文章來源：半導體與物理

原文作者：jjfly686

本文介紹了什么是超臨界CO?清洗技術。

在芯片制程進入納米時代后，一個看似矛盾的難題浮出水面：如何在不損傷脆弱納米結構的前提下，徹底清除深孔、溝槽中的殘留物？傳統水基清洗和等離子清洗由于液體的表面張力會損壞高升寬比結構中，而超臨界二氧化碳（sCO?）清洗技術，憑借其獨特的物理特性，正在改寫半導體清洗的規則。

超臨界CO?：當氣體與液體界限消失

當二氧化碳處于臨界點（溫度31.1℃，壓力7.38 MPa）以上時，會進入既非氣體也非液體的超臨界態。此時它展現出顛覆性的特性：

零表面張力：可滲入寬深比超過100:1的納米孔洞；

氣體級擴散性：運動速度是液態溶劑的10倍，3秒內滲透1微米深結構；

液體級溶解力：可攜帶專用清洗劑，溶解金屬殘留和有機污染物。

這種狀態下的CO?如同"隱形清潔工"，能在不接觸器件表面的情況下完成深度清。

為什么選擇超臨界CO?清洗？

突破物理極限的清潔能力

DRAM電容清洗：現代DRAM采用深寬比60:1的圓柱形電容（直徑20 nm，深度1.2 μm），傳統濕法清洗液因表面張力無法到達底部，而sCO?可100%覆蓋（三星在1α nm工藝中應用該技術）；

3D NAND清洗：232層NAND的存儲孔深度達8 μm，直徑僅40 nm（深寬比200:1）。

零損傷的溫和工藝

無高頻等離子體轟擊，避免FinFET鰭片的原子級損傷；

無水分殘留，消除銅互連線（線寬10 nm）的電化學腐蝕風險。

環保與成本優勢

CO?可循環使用，單次工藝耗材成本比異丙醇（IPA）清洗降低70%；

無有害廢物排放，較傳統清洗減少95%的化學廢水。