產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現，在高頻高功率場景中讓傳統硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
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雙向器件，GaN BDS 的出現可以大大降低元器件的成本：無需工藝調整和 MASK 變動，通過合并漂移區和漏極及雙柵控制，即可實現單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產品升級，更是為高密度、高性能應用量身打造的動力解決方案，重新定義15W級電源的尺寸、效率與可靠性標準。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
PMOS 管（P 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）以 P 型半導體為襯底，通過柵極施加負電壓調控源漏極間空穴遷移，實現電路開關控制或信號放大，是拓展塢電路中的關鍵基礎器件，專為其多接
2025-12-04 11:12:41
30W氮化鎵全電壓認證方案1.方案介紹及產品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 在電氣化、可再生能源和人工智能數據中心的推動下，電力電子領域正經歷一場變革。安森美(onsemi)憑借創新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術引領這一浪潮，推出的高能效系統重新定義了性能與可靠性的行業標準。本文將解答關于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術對能源與電源解決方案未來發展的影響。
2025-11-20 14:57:242050 近日，綠聯新推出了一款速顯充160W多口氮化鎵充電器，這款充電器具備4個USB-C接口和1個USB-A接口，總輸出功率為160W。機身一側設有LCD屏幕，支持總輸出功率顯示和功率分配顯示，支持充電協議顯示。機身設有觸摸按鍵，可以旋轉屏幕顯示角度和內容，同時還支持充電器溫度顯示，使用更加安心。
2025-11-17 15:08:41671 
中的性能差異源于材料物理特性，具體優劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 現在氮化鎵材料技術比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術嘛？
2025-11-14 07:25:48
，其內部搭載了東科DK8710BD合封氮化鎵芯片，分別支持100W和30W輸出，還支持45W+45W、65W+30W等輸出策略，滿足包括米系用戶在內的消費群體對高性
2025-11-13 10:27:082782 
STMicroelectronics EVLONE65W USB Type-C?供電板是用于高密度、大功率65W USB供電 (USB-PD) 電路的參考設計，支持可編程電源 (PPS
2025-10-29 13:56:04384 
STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF參考設計（用于VIPERGAN65）是一款24V/65W參考設計，基于VIPERGAN65D高壓轉換器，采用隔離式QR反激拓撲進行設置
2025-10-16 15:36:38480 
STMicroelectronics EVLSTACF01-65WU USB-PD演示板STACF01是一款65W有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器，設計用于評估STACF01 ACF控制器
2025-10-16 15:10:17412 
在快充技術飛速發展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術的出現，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
不同的電源適配器來提供正確的電力供應。因此，設計一個優秀的電源適配器方案變得極為重要。今天要給大家介紹的是基于思睿達主推的CR6891A65W適配器方案，能效方面，
2025-09-29 10:21:48532 
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優化電源芯片的引腳在布局布線時，應當避免與其他信號線路平行敷設，以降低電磁干擾。根據芯片引腳功能和信號流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507132 01.擴展塢加充電寶 方案一 ? 1.支持絕大多數智能手機同屏或者擴展屏。 2.內置電池，隨時給手機充電（通過type-c)。 3.支持全功能TYPE_C設備，可以做接口擴展。 4.支持
2025-08-28 11:35:07600 
氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
，如何在有限體積內實現更高功率密度、更低成本與更強協議兼容能力，成為PD充電器方案設計中的核心命題。 本文拆解的是一款綠聯的 65W GaN 三口輸出的電源適配器，其內部采用三塊板構成. 整體實現了交流輸入整流與濾波、初級開關控制與功率變
2025-08-19 11:56:143364 
近日，應充電頭網邀請，在行業目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術展開深度分享，為行業發展勾勒清晰且充滿希望的藍圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發表了他對氮化鎵材料發展的寄語。
2025-08-14 15:31:223004 Buck+HUSB380B+HUSB382D 2C1A固定分配功率方案
雙Buck_65W 2C1A_降功率方案，采用慧能泰HUSB380B+HUSB382D級聯，單獨使用時任意C口都可以輸出65W，且單插
2025-08-13 13:22:57
65W PD 快充幾乎已經成為智能手機的標配了，但是快充所面臨的高效率、小體積、不燙手需求矛盾，仍然是工程師面臨的主要問題。傳統的快充同步整流方案效率不僅低，封裝體積也太大，很難滿足消費者對超便攜快
2025-08-08 16:51:451783 采樣走線，避免了復雜曲折的電流路徑設計，一馬平川的鋪個地平面即可實現功能。
3.靈活高壓輸出，協議高兼容：HUSB382D支持5V、9V、12V、15V和20V FPDO，具備最高65W的輸出功率，能兼容市面上主流的充電協議，以及擁有更高的充電效率。能夠滿足平板，筆記本，手機等多種電子設備的充電需求。
2025-08-07 10:43:09
設計大電流，高開關頻率同步降壓電路時，要想設計一個穩定可靠的系統，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設計同步整流電路時建議參考下圖的內容。圖為PCB布局設計參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
2025-08-06 11:39:343561 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰。
2025-07-25 16:30:444488 
英集芯IP6551是一款為車載充電器、適配器、智能排插、行車記錄儀提供完整的充電方案支持雙路DCP協議的65W輸出DC-DC降壓芯片，集成同步開關降壓轉換器，內置雙NMOS驅動器，轉換效率高。
2025-07-24 11:13:43617 
深圳市永阜康科技有限公司現在大力推廣國內首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時，驅動到4Ω可以在10%THD+N內輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102857 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
#Prisemi擴展塢市場趨勢據統計，2023年全球擴展塢市場規模達到了115.06億元人民幣。預測到2029年，全球擴展塢市場規模將以6.9%的年復合增長率增長至173.32億元人民幣。中國市場
2025-07-08 11:33:15504 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業界最高質量標準，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 
PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設計，否則就要重新設計PCB板
2025-06-26 16:11:111778 A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設備充電需求，還可以兼容傳統USB-A設備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設計方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CMPA0527005F 是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，由CREE公司生產。這款功放器在50V電源下工作，適用于0.5到2.7GHz
2025-06-17 16:08:25
CGH35060P1 是一款由Wolfspeed 生產的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設計。這款晶體管非常適合3.3-3.6 GHz WiMAX
2025-06-17 15:50:48
同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節省成本，更是大大縮短了開發時間，使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版 等多款筆記本電腦，均INBOX標配 65W 49cc氮化鎵快充充電器 ，這是迄今為止聯想筆記本電腦 最小體積的65W INBOX電源
2025-06-13 14:00:13813 
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實現噪音和紋波最優化打嗝模式本質為電源保護機制（如短路保護），優化需在保障可靠性的前提下進行。高頻噪聲問題需協同芯片設計、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
2025-06-12 15:46:16962 恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產生一定的電壓降。氮化鎵電源
2025-06-05 16:16:151141 半導體器件作為現代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體，憑借高功率密度與能效優勢，正推動電子設備技術革新。
2025-06-05 10:33:562489 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應用方案，立馬就有小伙伴發出了全電壓應用方案的需求。深圳銀聯寶科技有求必應，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統穩定性。在深圳銀聯寶科技最新推出的20W氮化鎵電源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
深圳銀聯寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！
2025-05-13 16:28:041036 
深圳銀聯寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
打造的GaNSense?氮化鎵功率芯片 系列，面向 功率至 600W的家電及工業電機驅動應用。 該全集成解決方案專為電機驅動應用設計， 將兩個氮化鎵FET與驅動、控制、檢測及智能保護功能集成在半橋里。 相較于傳統硅IGBT方案，其 效率提升4%，PCB占用面積減少40%，系統
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 30~65W快充應用CCM同步整流芯片U7106同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，典型應用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩定工作，可以在
2025-05-08 16:17:141033 關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現高效率，還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器
2025-05-08 11:08:401153 
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 供應CR6520B 65W 離線式開關電源 IC，提供CR6520B20v3a電源適配器方案關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向啟臣微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2025-04-29 11:44:40
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 蕞近經常有小伙伴問我：MacBook接口太少了，要怎么選擴展塢才不會踩雷？ 作為一名用了幾代Mac的老用戶，今天就來聊聊我選擴展塢的一點小心得 一、你真的需要擴展塢嗎？ 先問自己三個問題： 你是不是
2025-04-21 16:01:001024 電子發燒友網報道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數字能源、消費電子、汽車電子、機器人領域最新的氮化鎵器件方案。 圖：英諾賽科展臺新品和氮化鎵晶圓 電子
2025-04-21 09:10:422407 
如何實現高性能與低功耗的完美結合？在現代電子設備中，電源適配器的性能和效率至關重要。onsemi推出的NCP1341B1反激式控制器，為設計高性能離線功率轉換器提供了創新解決方案。本文將詳細解析基于NCP1341B1的65W適配器電源方案，揭示其核心技術優勢及應用場景。
2025-04-16 17:24:291454 
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 氮化鎵20WPD快充方案
2025-04-10 11:06:04731 
）快速充電器，最大輸出功率可達65W，輸入電壓為通用電網電壓。 這款準諧振離線變換器集成一個700V GaN（氮化鎵）晶體管和優化的柵極驅動器及典型的安全保護功能，降低了利用寬帶隙技術提高功率密度和能效的技術門檻。GaN功率晶體管的最高開關頻率為240kHz，開關損耗極小，可以搭配使
2025-04-01 10:01:261084 
深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供應330W氮化鎵方案CE65H110DNDI，原裝現貨 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 想給Switch充電兼投屏玩得更暢快，又不想要復雜的原底座？納祥科技Switch快充方案應運而生，本方案在設計上充分考慮了用戶的實際使用場景，力求為用戶帶來更便捷與高效的體驗。01方案概述納祥
2025-03-18 15:31:381077 
GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046951 
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 U2G5060-140P2 是一款 140W 應用頻率在 5.0~6.0GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管 具有高效率、高增益的特性。同時覆蓋 5-6GHz 應用的 Demo 板，輸出功率
2025-02-25 15:56:49
此參考設計是一款低成本、高密度 USB 適配器，在 ZVS 反激式拓撲中使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器UCC5304隔離式驅動器。20V 輸出時的最大額定功率為 65W，但可針對
2025-02-25 09:30:47811 ，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節省了設計空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 此參考設計是一個 65W USB PD3.0 適配器 適用于許多充電應用，包括 手機、筆記本電腦和平板電腦。設計 實現高效率和功率密度 使用LMG3624集成 GaN FET 和電流感應仿真。高效率 通過準諧振反激式實現，該 在簡單性和低級之間提供平衡 切換損耗
2025-02-24 09:28:18755 
UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器，內置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 （HEMT），可將交流轉換為直流，以實現高達 65W 的功率轉換器。它最適合高功率密度應用，例如手機快速
2025-02-21 15:56:06937 
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發光層再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
對于辦公多屏黨來說，HDMI分屏器和擴展塢是提升效率的利器。但除了基本的擴展屏幕功能，這些設備還隱藏著許多實用技巧，能夠讓你的多屏辦公體驗更上一層樓。
2025-02-17 17:10:231247 過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014 
前言 近期充電頭網拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產品基于華源智信氮化鎵方案設計，因此整體做到相當小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
2 月 6 日消息，海外廠商 Dockcase 近日推出了一款七合一 USB-C 10Gbps 擴展塢，為數碼設備用戶帶來了全新的解決方案。 從接口配置來看，該擴展塢十分豐富。它擁有 1 個
2025-02-07 18:02:551323 氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021106 深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力氮化鎵芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域，設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在半導體產業這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰
2025-01-22 09:43:37449 
UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器，內置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，可將交流電轉換為直流電，適用于高達 65W的電源轉換器。它非常適合高功率密度應用，例如手機
2025-01-21 17:18:141589 
在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 氮化鎵襯底的優勢，確保其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精準測量至關重要，因為這直接關聯到后續芯片制造工藝的良率與性能表現。不同的吸附方案恰似一雙雙各異
2025-01-17 09:27:36420 在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
2025-01-15 15:41:09899
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