摘要

采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個正六邊形的蝕刻坑密度(EPD)約為4000厘米在AlN的(0001)鋁表面上觀察到單晶。 EPD沿纖鋅礦結構滑移方向呈線陣分布，表明其規模相當大晶體在生長過程中所產生的熱應力。 XRD全寬半最大值(FWHM)晶體為35弧秒，表明晶格完美。這些吸收可能與雜質O、C、Si有關以及它們在AlN單晶中的配合物。

介紹

AlN是一種半導體間隙(6.2 eV)，具有高熱穩定性和導電性。 近年來，作為iii -氮化物材料als的代表，GaN和AlGaN在光電子制造中得到了廣泛的應用以及新的大功率電子設備。 然而，由于其與傳統襯底的熱和晶格不匹配，外延材料含有較大的位錯密度，這些缺陷限制了器件的壽命和性能[33 5]。 因為氮化鎵和富氮化鎵配合良好，所以氮化鎵及其衍生物的理想襯底三元化合物[。 在這種情況下，低缺陷密度和良好的氮化鋁單晶晶格完整性是制備高質量氮化鋁的先決條件。 因此,它是研究AlN單晶缺陷及其形成機理的必要手段。

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審核編輯：符乾江