半導體行業分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業，集成電路又分為邏輯、模擬、存儲等細分行業。在半導體行業中，最重要的方向莫過于存儲器。其應用領域廣泛，幾乎所有常見的電子設備都需要使用存儲器。

根據WSTS 2019年11月估計數據，2019年全球半導體行業的整體規模在4000億美元以上，存儲器的市場規模超過1000億，是半導體中規模最大的子行業，占比超過1/4。

DRAM：市場被寡頭壟斷，本土企業有望破局

DRAM是存儲器市場規模最大的芯片，主要應用于計算機、服務器和移動設備上，2018年DRAM市場規模已超過1000億美元，2019年由于價格大幅下降以及服務器、手機等下游均出現同比下滑，市場空間出現下降，根據Trend Force數據統計，2019年DRAM市場空間約621億美元。

其中DDR/LPDDR為DRAM的應用最廣的類型，兩者合計占DRAM應用比例約90%。

目前，DRAM芯片的市場格局是由三星、SK海力士和美光統治，三大巨頭市場占有率合計已超過95%，而三星一家公司市占率就已經逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國企業對DRAM芯片議價能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴重的基礎產品之一。

現階段，國內DRAM芯片的先進廠商為合肥長鑫，公司存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，一期設計產能每月12萬片晶圓，目前已經實現對外供貨。另外，在DRAM芯片IP領域，國內IP領先的芯動科技也已有所成，擁有DDR5/4/LPDDR5/4 PHY&Controller全套內存接口解決方案，同時在全球范圍內率先發布并量產GDDR6 IP&GPU高帶寬存儲交互解決方案。

DRAM：進入1z制程時代，技術仍有差距

DRAM的技術發展路徑是以微縮制程來提高存儲密度。制程工藝進入20nm之后，制造難度大幅提升，內存芯片廠商對工藝的定義從具體的線寬轉變為在具體制程范圍內提升二或三代技術來提高存儲密度。譬如，1X/1Y/1Z是指10nm級別第一代、第二代、第三代技術，未來還有1α/1β/1γ。

目前市場上DRAM的應用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨頭廠商均已開發出1Znm制程的DRAM。國產DRAM廠商合肥長鑫現已量產的DRAM為19nm制程，預計2021年可投產17nmDRAM，技術與國際先進的廠商還有較大的差距。但在DDR5/LPDDR5 IP環節，國內廠商已實現了在三星、中芯國際、臺積電、格芯等全球主流代工廠的5-22nm先進制程工藝上驗證或流片、量產，可以說已經走在全球先進DRAM芯片IP的最前列。

DDR5：DDR系列性能持續優化，DDR5需求逐步增長

DDR是雙倍速率同步動態隨機存儲器，在SDRAM(Synchronous DRAM)的基礎上發展而來，與SDRAM相比，它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，使得數據傳輸速度加倍，主要應用在個人計算機、服務器上。

自2000年DDR1推出后，20年內DDR系列已更新到了第五代，主要發展方向為工作效率提升與工作電壓降低。

2018年至2020年，海力士、美光、三星先后宣布完成DDR5研發，國內產商方面，瀾起科技表示將在2020年內完成DDR5研發，而芯動科技今年也已實現了自主DDR5 IP的量產商用。相比于DDR4，DDR5具有更高的帶寬，更快的速率，更低的功耗。據固態技術協會(JEDEC)，DDR5突發長度增加到BL16，存儲區技數增加至32，為DDR4的兩倍；最高速率可達4.8Gbps，是DDR4的150%；輸入緩沖和核心邏輯的供電電壓降低至1.1V。

根據IDC預測，DDR5的需求將逐步增長，在DRAM市場的占有率將于2021年達到25%，在2022年進一步上升至44%。盡管在供給端國內IP商已提供速率高至6.4Gbps的DDR5/LPDDR5解決方案，需求端DDR5、LPDDR5應用的服務器、移動手機都在增長，但供需雙方尚未形成良好的內部循環體系，需求側慣性尋找國外技術，供需資源和潛力沒有得到充分發揮，因此未來DDR5市場也將是國內內存廠商的重要方向。