半導(dǎo)體器件是經(jīng)過以下步驟制造出來的

一、從ingot（硅錠）到制造出晶圓的過程

二、前道制程:在晶圓上形成半導(dǎo)體芯片的過程:

三，后道制程:將半導(dǎo)體芯片封裝為 IC的過程。

在每一步驟，Nanoscope Systems都可以為三維形貌檢測(cè)技術(shù)提供快速精確可靠的測(cè)試方案。

一、【Si晶圓的制造工程】 :從圓柱形的硅錠切出圓盤狀的晶圓，并將其表面拋光，如同鏡面一樣。

第一步、從硅單結(jié)晶晶柱切出品圓狀的品圓(切成薄片:Slicing)

將圓柱狀的 Si單結(jié)晶晶柱貼在支撐臺(tái)上，再使帶有鉆石粒的內(nèi)圓周刀刃旋轉(zhuǎn)，就可切出圓盤狀的晶圓。

第二步、Si晶圓的表面拋光(研磨-精磨:Polishing)

如果想制造缺陷少的器件，需要將 Si晶圓表面用機(jī)械或化學(xué)方法加以拋光成鏡面，

以去除表面的缺陷層。在此可使用NS3500對(duì) wafer表面上三維均實(shí)現(xiàn)高精度(亞納米)粗糙度測(cè)量，用于評(píng)定拋光效果;同時(shí)對(duì)整個(gè) wafer的TTV/Bow/Warp，F(xiàn)latness進(jìn)行測(cè)量

二、【前道制程】:反復(fù)進(jìn)行黃光微影、蝕刻及雜質(zhì)擴(kuò)散的工程，以制造半導(dǎo)體芯片。

第一步、氣相成長(zhǎng)

在完成鏡面研磨的晶圓表面(單結(jié)晶硅基板)形成氣相沉積層。

第二步、選擇性的摻雜擴(kuò)散

運(yùn)用類似照相技術(shù)的微影方法，可選擇性地?cái)U(kuò)散摻雜物而在部分區(qū)域制造想要地極性與雜質(zhì)濃度。通過重復(fù)這個(gè)過程可制造所需求地半導(dǎo)體器件。

第三步、蒸鍍電極金屬

將鋁、銅等蒸鍍?cè)诰A表面形成電極及配線

NS3500 可以對(duì)3D形貌、高度、角度等進(jìn)行測(cè)量。

三、【后道制程】：從晶圓切割芯片，再用導(dǎo)線與引線連接，然后用塑膜樹脂包裝IC芯片，并進(jìn)行測(cè)試以去除不良品

第一步、切片（dicing）

將制造在晶圓上的半導(dǎo)體器件，用鉆石刀將晶圓切割成各個(gè)芯片。

第二步、Wire Bonding引線鍵合

用細(xì)金屬線，利用熱、壓力使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互聯(lián)和芯片間的信息互通。

第三步、封裝

為了增加機(jī)械強(qiáng)度，將芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接刀封裝外殼的引腳上，將芯片封裝起來。

第四步、測(cè)試篩檢

最后用測(cè)試表測(cè)定并判斷其電氣特性，并除去不良品。

專業(yè)術(shù)語

前道Front End:

后道Back End:

晶圓 Wafer:

晶粒 Die:

晶片、芯片Chip:

審核編輯 黃宇