合

用細金屬線，利用熱、壓力使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實現芯片與基板間的電氣互聯和芯片間的信息互通。

第三步、封裝

為了增加機械強度，將芯片上的接點用導線連接刀封裝外殼的引腳上，將芯片封裝起來。

第四步、測試篩檢

最后用測試表測定并判斷其電氣特性，并除去不良品。

專業術語

前道Front End:

后道Back End:

晶圓 Wafer:

晶粒 Die:

晶片、芯片Chip:

審核編輯 黃宇