STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I^2^C總線電子擦除可編程只讀存儲器 (EEPROM) 組織為8K x 8位。STMicroelectronics M24C64X-DRE的工作電源電壓范圍為1.7V至5.5V，時鐘頻率高達1MHz，環境工作溫度范圍為-40°C至+105°C。該電子擦除可編程只讀存儲器 (EEPROM) 提供一個額外的8位芯片使能寄存器，用于實現可配置設備地址 (CDA) 和存儲器寫保護功能。憑借這兩項特性，M24C64X-DRE能夠提供可配置設備地址（經軟件授權），以配置多達八個芯片使能地址，并通過設置（經軟件）軟件寫保護位來提供整個存儲器陣列的寫保護。

數據手冊：*附件：STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I2C總線電子擦除可編程只讀存儲器數據手冊.pdf

特性

兼容以下I^2^C總線模式
- 1MHz（高速傳輸率）
- 400 kHz（快速模式）
- 100kHz（標準模式）
存儲器
- 64-Kbit（8KB）EEPROM
- 32字節頁面大小
電源電壓范圍：1.7V至5.5V
擴展工作溫度范圍：-40°C至+105°C
快速寫入周期時間 - 字節和頁面寫入時間為5ms（典型值為3.5ms）
芯片使能寄存器
軟件寫保護
隨機和順序讀取模式
性能
- 增強型4kV ESD/閉鎖保護
- 超過400萬次寫入循環
- 數據保留逾200年
超低功耗電流消耗
- 待機電源電流：300nA（典型值）
- 讀取時電源電流：170μA（典型值）
- 寫入時電源電流：250μA（典型值）
WLCSP 4焊球（兼容ECOPACK2）封裝

邏輯圖

方框圖

?STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb I2C EEPROM技術解析與應用指南?

?一、芯片核心特性概述?

STMicroelectronics M24C64X-DRE是一款64Kbit（8KB）串行I2C總線EEPROM，具有以下突出特性：

?寬電壓支持?：1.7V至5.5V單電源供電，兼容工業級應用環境（-40°C至+105°C）。
?高速接口?：支持1MHz（高速模式）、400kHz（快速模式）和100kHz（標準模式）時鐘頻率。
?高可靠性?：
- 數據保存期限超過200年
- 擦寫壽命超過400萬次（25°C環境下）
- 增強型4kV ESD/閂鎖保護
?低功耗設計?：
- 待機電流低至300nA（典型值）
- 寫入電流250μA（典型值）

?二、關鍵功能模塊解析?

?2.1 存儲器組織?

?容量結構?：8K×8位陣列，頁大小為32字節，支持頁寫入（最大32字節/次）。
?地址分配?：16位地址尋址（A15-A0），分為高字節（A15-A8）和低字節（A7-A0）。

? 2.2 芯片使能寄存器（Chip Enable Register） ?

?可配置設備地址?（C2/C1/C0）：支持8種地址組合，解決I2C總線多設備沖突問題。
?軟件寫保護位?（SWP）：
- SWP=0：允許讀寫操作（默認狀態）
- SWP=1：全局寫保護（只讀模式）
?非易失性配置?：寄存器值在斷電后保留，上電自動加載。

?2.3 I2C協議實現?

?標準通信流程?：
- 起始條件（START）：SCL高電平時SDA下降沿
- 停止條件（STOP）：SCL高電平時SDA上升沿
- 數據有效性：SDA在SCL高電平期間需保持穩定
?設備尋址?：7位設備地址（1010XXX，XXX為C2/C1/C0配置值）+ R/W位。

?三、典型應用場景與設計要點?

?3.1 寫入操作優化?

?頁寫入模式?：連續寫入同頁內數據（≤32字節），減少協議開銷。
?注意?：跨頁寫入會觸發“回繞”（地址自動歸零）。
?寫入輪詢策略?：通過ACK polling檢測內部寫入完成（典型時間3.5ms），避免總線阻塞。

?3.2 硬件設計建議?

?上拉電阻計算?：
- 400kHz模式：Rbus×Cbus ≤ 400ns
- 1MHz模式：Rbus×Cbus ≤ 150ns
  （參考數據手冊圖12-13）
?電源去耦?：VCC引腳需并聯10nF-100nF電容，確保電壓穩定。

?四、性能參數與選型參考?

參數	條件	典型值	最大值
寫入時間（tW）	字節/頁寫入	3.5ms	5ms
待機電流	VCC=1.8V	300nA	1.5μA
工作電流（讀取）	VCC=3.3V, 1MHz	170μA	2.5mA
數據保存溫度	55°C環境	-	200年