HMC - APH596：16 - 33 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器深度解析 在微波和毫米波頻段的應用中，功率放大器是不可或缺的關鍵組件。今天，我們就來詳細探討一款性能出色
2025-12-31 10:50:12
148 探索HMC - AUH256：高性能GaAs HEMT MMIC驅動放大器 在當今高速發展的通信技術領域，對于高性能放大器的需求日益增長。HMC - AUH256作為一款GaAs HEMT MMIC
2025-12-31 10:50:09127 探索HMC - AUH232：DC - 43 GHz的GaAs HEMT MMIC調制器驅動放大器 在當今高速發展的電子領域，對于高性能、寬帶寬的放大器需求日益增長。HMC - AUH232作為一款
2025-12-31 10:50:06159 71 - 86 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器 HMC - AUH320 深度解析 在高頻電子設備應用領域，高性能放大器的選擇對于系統的整體性能起到至關重要的作用。今天，我們就來
2025-12-31 10:50:02138 探索HMC - AUH249：DC - 35 GHz GaAs HEMT MMIC調制器驅動放大器 在當今高速發展的電子通信領域，高性能的放大器對于各類系統的穩定運行至關重要。今天，我們將深入探討
2025-12-31 10:45:03136 探索HMC - APH462：15 - 27 GHz GaAs HEMT MMIC 1瓦功率放大器 在高頻電子設備的設計中，功率放大器的性能往往決定了整個系統的表現。今天，我們就來深入了解一款高性能
2025-12-31 10:30:06154 探索HMC - ALH482：2 - 22 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 在當今的電子工程領域，低噪聲放大器（LNA）在眾多應用中都起著至關重要的作用。今天我們就來詳細探討一款
2025-12-31 10:30:02145 HMC - APH460：27 - 31.5 GHz GaAs HEMT MMIC 0.5 瓦功率放大器解析 在毫米波頻段的功率放大器設計中，HMC - APH460 這款 GaAs HEMT
2025-12-31 10:25:19131 HMC - APH196：17 - 30 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器的深度解析 在射頻和微波領域，功率放大器是至關重要的組件，它直接影響著系統的性能和穩定性。今天，我們將
2025-12-31 10:25:14144 探索HMC - ALH445：18 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的卓越性能 在當今高速發展的電子通信領域，低噪聲放大器（LNA）作為關鍵組件，其性能直接影響著整個系統
2025-12-31 10:10:09143 HMC - ALH444：1 - 12 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的深度解析 在電子工程領域，低噪聲放大器（LNA）是射頻前端電路的關鍵組件，其性能直接影響到整個系統的靈敏度
2025-12-31 10:10:03158 詳解 HMC - ALH435：5 - 20 GHz GaAs HEMT MMIC 低噪放大器 在射頻和微波領域，低噪聲放大器（LNA）是至關重要的組件，它能夠在放大微弱信號的同時，盡可能
2025-12-31 10:05:0581 HMC - ALH310：37 - 42 GHz GaAs HEMT低噪聲放大器的全方位解析 在毫米波頻段的射頻應用中，低噪聲放大器（LNA）的性能對整個系統的靈敏度和信號質量起著關鍵作用。今天我們
2025-12-31 09:55:1380 HMC-ALH313：27 - 33 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的深度解析 在毫米波頻段的射頻設計中，低噪聲放大器（LNA）起著至關重要的作用。今天我們要深入探討
2025-12-31 09:55:10104 探索HMC - ALH364：24 - 32 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 一、引言 在射頻和微波領域，低噪聲放大器（LNA）是至關重要的組件，它能夠在放大信號的同時盡可能
2025-12-31 09:55:0768 探索HMC - ALH369：24 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 在毫米波頻段的電子設計領域，低噪聲放大器（LNA）是至關重要的組件，它能有效放大微弱信號同時盡量減少
2025-12-31 09:55:0379 探索 HMC - ALH244：24 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC 低噪聲放大器 在高頻通信和雷達系統中，低噪聲放大器是至關重要的組件，它能夠在放大信號的同時盡可能減少噪聲的引入
2025-12-31 09:10:12109 探索HMC - ALH140：24 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 在毫米波通信和雷達系統等高頻應用領域，低噪聲放大器（LNA）是至關重要的組件，它能夠在放大信號的同時
2025-12-31 09:10:0292 探索HMC - ABH209：55 - 65 GHz GaAs HEMT MMIC中功率放大器 在毫米波頻段的電子設計領域，合適的功率放大器對于實現高效、穩定的信號傳輸至關重要。今天，我們就來深入
2025-12-30 17:25:16389 探索HMC - ABH241：50 - 66 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器 在當今的高頻通信和雷達系統中，高性能的功率放大器至關重要。今天，我們就來詳細探討一下Analog
2025-12-30 17:15:17413 深入剖析SN65LVDS18/19與SN65LVP18/19：高頻振蕩器增益級/緩沖器的卓越之選 作為電子工程師，在設計高頻電路時，選擇合適的振蕩器增益級和緩沖器至關重要。今天，我們就來詳細探討
2025-12-29 15:05:2295 探索SN65LVDS18/19、SN65LVP18/19：高頻振蕩器增益級/緩沖器的卓越之選 在電子設計領域，高頻振蕩器增益級/緩沖器對于信號處理和傳輸至關重要。今天，我們將深入探討德州儀器（TI
2025-12-29 14:50:19106 NSM2012霍爾效應電流傳感器，高集成、高精度、高可靠性，如同一把為高效能源世界打造的“精密尺子”和“安全衛士”。
2025-12-29 14:32:4568 
MXM系列MEGA? - MIDI?保險絲座：高電流應用的理想之選 在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的保險絲座對于電路的安全和穩定運行至關重要。今天，我們來詳細了解一下MXM系列MEGA
2025-12-15 14:55:09212 探索SSH - G01霍爾效應齒輪齒速與方向傳感器：電子工程師的理想之選 在電子工程領域，傳感器的性能直接影響著整個系統的運行效果。今天，我們來深入了解Piher Sensing Systems公司
2025-12-12 15:20:09204 探索 HCSP - 1BS 汽車開環電流傳感器：設計與應用的理想之選 各位電子工程師們，在汽車電子系統的設計中，電流傳感器是至關重要的元件，它直接影響著電池管理、電機控制等關鍵系統的性能。今天，我們
2025-12-12 11:15:09286 探索HRPS霍爾效應旋轉位置傳感器：工業與交通領域的理想之選 在電子工程領域，傳感器的性能和穩定性對于各種應用的成功至關重要。今天，我們將深入探討PIHER（Amphenor旗下公司）的HRPS霍爾
2025-12-11 15:30:15280 探索HRPS-M50霍爾效應角度傳感器：工業應用的理想之選 在電子工程師的日常工作中，角度傳感器是一個至關重要的組件，它廣泛應用于工業自動化、交通運輸、可再生能源等眾多領域。今天，我們就來深入
2025-12-10 10:05:10285 組態。
39、在多級放大電路中總的通頻帶比其中每一級的通頻帶窄。
40、場效應管從結構上分成結型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。
41、場效應管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型
2025-12-05 08:21:15
、MC74HC4852A、MC74HCT4851A和MC74HCT4852A，這些器件具有獨特的注入電流效應控制功能，為電子工程師帶來了新的設計思路和解決方案。
2025-11-26 16:26:48429 
的工程設計、材料研發和工藝創新，有效應對高電流工況下的散熱挑戰，為電力設備提供安全可靠的連接保障。在800A滿載連續運行測試中，拓普聯科大電流端子展現出卓越的溫升控
2025-10-31 16:06:172008 
在伺服驅動器的相電流采樣中，速度波動是影響控制精度的關鍵問題，其根源往往與 Shunt 電阻的熱電偶效應相關。本文以 NSI1306 隔離 ΣΔADC 的應用為例，首先剖析 Shunt 電阻誤差
2025-10-27 14:10:212263 
閂鎖效應（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險的寄生效應，可能導致芯片瞬間失效甚至永久燒毀。它的本質是由芯片內部的寄生PNP和NPN雙極型晶體管（BJT）相互作用，形成類似可控硅（SCR）的結構，在特定條件下觸發低阻抗通路，使電源（VDD）和地（GND）之間短路，引發大電流失控。
2025-10-21 17:30:381965 
傳感器，作為一種基于霍爾效應原理的非接觸式測量器件，正以其獨特的優勢，成為洞察電流信息的“智慧之眼”，廣泛應用于從工業到民用的各個角落。一、核心原理與獨特優勢?霍爾電流傳感
2025-10-17 17:08:23703 
### 一、MT19N10-VB 產品簡介 MT19N10-VB 是一款 **單 N 溝道 MOSFET**，采用 **TO252** 封裝，專為高電壓和大電流應用設計。它具有
2025-10-11 17:10:33
繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，在消費電子領域，特別是快速充電器產品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
海量知識隨手查你的AI小助理為何越來越“絲滑”？三兩句文字眨眼變身美圖動畫是誰將你的奇思妙想逐一實現？手機拍照秒出大片行車導航精準選定最佳路線是誰在為你的假日保駕護航？輕輕一點，海量運算在你每一次
2025-08-26 09:24:19889 
電流探頭基于電磁感應和霍爾效應，用于精準測量電流，適用于不同領域，需關注參數如量程、帶寬和精度。
2025-08-22 13:38:39561 焊接吊橋效應：表面貼裝技術中的立碑現象解析
2025-08-20 10:04:13838 德州儀器 (TI) 的封裝內基于霍爾效應的技術（例如 TMCS112x 和 TMCS113x）不僅可以提供高精度和低漂移，能夠在整個生命周期和溫度范圍內實現精確的電流測量，而且易于使用且成本低
2025-08-04 17:40:427218 
Texas Instruments TMCS1123/TMCS1123-Q1精密霍爾效應電流傳感器設計用于滿足電動汽車 (EV) 充電和太陽能等高壓系統中高精度電流測量的需求。這些電流隔離傳感器在
2025-08-04 14:26:39904 
Texas Instruments TMCS1126/TMCS1126-Q1霍爾效應電流傳感器是電流隔離型傳感器，具有高抗外部磁場能力。提供與這些傳感器中輸入電流成正比的輸出電壓，在所有靈敏度選項
2025-07-30 09:57:32602 
Texas Instruments TMCS1127/TMCS1127-Q1霍爾效應電流傳感器是電隔離霍爾效應電流傳感器，具有業界領先的精度和隔離特性。在所有靈敏度選項下均提供與輸入電流成正比的輸出
2025-07-23 10:12:53598 
分立元件知識與應用專題--電感知識及應用案例
2025-07-15 19:24:22353 
分立元件知識與應用專題--電容知識及應用案例
2025-07-15 19:22:33371 
項目講解的方式，為我們鋪開了一條從電路設計、原理圖設計、PCB設計，再到信號仿真互連優化的完整知識鏈路。點擊圖片，查看課程詳情！今年，我們將目光聚焦于一個極具挑戰性
2025-07-11 16:31:01565 
在CMOS電路中，存在寄生的PNP和NPN晶體管,它們相互影響在VDD與GND間產生一低阻通路，形成大電流，燒壞芯片，這就是閂鎖效應，簡稱latch-up。
2025-07-03 16:20:463775 
問題的根源，正是組件與地之間持續存在的直流漏電流。PID效應的隱形殺手當光伏組件負偏壓超過閾值，離子會穿透玻璃向電池片遷移。這種看似微弱的漏電流（通常80mA時，啟動夜間
2025-06-30 15:18:18568 
的，這將使不同空間位置的光所經歷的光程長度不同，即介質對入射光束的作用等價于光學透鏡，從而導致光束的自行聚焦效果。
特別地，當入射光束強度沿垂直光軸的界面內呈高斯形時，且強度足夠產生非線性效應的情況下
2025-06-17 08:52:44
SGK5872-20A
類別：GaN 產品 > 用于無線電鏈路和衛星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學的工程師們宣稱，他們已經打開了一扇大門，有望制備出
2025-06-12 15:44:37800 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領域核心開關器件，通過柵極電壓控制導通狀態： ? 結構特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052284 進行仿真，結果不就能和測試對得上了嘛！按照燈芯效應大致建模后，仿真得到的過孔阻抗也是47歐姆的樣子，和測試出來的非常接近！
這次的確不止是粉絲們漲知識的一天，對于Chris來說同樣也是哈！當然這種效應
2025-05-26 14:10:09
霍爾效應由埃德溫·霍爾于1879年發現，但直到數十年后技術發展才使得集成電路能夠充分利用這一現象。如今，霍爾效應傳感器集成電路為實現精確電流測量提供了便捷方案，同時保持被測電流路徑與測量電路之間
2025-05-21 11:58:291020 
電流傳感器在各類應用場景中廣泛使用。傳統電阻式電流檢測技術通過測量分流電阻兩端的壓降來推算電流值，但這類方案無法實現電氣隔離，且在測量大電流時能效較低。另一種主流技術基于霍爾效應原理。霍爾電流
2025-05-20 11:59:081550 
Javg，或稱Iavg/Jdc/Idc，即保證EM低風險的最大直流DC電流，是直接和電遷移效應失效相關聯的。
2025-05-20 11:16:151268 
場效應晶體管（TFET）沿溝道方向有一個 PN結，金屬-半導體場效應晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個柵電極肖特基勢壘結。
2025-05-16 17:32:071122 
的，這將使不同空間位置的光所經歷的光程長度不同，即介質對入射光束的作用等價于光學透鏡，從而導致光束的自行聚焦效果。
特別地，當入射光束強度沿垂直光軸的界面內呈高斯形時，且強度足夠產生非線性效應的情況下
2025-05-16 08:47:10
本篇技術文章深入探討了Allegro APS11753霍爾效應開關，分析了其復雜性并為工程師們提供了優化設計開窗檢測解決方案所需的見解。我們將在基礎知識之上，根據霍爾效應原理，結合磁性開關的內部架構并探討為提升性能的先進設計技術。
2025-05-12 10:14:49949 
電流探頭作為泰克示波器的重要配件，在電力電子、電機驅動、新能源等領域承擔著精確測量電流信號的關鍵任務。本文將結合泰克示波器的技術特性，從基礎連接、參數配置到高級調試技巧，系統講解電流探頭的設置流程
2025-05-06 16:15:441007 
商用的最核心技術之一。本課程對BMS技術相關知識， 進行概念級、掃盲級講解；讓所有關注、關心、以及想進入新能源行業發展的朋友們，能夠對BMS技術知識有最基本的 認識；也希望通過本課程的引導，讓相關人員有
2025-05-02 11:04:52
以工作中使用最多的反激電源來說，個人認為最重要的是變壓器和環路補償設計，而前者涉及的知識點又比較龐雜，包括晦澀難懂的磁學理論，變壓器設計的好壞更是直接決定了電源項目的成敗。
此文檔將詳細講解反激電源變壓器的基礎原理
2025-04-28 16:51:20
效應。霍爾效應電流傳感器由于其傳感器與待測電流之間的電氣隔離，提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產生的高功耗。在本文中，我們將了解霍爾
2025-04-21 11:56:271098 
的表面呢？答案就是“電子”
圖1
交變電流通過導體時，導體的中心部位沒有任何電流，電流幾乎都集中到導體的表面很薄很薄的一層，這個現象就稱之為“趨膚效應”，如上圖1中右邊所示。
那趨膚效應產生
2025-04-21 11:37:24
有一個米勒效應的。 米勒效應，實際上是有一個固有的轉移特性。在這個轉移特性里面有什么關系 呢？就是：柵極的電壓 Vgs 和漏極的電流 Id 保持一個比例關系。其實
2025-04-17 13:25:17
9 MCS1823 是一款用于交流或直流電流采樣的線性霍爾效應電流傳感器 IC。其霍爾陣列為差分式，可以抵消雜散磁場。 該器件的低電阻 (0.6mΩ) 原邊導體允許大電流在包含高精度霍爾傳感器的IC附近
2025-04-07 11:25:391403 
在當今數字化時代，高清視頻的應用無處不在。無論是安防監控領域，需要清晰捕捉每一個細節以保障安全；還是在教育行業，通過高清視頻實現遠程教學，讓知識跨越地域傳播；又或是在娛樂產業，追求極致的高清畫質為
2025-04-01 16:44:44
昨天，在成都舉辦的第十二屆中國網絡視聽大會智慧媒體論壇上，人民網正式發布了智能硬件“AI之眼”。據悉，此次發布的“AI之眼”1.0版本名叫“AIyou（愛游）”。 這也是人民網研發的首款智能硬件
2025-03-28 16:48:441483 米勒效應的影響：MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當
2025-03-25 13:37:58
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)ZCD150-24S19N-H相關產品參數、數據手冊，更有ZCD150-24S19N-H的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ZCD150-24S19N-H真值表，ZCD150-24S19N-H管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:31:30
LU是 Latch Up的簡寫，即閂鎖效應，也叫可控硅效應，表征芯片被觸發低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規芯片的規格書中通常都不會提供這個參數，而車規芯片的規格書中通常都會明確標注出來這個參數。這也是一個極為重要卻極容易被電子工程師忽略的參數。
2025-03-24 17:02:322735 
半導體器件二極管、三極管、MOSFET，課程不僅講解基礎概念，更側重于進階應用與案例分析，確保知識的實用性與深度。2、系統化的電源電路設計指導：深入電源設計的核心
2025-03-13 15:14:21593 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112141 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
近期，鉍金屬市場經歷了一輪前所未有的瘋漲，這一趨勢對多個行業產生了深遠影響，其中就包括電子焊接領域。中低溫焊錫膏作為電子產品制造中不可或缺的材料，其成分中的鉍金屬正面臨著前所未有的挑戰與機遇。本文將
2025-03-07 13:43:201256 
模電手賬筆記（19）
2025-03-07 09:29:29568 
高精度電流測試產品 電流測量可利用電流的各種效應進行測量，比如電效應、磁效應、熱效應、化學效應等都可以，其中最方便、用的最多的還是電效應和磁效應。 一常用的電流測量技術 ?常用的電流測量技術多是
2025-03-05 08:51:581276 
電流檢測技術在現今的生活與工作中都有廣泛的應用，許多的系統中都需要檢測流入和流出的電流大小，檢測電流大小能夠避免器件出錯。所以我們今天的主角就是“開關模式電源的電流檢測技術”。
基本知識談電流模式
2025-02-28 14:54:50
?：本文檔詳細介紹了如何準確測量高速GaN E-HEMT的性能，包括電流和電壓的測量技術、雙脈沖開關測試、開關能量測量等。 這里給大家帶來免費的下載地址： *附件：高速GaN E-HEMT的測量技巧.pdf 二、測量技術 1. 短環路的重要性 ? 原因 ?：長地線會引入不必要的電感，導致
2025-02-27 18:06:411061 硅基半導體經過多年發展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903 
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT，被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:25999 摘要
Talbot效應是一種眾所周知的近場衍射效應。當周期結構(例如，一個光柵)被準直的光照射時，在該光柵后面的特定規則間隔，可以觀察到其重建圖像。分隔這兩個平面的具體距離被稱為Talbot距離，以
2025-02-26 08:52:16
在衍射光學中，當周期性結構被準直光照射時，可以觀察到在物體后面周期性距離處形成的周期性結構的圖像。這就是眾所周知的 Talbot 效應（用所謂的 Talbot 距離來描述周期性間隔），它已經在例如
2025-02-26 08:49:53
騰訊AI圖書館來了，是時候升級英飛凌工業半導體的《微信圖書館》啦。（對于工程師零難度）近日騰訊推出了AI智能工作臺ima.copilot，本人親測，可以在微信平臺上建立方便實用的私人圖書館
2025-02-25 17:33:262299 
TMCS1100EVM 是一種工具，旨在促進 TMCS1100 的快速、便捷使用， 是一款利用外部參考的隔離式霍爾效應精密 Crent Sense 監控器。該評估模塊允許用戶在測量隔離輸出時，將最大
2025-02-25 17:09:59862 
TMCS1100 是一款電流隔離霍爾效應電流傳感器，能夠進行直流或交流電流測量，具有高精度、出色的線性度和溫度穩定性。低漂移、溫度補償信號鏈在整個器件溫度范圍內提供 < 1% 的滿量程誤差
2025-02-25 16:24:091326 
此參考設計采用霍爾效應電流傳感器 TMCS1100，可測量絕對誤差< 1%（–40°C 至 125°C）的電流，并提供高達 600 V 的工作隔離電壓。低電阻封裝內電流傳感元件無需高側電源，為
2025-02-25 16:10:43969 
為確保BNC連接器的質量使用的穩定，一般都會對BNC連接器采用電鍍工藝，從而提高電氣性能，那么BNC連接器使用電鍍技術的要關注哪些因素呢?工程師在使用BNC連接器之前，要先掌握相關的電鍍技術知識，才能嚴格保障鍍金層工藝的質量。下面由德索精密工業小編為大家科普一些常見影響鍍金層的質量問題。
2025-02-20 09:59:31794 
全球知名半導體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531191 的電鍍技術知識，才能嚴格保障鍍金層工藝的質量。下面由德索精密工業小編為大家科普一些常見影響鍍金層的質量問題。
2025-02-17 15:11:39728 ~同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產~ ? 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
川土微電子CA-IS23XXXS系列高精度霍爾效應電流傳感器新品發布！
2025-02-13 10:26:22971 
功率器件熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統可靠性，還能有效降低系統成本。本文將從熱設計的基本概念、散熱形式、熱阻與導熱系數、功率模塊的結構和熱阻分析等方面，對功率器件熱設計基礎知識進行詳細講解。
2025-02-03 14:17:001354 利用這段時間給大家整理了五期儲能基礎知識的分享。 1、電池儲能系統ESS/BESS 電池儲能系統（Energy Storage System / Battery Energy Storage
2025-01-27 17:37:002937 
凱歌4B19-20電路圖
2025-01-15 16:12:4211 雖然本博客主要是講解單片機的不過對于初學電子的人員而言。一定的硬件知識是必須的。而且書本上的教學方式太正確，太具體一本厚厚的模擬電路。嚇都嚇死人了。讓人摸不到重點。太具體 讓我們不知道到底在講
2025-01-15 14:36:361669 
在長江連接器小課堂，工程課長尹志鵬第開課內容小結。主要講解長江連接器分類及產品相關材料內容解析。?一、連接器分類?高速連接器?：適用于高速信號傳輸，具有優異的電氣性能和信號完整性。?航空連接器
2025-01-10 16:40:401535 
場效應管代換手冊
2025-01-08 13:44:213 理解量子力學和受限電子系統的行為提供了獨特視角。理解量子霍爾效應首先需要了解經典霍爾效應。 霍爾效應的起源與發現 霍爾效應的發現是在19世紀末，當時電磁學和物理學取得了顯著進展。埃德溫·霍爾當時是約翰·霍普金斯大學的一名研
2025-01-07 10:20:442545 設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關斷電流能力很強，
2025-01-06 17:05:481328
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